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公开(公告)号：CN115488515A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211139725.X
申请日：2022-09-19
Applicant: 复旦大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/70 , H01L21/461
Abstract: 本发明属于微电子工艺技术领域，具体为一种二维材料的刻蚀方法。本发明方法包括：硅/二氧化硅或蓝宝石等衬底上的单层或多层二维材料的制备、高光束质量的小功率激光聚焦进行图案化刻蚀。本发明利用激光刻蚀方法对二维材料进行图形化，相较于传统的光刻图形化方法，激光刻蚀图形化省略了光刻胶的涂胶、显影、去胶等步骤，避免了以上步骤对二维材料的沾污和破坏，并将图形化和刻蚀同时完成，在实现高精度图形化的同时有效保留了二维材料的本征电学性能。因此，本发明方法在尺寸不断微缩的二维材料先进工艺中有广阔的应用前景。
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