公开(公告)号：CN113363160B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202110380558.7

申请日：2021-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  李梓光 ,  刘浩君 ,  蔡柏豪 ,  林志贤 ,  萧景文

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/485

Abstract: 方法包括形成包括第一开口的图案化掩模；在第一开口中形成导电部件；在导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；以及图案化钝化层以在钝化层中形成第二开口。钝化层包括面向第二开口的侧壁。在钝化层上分配平坦化层。图案化平坦化层以形成第三开口。在图案化平坦化层之后，平坦化层的一部分位于第二开口中并覆盖钝化层的侧壁。形成延伸至第三开口中的凸块下金属(UBM)。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN115565991A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210919837.0

申请日：2022-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许鸿生 ,  郑明达 ,  萧景文 ,  庄曜群 ,  苏昱泽 ,  陈承先

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L23/31

Abstract: 一种有机中介层包括：嵌入有重分布内连线结构的内连线级介电材料层；位于内连线级介电材料层的第一侧的封装侧凸块结构；至少一个介电覆盖层，位于内连线级介电材料层的第二侧；接合级介电层，位于至少一个介电覆盖层上；金属垫结构，包括嵌入在至少一个介电覆盖层中的垫通孔部分以及嵌入在接合级介电层中的垫板部分；以及边缘密封环结构，从包括封装侧凸块结构的接合表面的第一水平面垂直延伸到包括金属垫结构的远侧平面的第二水平面。边缘密封环结构可包括不具有铝的金属环结构的垂直堆叠且横向围绕封装侧凸块结构和重分布内连线结构。本公开还涉及扇出晶圆级封装体及半导体封装体的制造方法。

公开(公告)号：CN114512465A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210001810.3

申请日：2022-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨挺立 ,  蔡柏豪 ,  萧景文 ,  许鸿生 ,  苏昱泽

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供一种芯片结构。芯片结构包含基板。芯片结构包含导电线，导电线位于基板的上方。芯片结构包含第一钝化层，第一钝化层位于基板与导电线的上方。芯片结构包含导电垫，导电垫位于第一钝化层的上方并覆盖导电线。导电垫比导电线更厚且更宽。芯片结构包含第一导电贯孔结构与第二导电贯孔结构，第一导电贯孔结构与第二导电贯孔结构穿过第一钝化层并直接连接于导电垫与导电线之间。芯片结构包含导电柱，导电柱位于导电垫的上方。

公开(公告)号：CN114220786A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111305467.3

申请日：2021-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蒋伟韩 ,  郑明达 ,  郑敬禾 ,  张纬森 ,  许鸿生 ,  萧景文 ,  陈俊宏

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及半导体结构、有机中介层及其形成方法。该有机中介层包括互连级介电材料层、至少一介电覆盖层、接合级介电层以及双层电感结构。互连级介电材料层内埋重分布互连结构。所述至少一介电覆盖层覆于最顶层互连级介电材料层之上。接合级介电层覆盖于所述至少一介电覆盖层之上。双层电感结构可包括下导电线圈、导电通孔结构以及上导电线圈。下导电线圈内埋于最顶层互连级介电材料层内。导电通孔结构垂直地延伸通过所述至少一介电覆盖层。上导电线圈内埋于接合级介电层内，并包括铜。

公开(公告)号：CN113363160A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110380558.7

申请日：2021-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  李梓光 ,  刘浩君 ,  蔡柏豪 ,  林志贤 ,  萧景文

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/485

Abstract: 方法包括形成包括第一开口的图案化掩模；在第一开口中形成导电部件；在导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；以及图案化钝化层以在钝化层中形成第二开口。钝化层包括面向第二开口的侧壁。在钝化层上分配平坦化层。图案化平坦化层以形成第三开口。在图案化平坦化层之后，平坦化层的一部分位于第二开口中并覆盖钝化层的侧壁。形成延伸至第三开口中的凸块下金属(UBM)。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN112447648A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010868009.X

