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公开(公告)号：CN101483144A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910006680.7
申请日：2003-04-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/29298 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73104 , H01L2224/749 , H01L2224/75 , H01L2224/75252 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。本发明涉及一种半导体器件及其制法、基板处理装置和半导体制造装置。
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公开(公告)号：CN1685489A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822757.6
申请日：2003-04-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/29298 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73104 , H01L2224/749 , H01L2224/75 , H01L2224/75252 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。
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公开(公告)号：CN102265714B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200980152059.X
申请日：2009-10-15
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K3/20 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/10175 , H01L2224/131 , H01L2224/16237 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81001 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/83193 , H01L2224/838 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/1517 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H05K1/142 , H05K3/4658 , H05K3/4694 , H05K2201/0108 , H05K2201/0352 , H05K2201/09972 , H05K2203/025 , H05K2203/1189 , Y10T29/49117 , Y10T156/1052 , Y10T428/24917 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/16225
Abstract: 在本发明的电子部件及其制造方法中，能够形成比以往更细微的导体图案。根据本发明的电子部件的制造方法，包括：在透明支撑基材(11)之上形成树脂层(13)的工序；使在一侧主表面(14x)形成有图案(14w)的导体板(14)按压树脂层(13)，以此将图案(14w)嵌入到该树脂层(13)的工序；对导体板(14)的另一侧主表面(14y)进行研磨、化学机械抛光或切削直到树脂层(13)露出，使图案(14w)留在树脂层(13)中作为导体图案(14z)的工序。
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公开(公告)号：CN102044413A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010526085.9
申请日：2003-04-22
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/29298 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73104 , H01L2224/749 , H01L2224/75 , H01L2224/75252 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。
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公开(公告)号：CN102265714A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152059.X
申请日：2009-10-15
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H05K3/20 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/10175 , H01L2224/131 , H01L2224/16237 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81001 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81193 , H01L2224/83193 , H01L2224/838 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/1517 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H05K1/142 , H05K3/4658 , H05K3/4694 , H05K2201/0108 , H05K2201/0352 , H05K2201/09972 , H05K2203/025 , H05K2203/1189 , Y10T29/49117 , Y10T156/1052 , Y10T428/24917 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/16225
Abstract: 在本发明的电子部件及其制造方法中，能够形成比以往更细微的导体图案。根据本发明的电子部件的制造方法，包括：在透明支撑基材(11)之上形成树脂层(13)的工序；使在一侧主表面(14x)形成有图案(14w)的导体板(14)按压树脂层(13)，以此将图案(14w)嵌入到该树脂层(13)的工序；对导体板(14)的另一侧主表面(14y)进行研磨、化学机械抛光或切削直到树脂层(13)露出，使图案(14w)留在树脂层(13)中作为导体图案(14z)的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100477139C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03822757.6
申请日：2003-04-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/29298 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73104 , H01L2224/749 , H01L2224/75 , H01L2224/75252 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。
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公开(公告)号：CN102693914B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201210050652.7
申请日：2012-02-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L24/81 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/75 , H01L2224/11013 , H01L2224/1184 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/75101 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8183 , H01L2224/83192 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13064 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括：通过对半导体元件的第一电极的表面进行处理来形成包括晶体的第一层；通过对该半导体元件安装在其上的安装元件的第二电极的表面进行处理来形成包括晶体的第二层；在第一温度下对在第一层上或第一层中存在的第一氧化膜以及在第二层上或第二层中存在的第二氧化膜进行还原，第一温度低于在第一电极中包含的第一金属以固态进行扩散的第二温度且低于在第二电极中包含的第二金属以固态发生扩散的第三温度；以及通过固相扩散将第一层和第二层彼此接合。
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公开(公告)号：CN100547741C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200380102282.6
申请日：2003-12-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 准备已经使支承面(201a)平坦了的衬底支座(201)，用例如真空吸附把布线形成面(1a)吸附在该支承面(201a)上，从而把半导体衬底(1)固定在衬底支座(201)上。这时，向支承面(201a)的吸附就使布线形成面(1a)强制性的平坦化，这样，布线形成面(1a)成为背面(1b)的平坦化基准面。在该状态下，对背面(1b)进行机械研磨，将背面(1b)的凸部(12)研磨除去来进行平坦化处理。这样，就能够使衬底(特别是半导体衬底)的厚度离散均一化，不会发生凹凸扭曲等不适当的情况，能够容易且廉价地实现无布线设计约束的高速平坦化。
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公开(公告)号：CN1708835A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102282.6
申请日：2003-12-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 准备已经使支承面(201a)平坦了的衬底支座(201)，用例如真空吸附把布线形成面(1a)吸附在该支承面(201a)上，从而把半导体衬底(1)固定在衬底支座(201)上。这时，向支承面(201a)的吸附就使布线形成面(1a)强制性的平坦化，这样，布线形成面(1a)成为背面(1b)的平坦化基准面。在该状态下，对背面(1b)进行机械研磨，将背面(1b)的凸部(12)研磨除去来进行平坦化处理。这样，就能够使衬底(特别是半导体衬底)的厚度离散均一化，不会发生凹凸扭曲等不适当的情况，能够容易且廉价地实现无布线设计约束的高速平坦化。
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公开(公告)号：CN101483144B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200910006680.7
申请日：2003-04-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/4853 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2224/1134 , H01L2224/1184 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/29298 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73104 , H01L2224/749 , H01L2224/75 , H01L2224/75252 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/29099
Abstract: 本发明使半导体基板(1)的背面(1b)吸附在基板支承台(11)的支承面(11a)上而使其固定。这时，由于对背面(1b)的平整化处理，成为半导体基板(1)的厚度一定的状态，背面(1b)由于向支承面(11a)吸附而被强制性地成为没有起伏的状态，这样，背面(1b)成为表面(1a)的平整化的基准面。在该状态下，使用刀具(10)对表面(1a)中的各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表层进行切削加工，进行平整化处理，使得各Au突起(2)和抗蚀剂掩膜(12)的表面连续且平整。这样，取代CMP，能够廉价且高速地使形成在基板上的微细的凸块的表面平整化。
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