公开(公告)号：CN103681590A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310428929.X

申请日：2013-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦良 ,  曾裕仁 ,  黄昶嘉 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02141 ,  H01L2224/02145 ,  H01L2224/0215 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05114 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/35 ,  Y10T29/49144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种凸块结构的实施例，包括：形成在衬底上的接触元件；覆盖衬底的钝化层，钝化层具有露出接触元件的钝化开口；覆盖钝化层的聚酰亚胺层，聚酰亚胺层具有露出接触元件的聚酰亚胺开口；电连接至接触元件的凸块下金属化层（UBM）部件，凸块下金属化层部件具有UBM宽度；以及位于凸块下金属化层部件上的铜柱，铜柱的远端具有铜柱宽度，并且UMB宽度大于铜柱宽度。本发明还提供了一种形成凸块结构的方法。

公开(公告)号：CN105280599B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410829436.1

申请日：2014-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄昶嘉 ,  林宗澍 ,  谢政杰 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/488 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121

Abstract: 本发明提供了利用邻近接触焊盘的伪焊盘部件的器件及其制造方法。接触焊盘可以是集成的扇出封装件中的接触焊盘，在集成的扇出封装件中，模塑料沿着管芯的侧部放置并且接触焊盘在管芯和模塑料的上方延伸。接触焊盘使用一个或多个重分布层电连接至管芯。伪焊盘部件与接触焊盘电隔离。在一些实施例中，伪焊盘部件部分地环绕接触焊盘，并且位于模塑料的拐角区域中、管芯的中心区域中和/或管芯的边缘和模塑料之间的界面区域中。本发明涉及用于半导体器件的接触焊盘。

公开(公告)号：CN105762087B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201410800491.8

申请日：2014-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦良 ,  黄昶嘉 ,  郭庭豪 ,  吴胜郁 ,  陈承先

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供了用于将第一衬底附接至第二衬底的方法和装置。在一些实施例中，第一衬底具有位于管芯附接区周围的诸如焊料掩模的保护层，在管芯附接区中，第一衬底附接至第二衬底。遮挡区(例如，第二衬底和保护层之间的区域)是位于第二衬底周围的区域，其中，不形成或去除保护层。调整遮挡区的尺寸，从而使得足够的间隙存在于第二衬底和保护层之间以将底部填充物布置在第一衬底和第二衬底之间，同时减少或防止空隙，并且同时允许遮挡区中的迹线由底部填充物覆盖。本发明还涉及用于迹线上凸块芯片封装的方法和装置。

公开(公告)号：CN103681533B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201210489072.8

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡延章 ,  黄昶嘉 ,  萧景文 ,  陈承先

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005

Abstract: 本发明公开了一种含块体金属的扇出封装件。器件包括：聚合物；器件管芯，位于聚合物中；和多个组件通孔(TAV)，从聚合物的顶面延伸到聚合物的底面。块体金属部件位于聚合物中且其所具有的顶视图尺寸大于多个TAV中的每一个TAV的顶视图尺寸。块体金属部件是电浮动。聚合物、器件管芯、多个TAV和块体金属部件是封装件的部分。

公开(公告)号：CN103137585B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210190255.X

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗澍 ,  普翰屏 ,  郑明达 ,  黄昶嘉 ,  刘浩君

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/293 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了用于形成细间距铜凸块结构的机构。所描述的形成铜柱结构的机构使在平坦导电表面上形成铜柱结构成为可能。另外，铜柱结构由杨氏模量比聚酰亚胺更高(或更硬的材料)的模塑层支持。所形成的铜柱结构大大减小了钝化层碎裂和围绕铜柱结构的电介质界面处分层的风险。

公开(公告)号：CN108538729A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810576538.5

申请日：2013-09-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林彦良 ,  曾裕仁 ,  黄昶嘉 ,  郭庭豪 ,  陈承先

