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公开(公告)号：CN109065493B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811047890.6
申请日：2018-09-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/68
Abstract: 本发明属于薄膜材料技术领域，具体为一种辅助硬通孔掩膜版和样品进行精确对准的装置。本发明装置包括：样品托盘、载物圆盘、掩膜版吸附头、位移调节装置，显微镜等；其中，载物圆盘具有旋转调整自由度，载物圆盘旋转带动样品托盘旋转，从而精确控制样品旋转角度；位移调节装置具有X、Y、Z三轴的旋转和水平调整自由度；通过位移调节装置可以精确调整通孔硬掩膜版的位置；本整个装置结构简单，操作方便，对准精度高，具有很强的实用性。在一定程度上替代了光刻的功能，避免了光刻过程中光刻胶对样品产生影响，非常适合有机材料或者二维材料（石墨烯等）等薄膜材料的器件加工。
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公开(公告)号：CN108364863B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201810010472.3
申请日：2018-01-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成金属‑二维半导体材料良好欧姆接触的方法。本发明方法包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜；所涉及的金属‑二维材料良好欧姆接触包括衬底、位于衬底之上的二维材料、位于二维材料之上的金属电极材料，其中，所述金属电极材料包括粘附层以及电极材料。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的欧姆接触问题还没有很好的解决方法，本发明解决了金属‑二维半导体材料欧姆接触的问题，并且可以实现大面积可控层数二维半导体薄膜的制备，因此可在大规模集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN108376711A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810014816.8
申请日：2018-01-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于二维半导体晶体管技术领域，具体为一种制备具有顶栅结构和聚合物电解质介质层的二维半导体晶体管的方法。本发明方法包括制备一系列堆叠结构，所述堆叠结构自下向上依次是衬底、二维半导体材料、充当源极和漏极的金属电极材料、旋涂形成的电解质介质薄膜、充当栅极的金属电极材料。所述电解质与传统介质材料相比具有更大的比电容，且所述栅极为顶栅的拓扑结构。因此，本发明方法可以解决二维半导体场效应晶体管在低工作电压、低功耗、高速电路和柔性电路上的应用问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108364863A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810010472.3
申请日：2018-01-05
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: H01L29/401 , H01L29/45 , H01L29/456
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成金属-二维半导体材料良好欧姆接触的方法。本发明方法包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜；所涉及的金属-二维材料良好欧姆接触包括衬底、位于衬底之上的二维材料、位于二维材料之上的金属电极材料，其中，所述金属电极材料包括粘附层以及电极材料。二维材料已有大量研究，但目前关于金属-二维半导体材料的欧姆接触问题还没有很好的解决方法，本发明解决了金属-二维半导体材料欧姆接触的问题，并且可以实现大面积可控层数二维半导体薄膜的制备，因此可在大规模集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN109065493A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811047890.6
申请日：2018-09-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/682
Abstract: 本发明属于薄膜材料技术领域，具体为一种辅助硬通孔掩膜版和样品进行精确对准的装置。本发明装置包括：样品托盘、载物圆盘、掩膜版吸附头、位移调节装置，显微镜等；其中，载物圆盘具有旋转调整自由度，载物圆盘旋转带动样品托盘旋转，从而精确控制样品旋转角度；位移调节装置具有X、Y、Z三轴的旋转和水平调整自由度；通过位移调节装置可以精确调整通孔硬掩膜版的位置；本整个装置结构简单，操作方便，对准精度高，具有很强的实用性。在一定程度上替代了光刻的功能，避免了光刻过程中光刻胶对样品产生影响，非常适合有机材料或者二维材料（石墨烯等）等薄膜材料的器件加工。
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公开(公告)号：CN108376711B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810014816.8
申请日：2018-01-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于二维半导体晶体管技术领域，具体为一种制备具有顶栅结构和聚合物电解质介质层的二维半导体晶体管的方法。本发明方法包括制备一系列堆叠结构，所述堆叠结构自下向上依次是衬底、二维半导体材料、充当源极和漏极的金属电极材料、旋涂形成的电解质介质薄膜、充当栅极的金属电极材料。所述电解质与传统介质材料相比具有更大的比电容，且所述栅极为顶栅的拓扑结构。因此，本发明方法可以解决二维半导体场效应晶体管在低工作电压、低功耗、高速电路和柔性电路上的应用问题。
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公开(公告)号：CN207938577U
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201820102682.0
申请日：2018-01-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型属于二维半导体材料领域，具体为一种在真空环境下转移大面积二维材料的转移平台，包括加热台、真空密封箱、Z轴方向真空贯通装置、真空泵、底架、顶架、抽真空阀门、放气阀门和真空计；真空密封箱放置在加热台上，包括真空密封箱顶盖；Z轴方向真空贯通装置的内部包括转轴；Z轴方向真空贯通装置竖直贯穿真空密封箱顶盖；顶架固定在转轴的下端；底架固定在真空密封箱底部的凹槽中，由金属材料制成；抽真空阀门、放气阀门和真空计分别安装在真空密封箱上；抽真空阀门通过接真空泵的管路与真空泵相连。该平台具有转移后材料界面干净、可转移大面积二维材料、不引入杂质、对材料无伤害的特点，有很好的推广和实用价值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208690229U
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201821468721.5
申请日：2018-09-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/68
Abstract: 本实用新型属于薄膜材料技术领域，具体为一种辅助硬通孔掩膜版和样品进行精确对准的装置。装置包括：样品托盘、载物圆盘、掩膜版吸附头、位移调节装置，显微镜等；其中，载物圆盘具有旋转调整自由度，载物圆盘旋转带动样品托盘旋转，从而精确控制样品旋转角度；位移调节装置具有X、Y、Z三轴的旋转和水平调整自由度；通过位移调节装置可以精确调整通孔硬掩膜版的位置；本整个装置结构简单，操作方便，对准精度高，具有很强的实用性。在一定程度上替代了光刻的功能，避免了光刻过程中光刻胶对样品产生影响，非常适合有机材料或者二维材料（石墨烯等）等薄膜材料的器件加工。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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