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公开(公告)号：CN112420925B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202010546221.4
申请日：2020-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例涉及包括底部电极和介电结构的装置。介电结构包括位于底部电极上的第一介电层，并且第一介电层具有第一厚度。该装置还包括位于第一介电层上的阻挡层和位于阻挡层上的第二介电层。第二介电层具有小于第一厚度的第二厚度。该装置还包括位于介电结构上方的顶部电极。本发明的实施例还涉及半导体装置、电容器结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113224091A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110080169.2
申请日：2021-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种影像感测装置以及其制造方法。该方法包含在一基板上形成多个感光像素；在该基板上，沉积一介电质层；蚀刻该介电质层，在该介电质层中造成一第一凹槽，该第一凹槽横向地环绕这些感光像素；在该第一凹槽中，形成一挡光结构，而使该挡光结构横向地环绕这些感光像素。
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公开(公告)号：CN112420925A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010546221.4
申请日：2020-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明的实施例涉及包括底部电极和介电结构的装置。介电结构包括位于底部电极上的第一介电层，并且第一介电层具有第一厚度。该装置还包括位于第一介电层上的阻挡层和位于阻挡层上的第二介电层。第二介电层具有小于第一厚度的第二厚度。该装置还包括位于介电结构上方的顶部电极。本发明的实施例还涉及半导体装置、电容器结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN104253099A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201310485244.9
申请日：2013-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L24/05 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种包括设置在衬底上的光感测区的半导体器件，该半导体器件包括具有位于焊盘元件下方的一个或多个图案化的层的接合结构。焊盘元件可连接至光感测区并且可形成在设置在衬底上的第一金属层中。器件的第二金属层具有第一接合区，第一接合区是位于焊盘元件下方的第二金属层的区域。第二金属层的第一接合区包括被介电质介入的多个导线的图案。通孔连接焊盘元件和第二金属层。本发明还提供了一种制造接合结构的方法。
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公开(公告)号：CN104253099B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201310485244.9
申请日：2013-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L24/05 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种包括设置在衬底上的光感测区的半导体器件，该半导体器件包括具有位于焊盘元件下方的一个或多个图案化的层的接合结构。焊盘元件可连接至光感测区并且可形成在设置在衬底上的第一金属层中。器件的第二金属层具有第一接合区，第一接合区是位于焊盘元件下方的第二金属层的区域。第二金属层的第一接合区包括被介电质介入的多个导线的图案。通孔连接焊盘元件和第二金属层。本发明还提供了一种制造接合结构的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104377183B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410341703.0
申请日：2014-07-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/5226 , G06F17/5077 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76897 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/5329 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/03616 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05022 , H01L2224/05085 , H01L2224/05092 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/16145 , H01L2224/29006 , H01L2224/29186 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，包括第一层、第二层和通孔，其中，第一层包括多个第一层金属焊盘；第二层形成在第一层的顶部上，该第二层包括多个第二层金属焊盘；并且通孔将第一层金属焊盘连接至第二层金属焊盘。第一层金属焊盘和第二层金属焊盘之间的表面区域重叠低于规定的阈值。本发明涉及用于多层金属布局的金属焊盘偏移。
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公开(公告)号：CN116779629A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310992054.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 半导体结构包括传感器晶圆，该传感器晶圆包括位于衬底上和衬底内的多个传感器芯片。多个传感器芯片中的每个包括像素阵列区域、接合焊盘区域和外围区域。相邻的外围区域之间设置划线，并且划线位于多个传感器芯片的相邻的传感器芯片之间。多个传感器芯片中的每个还包括嵌入衬底中的应力释放沟槽结构，其中应力释放沟槽结构位于外围区域中，并且应力释放沟槽结构完全围绕多个传感器芯片的相应传感器芯片的像素阵列区域和接合焊盘区域的外周。本发明的实施例涉及半导体结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN113140581A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110052251.4
申请日：2021-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构在基材中包含第一元件。半导体结构包含间隙填充层。间隙填充层的第一部分覆盖第一元件。间隙填充层的第一部分具有锥形侧壁。基材的第一部分将间隙填充层的第一部分与第一元件分开。
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公开(公告)号：CN113314554B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110214299.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的实施例公开了一种具有应力调整层的图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括具有前侧表面和与前侧表面相反的背侧表面的衬底、设置在衬底的背侧表面上的抗反射涂层(ARC)、设置在ARC层上的介电层、设置在介电层上的金属层以及设置在金属层上的应力调整层。应力调整层包括富硅氧化物层。应力调整层中的硅和氧原子的浓度分布不重叠并且彼此不同。图像传感器还包括设置在应力调整层上的氧化物栅格结构。本申请的实施例还提供了一种半导体器件。
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