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公开(公告)号:CN116799093A
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN202310907092.0
申请日:2023-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域,具体为基于二维半导体材料的光电二极管及其制备方法。本发明为垂直结构器件,由N型半导体材料为衬底,结合多层P型二维半导体材料作为感光单元形成具有快速光电响应的光电二极管;选用具有短波近红外光电响应的P型二维半导体材料,选用分别接触P型和N型半导体材料的不对称接触电极,再结合环形金属接触电极结构设计,大大提高其光电探测的性能。制备方法包括:N型半导体基底处理;多层P型二维半导体材料的制备;无掩膜光刻制备N型与p型不对称接触电极;隔绝各部分的绝缘层的制备。本发明设计和制备的光电二极管,在室温环境下,具有响应速度快、量子效率高、探测范围广等优点。
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公开(公告)号:CN117096212A
公开(公告)日:2023-11-21
申请号:CN202310903686.4
申请日:2023-07-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于半导体技术领域,具体为一种基于二维材料的垂直结构光伏型探测器及其制备方法。本发明的垂直结构光伏型探测器采用PN垂直异质结构;P型二维材料与上层金属电极直接相连,N型二维材料与埋栅金属电极相连,埋栅电极通过刻蚀并用金属填充指定区域的绝缘层实现。该探测器的制备方法包括:准备器件基底;制备P型和N型二维材料;制备埋栅金属电极;转移并刻蚀N型二维材料;转移并刻蚀P型二维材料;制备接触电极。本垂直结构光伏型探测器具有高的紧凑性和集成度,可以实现多个光电器件的堆叠和互连;这有助于提高整体的光电流输出,并在有限空间内实现更多功能和性能,在半导体技术领域具有潜在应用价值。
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公开(公告)号:CN115694377A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202211269333.5
申请日:2022-10-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域,具体为一种与二维光导型探测器适配的CTIA型读出电路。本发明中,光导型探测器是以二维材料做沟道的二端口器件,感光器件做光敏像素、经遮光处理的器件做盲元像素,光敏像素与可调补偿电阻串联,与盲元像素相互配合作为后边CTIA电路的输入级。CTIA型读出电路由一个高增益的运算放大器、档位可调的积分电容Cint以及电容复位开关Rst构成。运算放大器为两级运放结构。本发明突破了目前难以将硅以外的半导体与硅基电路进行结合的难题。CTIA注入级采用两级运放,极大提高了电路增益;使用档位可调的积分电容,提高了读出电路与不同类型、不同性能光电探测器耦合的适配性;并且具有单元电路面积小、集成度高等优点。
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公开(公告)号:CN220472808U
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202322267431.1
申请日:2023-08-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本实用新型属于光电探测技术领域,具体为一种用于黑体校准的红外测试装置。本实用新型红外测试装置包括光学平台、载样台、探针装置、显微镜、导轨、带有斩波器的点源黑体、屏蔽罩;通过导轨使显微镜和带有斩波器的点源黑体能够进行位置切换,实现对位于载样台上的样品的测试,并且使测试过程更加灵活高效。在测试过程中,使用显微镜观察样品,保证测试的准确性,然后将显微镜移开,将黑体移动到样品正上方进行测试,提供稳定且可靠的测试环境。本实用新型的红外测试装置具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN217605118U
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN202221108818.1
申请日:2022-05-11
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本实用新型属于光电探测技术领域,具体为一种基于PCB板的光电测试装置。本实用新型光电测试装置包括光电探测器、读出电路、光电快门、光源及PCB板;光电探测器与读出电路通过酒精胶固定到PCB板的指定位置,相应的引脚键压到PCB板已预留的pad处,二者通过PCB板实现物理连接,光源垂直入射到光电快门,光电快门控制光信号是否射入到探测器表面。将该结构装入杜瓦中,在不同入射光条件下对电路进行测试即可。该实用新型可以实现大多数光电材料(传统硅基光电材料和新兴二维光电材料均可)与硅基电路进行结合的光电测试,并且具有测试结果准确、成本低、操作简单等优点。
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