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公开(公告)号：CN115528051A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210439162.X
申请日：2022-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种像素阵列及其形成方法，在一些实施中，一种像素阵列可包括用于像素阵列的可见光像素感测器的一近红外截止滤光层。近红外截止滤光层包括于像素阵列中，以吸收或反射近红外光以使这些可见光像素感测器减少由这些可见光像素感测器吸收的近红外光的量。此提高由这些可见光像素感测器提供的颜色信息的准确性，颜色信息可用于产生更准确的影像。在一些实施中，这些可见光像素感测器及/或近红外像素感测器可包括高吸收区以调整这些可见光像素感测器及/或这些近红外像素感测器的折射角的定向，此可增大这些可见光像素感测器及/或这些近红外像素感测器的量子效率。
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公开(公告)号：CN114695402A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110482590.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本揭露提出一种影像感测器装置与其形成方法，影像感测器装置包括半导体层，其具有第一表面与第二表面，第一表面相对于第二表面。此装置包括设置在第一表面上的导电结构，并且在导电结构和第一表面之间设置有介电层。此装置包括第一介电层，设置于半导体基板的第二表面之上。此装置包括第二介电层，设置于第一介电层之上。此装置包括彩色滤光层，设置于第二介电层之上。在一些实施例中，第一介电层的厚度、折射率或这两者和第二介电层的厚度、折射率或这两者是共同地决定，导致入射辐射穿过第一介电层和第二介电层，并在像素上具有破坏性干涉。
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公开(公告)号：CN113921544A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110182034.7
申请日：2021-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种像素阵列及其形成方法，像素阵列包含八边形像素感测器及正方形像素感测器。八边形像素感测器可与正方形像素感测器穿插在像素阵列中，以增加像素阵列中的空间利用且允许像素阵列中的像素感测器不同地设定大小。此外，像素阵列可包含以下的组合：红色、绿色及蓝色像素感测器，以自入射光获得颜色信息；黄色像素感测器，用于像素阵列的蓝色及绿色增强及校正；近红外(NIR)像素感测器，以提高像素阵列的轮廓清晰度及低光表现；及/或白色像素感测器，以提高像素阵列的光敏度及亮度。配置不同大小及类型的像素感测器的能力容许像素阵列形成及/或配置以满足各种表现参数。
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公开(公告)号：CN113314554B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110214299.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请的实施例公开了一种具有应力调整层的图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括具有前侧表面和与前侧表面相反的背侧表面的衬底、设置在衬底的背侧表面上的抗反射涂层(ARC)、设置在ARC层上的介电层、设置在介电层上的金属层以及设置在金属层上的应力调整层。应力调整层包括富硅氧化物层。应力调整层中的硅和氧原子的浓度分布不重叠并且彼此不同。图像传感器还包括设置在应力调整层上的氧化物栅格结构。本申请的实施例还提供了一种半导体器件。
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公开(公告)号：CN114678386A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110510307.6
申请日：2021-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种影像感测器，包括一阵列的多个影像像素和多个黑色电平校正像素。每个黑色电平校正像素包括：黑色电平校正像素光电检测器、黑色电平校正像素感测电路、以及黑色电平校正像素光学器件组合件其配置为阻挡照射到黑色电平校正像素光电检测器的光。每个黑色电平校正像素光学器件组合件可包括层堆叠的第一部分其包括具有第一折射指数的第一材料层和具有第二折射指数的第二材料层的垂直交替的序列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113471082A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110172516.4
申请日：2021-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种形成半导体结构的方法以及形成接合半导体晶片的方法，可通过执行第一预接合边缘修剪制程来对第一晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。提供要与第一晶圆接合的第二晶圆。可选地，可通过执行第二预接合边缘修剪制程来对第二晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。第一晶圆的前表面接合至第二晶圆的前表面以形成接合组件。通过执行至少一个晶圆减薄制程来减薄第一晶圆的背侧。可通过执行接合后边缘修剪制程，来对第一晶圆及第二晶圆的前侧周围区域进行边缘修剪。接合组件可随后被切块成接合的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN113053929B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202010935575.8
申请日：2020-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 一种半导体结构、影像感测器和半导体结构的形成方法，半导体结构包括光电二极管，其中光电二极管包括具有第一导电类型掺杂的基板半导体层、与基板半导体层形成p‑n接面的第二导电类型光电二极管层、与第二导电类型光电二极管层侧向分隔的浮动扩散区域，以及传送栅极电极。传送栅极电极包括形成在基板半导体层中的传送栅极电极下部，且传送栅极电极下部位于第二导电类型光电二极管层和浮动扩散区域之间。传送栅极电极可侧向环绕p‑n接面，并提供增强的电子传输效率从p‑n接面到浮动扩散区域。光电二极管阵列可用于影像感测器中。
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公开(公告)号：CN116799020A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310556837.3
申请日：2023-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/142 , H01L21/18
Abstract: 本申请公开了太阳能电池和图像传感器的集成。本公开提供了一种具有太阳能电池和图像传感器阵列的集成电路(IC)结构。根据本公开的集成电路结构包括：第一衬底，包括多个光电二极管；互连结构，设置在第一衬底上；第一接合层，设置在互连结构上；第二接合层，设置在第一接合层上；第二衬底，设置在第二接合层上；以及透明导电氧化物层，设置在第二衬底上。
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公开(公告)号：CN113206115A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110143613.0
申请日：2021-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种操作装置的方法、半导体结构以及影像感测器，装置包括光电侦测器电路，此光电侦测器电路包括光电侦测器及感测电路，此光电侦测器及感测电路位于具有第一导电类型的掺杂的基板半导体层上方。光电侦测器包括：第二导电类型的钉扎光电二极管层，其与基板半导体层形成p‑n接面；至少一个浮动扩散区域，此浮动扩散区域与第二导电类型的钉扎光电二极管层的周边横向地间隔开；以及至少一个转移栅极。可通过将至少两个不同脉冲图案施加到至少一个转移栅极来执行至少两个不同操作。至少两个不同脉冲图案相互或彼此在以下至少一项上不同：脉冲持续时间、脉冲幅度以及施加到感测电路的控制信号与至少一个转移栅极的相应一者处的脉冲启动之间的延迟时间。
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