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公开(公告)号:CN118841433A
公开(公告)日:2024-10-25
申请号:CN202310475059.5
申请日:2023-04-25
IPC: H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体器件及电子设备,涉及半导体技术领域,用于解决现有晶体管的SS过高的技术问题。半导体器件包括衬底、栅极、有源层和第一肖特基接触电极,栅极、有源层和第一肖特基接触电极均设置于衬底上。有源层包括沟道部,栅极在衬底上的垂直投影,与沟道部在衬底上的垂直投影重叠。第一肖特基接触电极与有源层相接触,且与有源层之间形成第一肖特基结。其中,有源层中与第一肖特基接触电极接触的部分,与沟道部的掺杂类型相同。该半导体器件具有更低的SS,仅需在栅极施加很小的电压,即可使器件开启。
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公开(公告)号:CN118606607A
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202410559501.7
申请日:2024-05-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域,具体为一种SOI MOSFET表面势计算方法。本发明根据SOI MOSFET结构特点,给出SOI半导体硅膜内的泊松方程表达式,并通过对泊松方程进行一次积分得到表面势满足的方程(SPE);然后根据SOI器件的不同状态,将不同栅压下的半导体分为不同工作区并取近似,设计较优的初值函数,以便准确快速地得到表面势解析近似解。在取得的近似的基础上,通过两次修正以保证计算准确性。本发明方法与仿真和实验结果都高度吻合。本发明物理概念清晰,计算精度高,且保证计算效率。本发明对后续电路设计有着重要意义。
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公开(公告)号:CN118446160A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410460185.8
申请日:2024-04-17
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/373
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域,具体为一种基于表面势的SOI MOSFET电容计算方法。本发明对SOI MOSFET的端电荷和电容进行建模,通过求解泊松方程和边界条件得到端电荷和电容相对表面势的解析表达式。本发明引入了硅膜后表面寄生电容,使该模型能准确拟合栅极电容的凹坑现象。通过与TCAD仿真数据和实验数据进行验证,本发明可以精准拟合SOI MOSFET的端电容及栅极电容的凹坑现象,拟合误差小于1.5%,为模拟和射频电路设计提供一种高精度电容紧凑模型。
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公开(公告)号:CN118032894A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202211388317.8
申请日:2022-11-08
Applicant: 复旦大学 , 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
IPC: G01N27/327
Abstract: 本发明属于生物化学传感及体外诊断技术领域,具体为一种阿尔茨海默症蛋白标志物检测模块、制备方法及其应用;本发明方法包括:在硅绝缘基底上沉积金属电极;将石墨烯转移到已镀有金属电极的衬底上;将一端有修饰的DNA适配体,聚乙二醇和乙醇胺依次滴加到石墨烯沟道表面进行功能化;本发明的检测模块通过将带电分子固定到石墨烯沟道表面,引起沟道表面的导电性发生变化,从而实现对阿尔兹海默症蛋白生物标志物的高灵敏度、快速检测;本发明检测有效的解决了对于使用少量分析物进行高灵敏度和瞬时高通量测量临床中快速检测阿尔兹海默症一种或多种蛋白标志物的需求,大大节省了检测时间和成本,具有潜在的社会实用价值。
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公开(公告)号:CN114624297A
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202210139930.X
申请日:2022-02-16
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/26 , G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 本发明属于体外诊断技术领域,具体为一种基于核酸适配体修饰的石墨烯电子生物传感器、制备方法及其应用;本发明的石墨烯电子生物传感器制备方法包括:在硅/二氧化硅衬底上沉积金属电极;在沉积电极的衬底上转移石墨烯并在特定位置刻蚀出沟道;根据待检测类固醇激素分子的结构来选择和制备特异性的核酸适配体;将核酸适配体,聚乙二醇和乙醇胺,通过中间连接体依次化学修饰到石墨烯沟道材料表面。本发明的电子生物传感器基于场效应电学信号传感对临床样本中肾上腺类固醇激素分子的浓度进行快速测量。本发明的电子生物传感器可以快速直接检测临床样本,可以广泛地应用于各类疾病生物标志物的浓度检测。
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公开(公告)号:CN112580288A
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN202011393933.3
