公开(公告)号：CN115497898A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210073216.5

申请日：2022-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱强瑞 ,  萧景文 ,  刘浩君

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 一种集成电路具有角落区以及角落区之间的非角落区，且包括半导体衬底、导电垫、钝化层、后钝化层、第一导电柱以及第二导电柱。导电垫配置在半导体衬底上。钝化层以及后钝化层依序地配置在导电垫上。第一导电柱以及第二导电柱配置在后钝化层上且与导电垫电连接。第一导电柱配置在角落区中且第二导电柱配置在非角落区中。每一第一导电柱具有主体部以及与主体部连接的突出部。第一导电柱的主体部的中心轴与第一导电柱的突出部的中心轴有偏移。

公开(公告)号：CN103456704A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310199124.2

申请日：2013-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄曜群 ,  庄其达 ,  刘浩君 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供了一种用于防止钝化层中的裂纹的系统和方法。在一实施例中，接触焊盘具有第一直径并且穿过钝化层的开口具有第二直径，其中第一直径比第二直径大第一距离，该第一距离为约10μm。在另一实施例中，形成穿过开口的凸块下金属化层，该凸块下金属化层具有第三直径，第三直径比第一直径大第二距离，该第二距离为约5μm。在又一实施例中，第一距离和第二距离之和大于约15μm。本发明公开了连接件位点间隔的设计方案及得到的结构。

公开(公告)号：CN103137585A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210190255.X

申请日：2012-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗澍 ,  普翰屏 ,  郑明达 ,  黄昶嘉 ,  刘浩君

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/293 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了用于形成细间距铜凸块结构的机构。所描述的形成铜柱结构的机构使在平坦导电表面上形成铜柱结构成为可能。另外，铜柱结构由杨氏模量比聚酰亚胺更高(或更硬的材料)的模塑层支持。所形成的铜柱结构大大减小了钝化层碎裂和围绕铜柱结构的电介质界面处分层的风险。

公开(公告)号：CN115497899A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202111197717.6

申请日：2021-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许桀豪 ,  赖彦锟 ,  涂伟祥 ,  刘浩君 ,  张国钦 ,  李明机

IPC: H01L23/488

Abstract: 一种半导体组件，其包括半导体管芯、第一导电垫、第二导电垫、第一连接件结构和第二连接件结构。第一导电垫设置在半导体管芯上，其中第一导电垫具有第一侧向尺寸。第二导电垫设置在半导体管芯上，其中第二导电垫具有第二侧向尺寸。第一连接件结构设置在第一导电垫上，其中第一连接件结构具有大于第一侧向尺寸的第三侧向尺寸。第二连接件结构设置在第二导电垫上，其中第二连接件结构的第四侧向尺寸小于第二侧向尺寸。

公开(公告)号：CN103050462B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201210203260.X

申请日：2012-06-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘浩君 ,  庄其达 ,  郭正铮 ,  陈承先

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及的是一种结构的实施例。该结构包括衬底、芯片、以及强化部件。该衬底具有第一面，并且该第一面包括凹陷部。该芯片位于衬底的第一面上方并且与该第一面相接合。强化部件位于衬底的第一面的第一区域上方。该第一区域不位于芯片下方。强化部件的一部分设置在第一区域中的至少一些凹陷部中。本发明还提供了一种半导体器件封装件及方法。

公开(公告)号：CN103855115B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310163365.1

申请日：2013-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘浩君 ,  庄其达 ,  庄曜群 ,  曾明鸿 ,  陈承先

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/4821 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4842 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13601 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/0296 ,  H05K1/112 ,  Y10T29/49149 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种衬底焊盘结构，包括：第一焊盘，突出到封装衬底的顶面的上方，第一焊盘具有第一细长形状；第二焊盘，嵌入封装衬底，第二焊盘具有第二细长形状；以及通孔，连接在第一焊盘和第二焊盘之间。

公开(公告)号：CN102983106B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210011542.X

申请日：2012-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘浩君 ,  庄其达 ,  萧景文 ,  陈承先 ,  郭正铮 ,  陈志华

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/66 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种层叠封装结构和系统级封装结构的封装和功能测试。本发明提供一种方法，包括在夹具上放置多个底部单元，其中多个底部单元没有切割开并且形成集成组件。多个底部单元中的每个都包括封装基板和接合到该封装基板的管芯。将多个上部组件叠层放置在多个底部单元上，其中，焊球位于多个上层组件和多个底部单元之间。实施回流，从而通过焊球连接多个上部组件叠层和多个底部单元中的相应一个。

公开(公告)号：CN102983106A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210011542.X

申请日：2012-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘浩君 ,  庄其达 ,  萧景文 ,  陈承先 ,  郭正铮 ,  陈志华

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/66 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种层叠封装结构和系统级封装结构的封装和功能测试。本发明提供一种方法，包括在夹具上放置多个底部单元，其中多个底部单元没有切割开并且形成集成组件。多个底部单元中的每个都包括封装基板和接合到该封装基板的管芯。将多个上部组件叠层放置在多个底部单元上，其中，焊球位于多个上层组件和多个底部单元之间。实施回流，从而通过焊球连接多个上部组件叠层和多个底部单元中的相应一个。

公开(公告)号：CN113363160B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202110380558.7

申请日：2021-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  李梓光 ,  刘浩君 ,  蔡柏豪 ,  林志贤 ,  萧景文

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/485

Abstract: 方法包括形成包括第一开口的图案化掩模；在第一开口中形成导电部件；在导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；以及图案化钝化层以在钝化层中形成第二开口。钝化层包括面向第二开口的侧壁。在钝化层上分配平坦化层。图案化平坦化层以形成第三开口。在图案化平坦化层之后，平坦化层的一部分位于第二开口中并覆盖钝化层的侧壁。形成延伸至第三开口中的凸块下金属(UBM)。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN114464596A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110923202.3

申请日：2021-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨挺立 ,  蔡柏豪 ,  吴逸文 ,  杨胜斌 ,  刘浩君

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体器件包括衬底；位于衬底上方的互连结构；位于互连结构上方的第一钝化层；设置在第一钝化层上方并且电耦合至互连结构的导电部件的第一导电焊盘、第二导电焊盘和导线；位于第一导电焊盘、第二导电焊盘和导线的上表面和侧壁上方，并且沿着第一导电焊盘、第二导电焊盘和导线的上表面和侧壁延伸的共形的第二钝化层；分别位于第一导电焊盘和第二导电焊盘上方的第一导电凸块和第二导电凸块，其中，第一导电凸块和第二导电凸块延伸穿过共形的第二钝化层并且分别电耦合至第一导电焊盘和第二导电焊盘；以及位于导线上方的伪凸块，其中，伪凸块通过共形的第二钝化层与导线间隔开。本发明的实施例还涉及另一种半导体器件以及以及形成半导体器件的方法。