公开(公告)号：CN118693140A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310899360.9

申请日：2023-07-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 村井骏太 ,  吉川大辉 ,  中村和敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、第一区域和第二区域。第一区域包含第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的多个第三半导体区域、栅极电极、导电部、第二导电型的第四半导体区域、第一导电型的第五半导体区域、以及第二导电型的第六半导体区域。栅极电极隔着栅极绝缘层与多个第三半导体区域中的一个面对。导电部隔着绝缘层与多个第三半导体区域中的另一个对置，并与第二电极电连接。第四半导体区域设置在多个第三半导体区域中的一个上。第六半导体区域设置在多个第三半导体区域的另一个上。第六半导体区域在第三方向上的长度比第四半导体区域在第三方向上的长度长。

公开(公告)号：CN109509789A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201810181594.9

申请日：2018-03-06

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 下条亮平 ,  中村和敏 ,  安原纪夫 ,  玉城朋宏

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/06

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第1二极管部，具有设于半导体层之中的第1阳极区域、第1阴极区域、漂移区域、沿第1方向延伸的第1沟槽、以及第1沟槽电极；第2二极管部，具有第2阳极区域、第2阴极区域、漂移区域、沿第1方向延伸的第2沟槽、以及第2沟槽电极，上述第2二极管部在第1方向上的宽度比第1二极管部在与第1方向正交的第2方向上的宽度大，上述第2二极管部在第1方向上与第1二极管部相邻地设置；以及第1IGBT部，具有第1发射极区域、第1集电极区域、漂移区域、第1基极区域、沿第1方向延伸的第3沟槽、以及第1栅极电极，该第1IGBT部在第2方向上与第1二极管部相邻地设置，并在第1方向上与第2二极管部相邻地设置。

公开(公告)号：CN104299991B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201310733934.1

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小仓常雄 ,  中村和敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7831

Abstract: 一种半导体装置，使关断时的开关损失降低。该半导体装置包括第1导电型的第1半导体区域、设在第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域、设在第2半导体区域之上的第1导电型的第3半导体区域、控制电极、绝缘膜、第1电极、第2电极及第2导电型的第4半导体区域。控制电极控制第1半导体区域与第3半导体区域之间的导通。绝缘膜设在控制电极与第2半导体区域之间。第1电极与第2半导体区域及第3半导体区域电连接。第4半导体区域设在第2电极与第1半导体区域之间，具有有第1杂质浓度、作为与第2电极的接触面积而有第1接触面积的第1部分；和有比第1杂质浓度高的第2杂质浓度、有比第1接触面积小的第2接触面积的第2部分。

公开(公告)号：CN104425582B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201410061644.1

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三须伸一郎 ,  中村和敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种半导体装置，具备第1导电型的第1基底层。第2导电型的第2基底层设在第1基底层上。第1导电型的第1半导体层设在第2基底层的与上述第1基底层相反的一侧。第2导电型的第2半导体层设在第1基底层的与第2基底层相反的一侧。多个第1电极隔着第1绝缘膜设在第1半导体层及第2基底层中。第2电极在相邻的第1电极之间、隔着第2绝缘膜设在第1半导体层及第2半导体层中。第2电极侧的第1基底层的电阻比栅极电极侧的第1基底层的电阻低。

公开(公告)号：CN104916672A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410448492.0

申请日：2014-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 末代知子 ,  小仓常雄 ,  中村和敏 ,  下条亮平

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：第一电极；第二电极，其包含向第一电极侧延伸的部分；第一导电型的第一半导体层，其设置在第一电极与第二电极之间；第二导电型的第一半导体区域，其设置在第一半导体层与第二电极之间；第一导电型的第二半导体区域，其设置在第一半导体区域与第二电极之间，与所述部分接触；第三电极，其位于第一电极与所述部分之间，隔着第一绝缘膜设置在第一半导体层、第一半导体区域以及第二半导体区域，且连接在所述部分；第四电极，其隔着第二绝缘膜设置在第一半导体层、第一半导体区域以及第二半导体区域；以及第二导电型的第三半导体区域，其设置在第一半导体区域与第二半导体区域之间。