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供了一种凸块结构的实施例，包括：形成在衬底上的接触元件；覆盖衬底的钝化层，钝化层具有露出接触元件的钝化开口；覆盖钝化层的聚酰亚胺层，聚酰亚胺层具有露出接触元件的聚酰亚胺开口；电连接至接触元件的凸块下金属化层(UBM)部件，凸块下金属化层部件具有UBM宽度；以及位于凸块下金属化层部件上的铜柱，铜柱的远端具有铜柱宽度，并且UMB宽度大于铜柱宽度。本发明还提供了一种形成凸块结构的方法。

公开(公告)号：CN106098637A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510830657.5

申请日：2015-11-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗澍 ,  陈宪伟 ,  谢政杰 ,  黄昶嘉

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/52 ,  H01L23/36 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/043 ,  H01L25/074 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L23/52

Abstract: 一种示例性封装件包括第一扇出层、位于第一扇出层上方的扇出再分布层(RDL)以及位于扇出RDL上方的第二扇出层。第一扇出层包括一个或多个第一器件管芯以及沿着一个或多个第一器件管芯的侧壁延伸的第一模塑料。第二扇出层包括接合至扇出RDL的一个或多个第二器件管芯、接合至扇出RDL的伪管芯以及沿着一个或多个第二器件管芯和伪管芯的侧壁延伸的第二模塑料。扇出RDL将一个或多个第一器件管芯电连接至一个或多个第二器件管芯，并且伪管芯基本上没有任何有源器件。本发明的实施例还涉及具有伪管芯的扇出堆叠系统级封装(SIP)及其制造方法。

公开(公告)号：CN105280599A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201410829436.1

申请日：2014-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄昶嘉 ,  林宗澍 ,  谢政杰 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/488 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121

Abstract: 本发明提供了利用邻近接触焊盘的伪焊盘部件的器件及其制造方法。接触焊盘可以是集成的扇出封装件中的接触焊盘，在集成的扇出封装件中，模塑料沿着管芯的侧部放置并且接触焊盘在管芯和模塑料的上方延伸。接触焊盘使用一个或多个重分布层电连接至管芯。伪焊盘部件与接触焊盘电隔离。在一些实施例中，伪焊盘部件部分地环绕接触焊盘，并且位于模塑料的拐角区域中、管芯的中心区域中和/或管芯的边缘和模塑料之间的界面区域中。本发明涉及用于半导体器件的接触焊盘。

公开(公告)号：CN103681533A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210489072.8

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡延章 ,  黄昶嘉 ,  萧景文 ,  陈承先

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005

Abstract: 本发明公开了一种含块体金属的扇出封装件。器件包括：聚合物；器件管芯，位于聚合物中；和多个组件通孔(TAV)，从聚合物的顶面延伸到聚合物的底面。块体金属部件位于聚合物中且其所具有的顶视图尺寸大于多个TAV中的每一个TAV的顶视图尺寸。块体金属部件是电浮动。聚合物、器件管芯、多个TAV和块体金属部件是封装件的部分。

公开(公告)号：CN106098637B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201510830657.5

申请日：2015-11-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗澍 ,  陈宪伟 ,  谢政杰 ,  黄昶嘉

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/52 ,  H01L23/36 ,  H01L21/50

Abstract: 一种示例性封装件包括第一扇出层、位于第一扇出层上方的扇出再分布层(RDL)以及位于扇出RDL上方的第二扇出层。第一扇出层包括一个或多个第一器件管芯以及沿着一个或多个第一器件管芯的侧壁延伸的第一模塑料。第二扇出层包括接合至扇出RDL的一个或多个第二器件管芯、接合至扇出RDL的伪管芯以及沿着一个或多个第二器件管芯和伪管芯的侧壁延伸的第二模塑料。扇出RDL将一个或多个第一器件管芯电连接至一个或多个第二器件管芯，并且伪管芯基本上没有任何有源器件。本发明的实施例还涉及具有伪管芯的扇出堆叠系统级封装(SIP)及其制造方法。