申请日：2020-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱强瑞 ,  萧景文 ,  刘浩君 ,  郑明达 ,  吴永华 ,  张道生

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/603

Abstract: 提供了电装置、半导体封装及其形成方法。本发明实施例的一种电装置包括衬底、导电接垫、导电柱以及焊料区。所述衬底具有表面。所述导电接垫设置在所述衬底的所述表面上。所述导电柱设置在所述导电接垫上并电连接到所述导电接垫，其中所述导电柱的顶表面相对于所述衬底的所述表面倾斜。所述焊料区设置在所述导电柱的所述顶表面上。

公开(公告)号：CN104617043B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201510029812.3

申请日：2007-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 普翰屏 ,  楼百尧 ,  王宗鼎 ,  萧景文 ,  卿恺明 ,  郭正铮 ,  邱文智 ,  鲁定中 ,  侯上勇

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及一种元件的制造方法。提供基底，包括多个芯片，芯片间是以切割线区域分隔，其中基底上至少形成一结构层。以黄光光刻和蚀刻工艺移除切割线区域中的部分结构层，形成多个开口。沿着切割线区域切割基底。在另一个实施例中，提供第一基底，其中第一基底上至少形成第一结构层。图形化第一结构层，于第一切割线区域中形成多个第一开口。提供第二基底，其中第二基底上至少形成第二结构层。图形化第二结构层，于第二切割线区域中形成多个第二开口。接合第一基底和第二基底，形成堆叠结构。沿着第一切割线区域和第二切割线区域切割堆叠结构。本发明提出的半导体元件的制造方法可减少切割工艺产生的剥离、崩缺或脱层等问题，改善生产合格率。

公开(公告)号：CN104051287B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201310467504.X

申请日：2013-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  胡延章 ,  萧景文 ,  李明机 ,  刘重希 ,  黄见翎 ,  林志伟 ,  陈承先

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L24/96 ,  H01L21/568 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种方法包括在管芯的顶面上方形成牺牲膜层，该管芯在顶面具有接触焊盘。将管芯接合到载具，且模塑料形成在管芯和牺牲膜层上方。模塑料沿着管芯的侧壁延伸。露出牺牲膜层。通过去除牺牲膜层的至少一部分露出接触焊盘。第一聚合物层形成在管芯上方，且重分布层（RDL）形成在管芯上方且电连接至接触焊盘。本发明还公开了扇出互连结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN103681533B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201210489072.8

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡延章 ,  黄昶嘉 ,  萧景文 ,  陈承先

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005

Abstract: 本发明公开了一种含块体金属的扇出封装件。器件包括：聚合物；器件管芯，位于聚合物中；和多个组件通孔(TAV)，从聚合物的顶面延伸到聚合物的底面。块体金属部件位于聚合物中且其所具有的顶视图尺寸大于多个TAV中的每一个TAV的顶视图尺寸。块体金属部件是电浮动。聚合物、器件管芯、多个TAV和块体金属部件是封装件的部分。

公开(公告)号：CN102867800B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210199485.2

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡佩君 ,  吴胜郁 ,  萧景文 ,  郭庭豪 ,  陈承先 ,  刘重希 ,  李建勋 ,  李明机

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/28 ,  H01L25/16 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 本发明公开一种层叠封装件(PoP)，其包括：基板，具有多条基板迹线；第一功能芯片，在基板的顶部上，通过多个迹线上接合连接件连接至基板；以及第二功能芯片，在第一功能芯片的顶部上，直接连接至基板。另一层叠封装件(PoP)包括：基板，具有多条基板迹线；第一功能芯片，在基板的顶部上，通过形成在连接至焊料块的SMD接合焊盘上的多个焊接掩模限定(SMD)连接件连接至基板；以及第二功能芯片，在第一功能芯片的顶部上，通过多个迹线上接合连接件直接连接至基板。