公开(公告)号：CN108376711B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201810014816.8

申请日：2018-01-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  昝武 ,  许浒 ,  张卫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于二维半导体晶体管技术领域，具体为一种制备具有顶栅结构和聚合物电解质介质层的二维半导体晶体管的方法。本发明方法包括制备一系列堆叠结构，所述堆叠结构自下向上依次是衬底、二维半导体材料、充当源极和漏极的金属电极材料、旋涂形成的电解质介质薄膜、充当栅极的金属电极材料。所述电解质与传统介质材料相比具有更大的比电容，且所述栅极为顶栅的拓扑结构。因此，本发明方法可以解决二维半导体场效应晶体管在低工作电压、低功耗、高速电路和柔性电路上的应用问题。

公开(公告)号：CN108364863A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810010472.3

申请日：2018-01-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  宋雄飞 ,  昝武 ,  许浒 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/401 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成金属-二维半导体材料良好欧姆接触的方法。本发明方法包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜；所涉及的金属-二维材料良好欧姆接触包括衬底、位于衬底之上的二维材料、位于二维材料之上的金属电极材料，其中，所述金属电极材料包括粘附层以及电极材料。二维材料已有大量研究，但目前关于金属-二维半导体材料的欧姆接触问题还没有很好的解决方法，本发明解决了金属-二维半导体材料欧姆接触的问题，并且可以实现大面积可控层数二维半导体薄膜的制备，因此可在大规模集成电路中获得应用。

公开(公告)号：CN108364863B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201810010472.3

申请日：2018-01-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  宋雄飞 ,  昝武 ,  许浒 ,  周鹏 ,  张卫

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成金属‑二维半导体材料良好欧姆接触的方法。本发明方法包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜；所涉及的金属‑二维材料良好欧姆接触包括衬底、位于衬底之上的二维材料、位于二维材料之上的金属电极材料，其中，所述金属电极材料包括粘附层以及电极材料。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的欧姆接触问题还没有很好的解决方法，本发明解决了金属‑二维半导体材料欧姆接触的问题，并且可以实现大面积可控层数二维半导体薄膜的制备，因此可在大规模集成电路中获得应用。

公开(公告)号：CN108376711A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810014816.8

申请日：2018-01-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 包文中 ,  昝武 ,  许浒 ,  张卫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于二维半导体晶体管技术领域，具体为一种制备具有顶栅结构和聚合物电解质介质层的二维半导体晶体管的方法。本发明方法包括制备一系列堆叠结构，所述堆叠结构自下向上依次是衬底、二维半导体材料、充当源极和漏极的金属电极材料、旋涂形成的电解质介质薄膜、充当栅极的金属电极材料。所述电解质与传统介质材料相比具有更大的比电容，且所述栅极为顶栅的拓扑结构。因此，本发明方法可以解决二维半导体场效应晶体管在低工作电压、低功耗、高速电路和柔性电路上的应用问题。