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公开(公告)号：CN102265714A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152059.X
申请日：2009-10-15
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K3/20 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/10175 , H01L2224/131 , H01L2224/16237 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81001 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/83193 , H01L2224/838 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/1517 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H05K1/142 , H05K3/4658 , H05K3/4694 , H05K2201/0108 , H05K2201/0352 , H05K2201/09972 , H05K2203/025 , H05K2203/1189 , Y10T29/49117 , Y10T156/1052 , Y10T428/24917 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/16225
Abstract: 在本发明的电子部件及其制造方法中，能够形成比以往更细微的导体图案。根据本发明的电子部件的制造方法，包括：在透明支撑基材(11)之上形成树脂层(13)的工序；使在一侧主表面(14x)形成有图案(14w)的导体板(14)按压树脂层(13)，以此将图案(14w)嵌入到该树脂层(13)的工序；对导体板(14)的另一侧主表面(14y)进行研磨、化学机械抛光或切削直到树脂层(13)露出，使图案(14w)留在树脂层(13)中作为导体图案(14z)的工序。
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公开(公告)号：CN100477139C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03822757.6
申请日：2003-04-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/29298 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73104 , H01L2224/749 , H01L2224/75 , H01L2224/75252 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。
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公开(公告)号：CN107155260B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710075973.5
申请日：2017-02-13
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 石月义克
CPC classification number: H05K1/147 , H05K1/028 , H05K1/181 , H05K1/189 , H05K3/361 , H05K2201/042 , H05K2201/2009 , Y02P70/611
Abstract: 本发明公开了电子装置和用于制造电子装置的方法。一种电子装置包括：布线基板；具有不同高度的多个部件，该多个部件安装在布线基板的一个表面上；以及柔性基板，该柔性基板是通过在布线基板的一个表面侧上进行层压而形成的，该柔性基板覆盖所述多个部件，该柔性基板包括：第一部分，第一部分覆盖多个部件中的具有等于或低于第一高度的高度的一个或更多个第一部件；以及第二部分，第二部分覆盖多个部件中的除一个或更多个第一部件之外的一个或更多个第二部件，第一部分的第一刚性高于第二部分的第二刚性。
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公开(公告)号：CN101483144A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910006680.7
申请日：2003-04-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/29298 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73104 , H01L2224/749 , H01L2224/75 , H01L2224/75252 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。本发明涉及一种半导体器件及其制法、基板处理装置和半导体制造装置。
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公开(公告)号：CN1685489A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822757.6
申请日：2003-04-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/29298 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73104 , H01L2224/749 , H01L2224/75 , H01L2224/75252 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103258751B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310044990.4
申请日：2013-02-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24195 , H01L2224/97 , H01L2924/10253 , H01L2224/19 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法和制造电子组合件的方法。制造半导体器件的方法包括：在支承体上设置粘合层；在粘合层上设置半导体元件；在其上设置有半导体元件的粘合层上设置树脂层，并且在粘合层上形成衬底，该衬底包括半导体元件和树脂层；以及从粘合层移除衬底，其中粘合层在移除衬底的方向上的粘附力小于粘合层在形成衬底的平面方向上的粘附力。
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公开(公告)号：CN103258770A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310048766.2
申请日：2013-02-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L2221/68318 , H01L2221/68381 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24195 , H01L2924/10253 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19105 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法。该制造半导体装置的方法包括：在支承构件上设置第一粘接层；在第一粘接层上设置膜；在膜上布置半导体元件；在布置有半导体元件的膜上设置树脂层，并在膜上形成包括半导体元件和树脂层的基片；以及使膜和基片与第一粘接层分离。
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公开(公告)号：CN107155260A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710075973.5
申请日：2017-02-13
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 石月义克
CPC classification number: H05K1/147 , H05K1/028 , H05K1/181 , H05K1/189 , H05K3/361 , H05K2201/042 , H05K2201/2009 , Y02P70/611
Abstract: 本发明公开了电子装置和用于制造电子装置的方法。一种电子装置包括：布线基板；具有不同高度的多个部件，该多个部件安装在布线基板的一个表面上；以及柔性基板，该柔性基板是通过在布线基板的一个表面侧上进行层压而形成的，该柔性基板覆盖所述多个部件，该柔性基板包括：第一部分，第一部分覆盖多个部件中的具有等于或低于第一高度的高度的一个或更多个第一部件；以及第二部分，第二部分覆盖多个部件中的除一个或更多个第一部件之外的一个或更多个第二部件，第一部分的第一刚性高于第二部分的第二刚性。
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公开(公告)号：CN101483144B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200910006680.7
申请日：2003-04-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/29298 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73104 , H01L2224/749 , H01L2224/75 , H01L2224/75252 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。
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公开(公告)号：CN102044413B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010526085.9
申请日：2003-04-22
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/29298 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73104 , H01L2224/749 , H01L2224/75 , H01L2224/75252 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。
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