公开(公告)号：CN103296073A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210505182.9

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小仓常雄 ,  中村和敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种短路耐受量高、栅极驱动电路的损失少的低导通电阻的绝缘栅型双极晶体管IGBT。实施方式的IGBT具备：有选择地形成于第一槽（3a）与第二槽（3b）之间的第一半导体层（2）的第一表面的、在第一槽（3a）的侧壁露出的第一基极层（7a）和在第二槽（3b）的侧壁露出的第二基极层（7b）。第一发射极层（8a）有选择地形成于第一基极层（7a）的表面，并在第一槽（3a）的侧壁露出。第二发射极层（8b）有选择地形成于第二基极层（7b）的表面，并在第二槽（3b）的侧壁露出。第一栅电极（5a）隔着第一栅极绝缘膜（4a）设置于第一槽（3a）内。第二栅电极（5b）隔着第二栅极绝缘膜（4b）设置于第二槽内。

公开(公告)号：CN1523677A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410005581.4

申请日：2004-02-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中村和敏 ,  末代知子 ,  川口雄介 ,  中川明夫

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/7801

Abstract: 本发明提供一种降低了无效电流并且抑制了基板电流的半导体装置。半导体装置包括：具有主表面的硅基板(110)，硅基板(110)的主表面上设置的P型半导体层(130)，半导体层(130)与硅基板(110)之间设置的P型埋入层(140)，设置在硅基板(110)的周围、从半导体层(130)的表面到达埋入层(140)的P型第1连接区域(160)，半导体层(130)的表面设置的开关元件(10)，设置在比开关元件(10)更靠近连接区域(160)的半导体层(130)的表面上、耐压比开关元件(10)低的低耐压元件(20)。

公开(公告)号：CN104425582A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410061644.1

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三须伸一郎 ,  中村和敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种半导体装置，具备第1导电型的第1基底层。第2导电型的第2基底层设在第1基底层上。第1导电型的第1半导体层设在第2基底层的与上述第1基底层相反的一侧。第2导电型的第2半导体层设在第1基底层的与第2基底层相反的一侧。多个第1电极隔着第1绝缘膜设在第1半导体层及第2基底层中。第2电极在相邻的第1电极之间、隔着第2绝缘膜设在第1半导体层及第2半导体层中。第2电极侧的第1基底层的电阻比栅极电极侧的第1基底层的电阻低。

公开(公告)号：CN104425581A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410061291.5

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 原琢磨 ,  中村和敏 ,  小仓常雄

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7397

Abstract: 一种半导体装置，具备具有第1面和对置于上述第1面的第2面的第1导电型的第1半导体层、和形成在上述第1半导体层的上述第1面上的第2导电型的第2半导体层。进而，上述装置具备形成于上述第1及第2半导体层上且在与上述第1面平行的第1方向上延伸的多个控制电极、和在上述第2半导体层的与上述第1半导体层相反的一侧沿着上述第1方向交替地形成的多个上述第1导电型的第3半导体层及多个上述第2导电型的第4半导体层。进而，上述装置具备在上述第2半导体层的上述第1半导体层侧、或被上述第2半导体层包围的位置上形成的多个上述第1导电型的第5半导体层；上述第5半导体层沿着上述第1方向相互离开而配置。

公开(公告)号：CN104299991A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201310733934.1

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小仓常雄 ,  中村和敏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7831

Abstract: 一种半导体装置，使关断时的开关损失降低。该半导体装置包括第1导电型的第1半导体区域、设在第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域、设在第2半导体区域之上的第1导电型的第3半导体区域、控制电极、绝缘膜、第1电极、第2电极及第2导电型的第4半导体区域。控制电极控制第1半导体区域与第3半导体区域之间的导通。绝缘膜设在控制电极与第2半导体区域之间。第1电极与第2半导体区域及第3半导体区域电连接。第4半导体区域设在第2电极与第1半导体区域之间，具有有第1杂质浓度、作为与第2电极的接触面积而有第1接触面积的第1部分；和有比第1杂质浓度高的第2杂质浓度、有比第1接触面积小的第2接触面积的第2部分。