申请日:2020-12-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/367 , G06N3/08 , G06N3/04 , G01R31/26
Abstract: 本发明属于集成电路半导体技术领域,具体为一种基于多梯度神经网络的半导体器件特性建模方法和系统。在现存的基于神经网络的半导体器件建模方法之上,提出了利用神经网络反向传播中梯度的特性来拟合半导体器件的电导、电荷量变化曲线的方案,该建模方案能够高精度地表达晶体管电导特性和电容特性。基于该建模方开发的建模软件系统,只需点击相关功能按钮并设置合适的参数,就自动化地能完成繁琐的模型建立、模型练训、模型测试等过程;本发明方法大大提高了半导体器件的建模精度,降低了建模难度,缩短了建模周期,为半导体器件的建模与仿真提供了更准确、便捷、快速的方案。
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公开(公告)号:CN111446243A
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN202010154717.7
申请日:2020-03-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/06 , H01L27/13 , H01L21/822 , H01L21/84 , H01L21/86
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域,具体为一种基于二维半导体薄膜的多层堆叠电路及其制备方法。本发明多层堆叠电路由有源器件、无源器件以衬底为基础堆叠而成,每一叠层至少有1个有源器件,各叠层间由绝缘层隔开,由通孔连接线连接;器件以二维半导体薄膜为基础制备得到;该多层堆叠电路可实现与非门、或非门、反相器、传输门等多种逻辑或者模拟电路;有源器件主要为场效应晶体管。制备方法包括:器件衬底的准备;二维半导体材料及其各场效应晶体管、无源器件的制备;各层间隔层及通孔连接线制备。本发明工艺简单、成本低廉,得到的电路器件具有多功能集成、互连缩短、集成度高、噪声低等优势,可推进二维半导体薄膜材料在集成电路产业中的应用。
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公开(公告)号:CN117949517A
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202410054918.8
申请日:2024-01-15
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于体外诊断领域,具体为一种同时快速特异性检测多种生物标志物的石墨烯晶体管芯片。本发明石墨烯晶体管芯片由衬底、源极、漏极和液体栅极组成,在源极和漏极之间有石墨烯通道,石墨烯沟道表面修饰有1‑芘丁酸N‑羟基琥珀酰亚胺酯;在不同沟道区域间隔处沉积有氧化物材料作为阻挡层;同一衬底上,排布有多个石墨烯晶体管器件,不同区域石墨烯晶体管器件,根据需要检测的生物标志物类别数量划分,数量为2个以上;不同石墨烯晶体管器件的石墨烯通道上修饰有不同适配体,进行功能化处理。本发明中的多靶标石墨烯晶体管芯片实现了对有限的样本溶液中多种生物标志物同时检测,可以广泛应用于多种疾病标志物即时诊断。
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公开(公告)号:CN117352514A
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202210754260.2
申请日:2022-06-28
Abstract: 本申请公开了芯片、制备方法及电子设备,包括:衬底以及设置于衬底上的晶体管。晶体管包括:沟道结构、阻挡层、栅极、源极以及漏极。沟道结构包括沟道区和离子注入区,阻挡层设置于沟道结构背离衬底的一侧,栅极设置于阻挡层背离沟道结构的一侧,源极设置于沟道结构背离衬底的一侧,漏极设置于沟道结构背离衬底的一侧。源极设置于沟道区背离离子注入区的一侧,漏极覆盖离子注入区的至少部分区域。以及,栅极分别与沟道结构、源极以及漏极电性绝缘。本申请实施例中,源极的材料为狄拉克材料,具有更局域的电子密度分布和更短的热尾,即可降低器件的SS数值,提升器件的开态电流。
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公开(公告)号:CN118006749A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202211388329.0
申请日:2022-11-08
Applicant: 复旦大学 , 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司
IPC: C12Q1/6883 , C12Q1/6825
Abstract: 本发明属于体外诊断技术领域,具体为一种阿尔茨海默症miRNA核酸标志物分子浓度的检测方法;生物传感器用于快速检测阿尔茨海默症的一种或多种microRNA(miRNA)核酸生物标志物浓度;生物传感器制备方法包括:在衬底上沉积金属电极;在沉积电极的衬底上转移石墨烯并在特定位置刻蚀出沟道;将一端修饰的模板单链DNA,聚乙二醇和乙醇胺依次功能化到石墨烯沟道表面;模板单链DNA通过碱基互补配对,与目标miRNA标志物分子特异性结合。本发明的电子生物传感器可以同时快速检测临床样本中阿尔茨海默症一种或多种miRNA标志物,提高检测效率,可以广泛地应用于各类疾病生物标志物的浓度检测。
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