公开(公告)号：CN112420925B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202010546221.4

申请日：2020-06-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈伟庭 ,  蔡宗翰 ,  庄坤苍 ,  王柏仁 ,  陈英豪 ,  黄坚诚

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64

Abstract: 本发明的实施例涉及包括底部电极和介电结构的装置。介电结构包括位于底部电极上的第一介电层，并且第一介电层具有第一厚度。该装置还包括位于第一介电层上的阻挡层和位于阻挡层上的第二介电层。第二介电层具有小于第一厚度的第二厚度。该装置还包括位于介电结构上方的顶部电极。本发明的实施例还涉及半导体装置、电容器结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN112420925A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010546221.4

申请日：2020-06-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈伟庭 ,  蔡宗翰 ,  庄坤苍 ,  王柏仁 ,  陈英豪 ,  黄坚诚

IPC: H01L49/02

Abstract: 本发明的实施例涉及包括底部电极和介电结构的装置。介电结构包括位于底部电极上的第一介电层，并且第一介电层具有第一厚度。该装置还包括位于第一介电层上的阻挡层和位于阻挡层上的第二介电层。第二介电层具有小于第一厚度的第二厚度。该装置还包括位于介电结构上方的顶部电极。本发明的实施例还涉及半导体装置、电容器结构及其形成方法。