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公开(公告)号：CN117423712A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311225332.5
申请日：2023-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种CMOS影像感测器包括在平面图中分布于一影像像素阵列中的多个PDAF像素。每一PDAF像素包括m×m个格化光电二极管、上覆格化光电二极管且由一第一隔离结构侧向包围的一PDAF彩色滤光片以及上覆PDAF彩色滤光片的一PDAF微型透镜。PDAF彩色滤光片的一中心与格化光电二极管的一中心之间的一第一水平距离依据CMOS影像感测器中PDAF像素在平面图中的一方位发生变化。第一隔离结构包括第一低n介电质栅格、第二低n介电质栅格及金属栅格。第二低n介电质栅格包括不同于第二低n介电质栅格材料的一填料介电材料。因此，CMOS影像感测器的量子效率及均匀性得以改良。
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公开(公告)号：CN114927482A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210127822.0
申请日：2022-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含第一晶圆及第二晶圆。半导体装置包含密封环结构，其包含在第一晶圆的主体内的第一金属结构、在第一晶圆的主体内的第二金属结构、在第二晶圆的主体内的第三金属结构及金属接合结构。金属接合结构包括透过第一晶圆及第二晶圆之间的界面连接第一金属结构及第三金属结构的第一金属元件组，以及透过第一晶圆及第二晶圆之间的界面连接第二金属结构及第三金属结构的第二金属元件组。
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公开(公告)号：CN114784028A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210186122.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种像素感测器、以及制造此半导体结构的方法、和半导体结构。本文所描述的实施减少了由于在像素感测器中的硅悬键而产生的电子‑空穴对。在一些实施中，在其他的实施例中，在像素感测器中的硅悬键可经由在像素感测器的各个部分中的硅‑氟键合来钝化，像素感测器的各个部分例如传输栅极接触导孔或浅沟槽隔离区域。形成硅‑氟键经由氟布植和/或另一种类型的半导体制程操作。在一些实施中，作为使用氟的清洁操作的部分，形成多个硅‑氟键，使得氟可与像素感测器的硅键合。附加地或替代地，硅‑氟键形成为掺杂操作的部分，其中硼和/或另一种p型掺杂元素与氟一起使用，使得氟可与像素感测器的硅键合。
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公开(公告)号：CN110943099B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201910903981.3
申请日：2019-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 图像传感器器件具有设置在衬底中的第一数量的第一像素和设置在衬底中的第二数量的第二像素。第一数量基本上等于第二数量。光阻挡结构设置在第一像素和第二像素上方。光阻挡结构限定多个第一开口和第二开口，光可以穿过第一开口和第二开口。第一开口设置在第一像素上方。第二开口设置在第二像素上方。第二开口小于第一开口。微控制器配置为在不同的时间点导通不同的第二像素。本发明的实施例还涉及图像传感器器件的操作方法。
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公开(公告)号：CN109786406A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810920751.3
申请日：2018-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及可以用于在背侧照明图像传感器器件上形成光阻挡材料层的方法。光阻挡材料层可以阻挡或吸收以掠入角进入背侧照明图像传感器器件的光线。可以使用不需要使用光刻掩模或光刻操作的自对准工艺来形成光阻挡材料层。例如，光阻挡材料层可以形成在图像传感器器件上方并且随后被蚀刻，使得光阻挡材料层保持在以掠入角入射的光线进入背侧照明图像传感器器件的区域中。本发明的实施例还涉及用于图像传感器器件的光阻挡层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105023928B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201410311837.8
申请日：2014-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种半导体图像传感器，包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的衬底。互连结构设置在衬底的第一侧上方。多个辐射感测区位于衬底中。辐射感测区被配置为感测从第二侧处进入衬底的辐射。辐射感测区通过多个间隙间隔开。多个辐射阻挡结构设置在衬底的第二侧上方。每个辐射阻挡结构都与相应的间隙对准。多个滤色器设置在辐射阻挡结构之间。本发明还提供了一种形成半导体图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN106531750A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510979967.3
申请日：2015-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L27/14625 , H01L27/14683
Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体器件，包括衬底、器件层、抗反射涂层、反射结构、复合栅格结构、钝化层和滤光镜。器件层设置在衬底上，其中沟槽形成在器件层和衬底中。抗反射涂层共形地覆盖器件层、衬底和沟槽。反射结构分别设置在沟槽中的抗反射涂层上。复合栅格结构位于在抗反射涂层和反射结构上方。复合栅格结构包括穿过复合栅格结构的空腔，并且复合栅格结构包括顺序堆叠在反射结构上的金属栅格层和介电栅格层。钝化层共形地覆盖复合栅格结构。滤光镜分别填充空腔。本发明提供了一种具有串扰改善的CMOS图像传感器结构。
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公开(公告)号：CN106057834A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510674161.3
申请日：2015-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及具有设置在金属栅格的侧壁之间的滤色器的BSI图像传感器和形成方法。在一些实施例中，BSI图像传感器具有位于半导体衬底内的像素传感器，和位于像素传感器上面的介电材料层。金属栅格通过介电材料层与半导体衬底分隔开，以及堆叠栅格布置在金属栅格上方。堆叠栅格邻接开口，开口从堆叠栅格的上表面垂直延伸至横向布置在金属栅格的侧壁之间的位置。滤色器可以布置在开口内。通过使滤色器在金属栅格的侧壁之间垂直地延伸，滤色器和像素传感器之间的距离可以较小，从而提高BSI图像传感器的性能。本发明的实施例还涉及被堆叠栅极结构深埋的滤色器阵列。
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公开(公告)号：CN117457695A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311571219.2
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例提供了一种图像传感器，包括光敏传感器、浮置扩散节点、复位晶体管和源极跟随器晶体管。复位晶体管包括耦合至浮置扩散节点的第一源极/漏极和耦合至第一电压源的第二源极/漏极。源极跟随器晶体管包括耦合至浮置扩散节点的栅极和耦合至复位晶体管的第二源极/漏极的第一源极/漏极。第一细长接触件接触复位晶体管的第二源极/漏极和源极跟随器晶体管的第一源极/漏极。第一细长接触件在水平截面中具有第一尺寸，并且在所述水平截面中具有第二尺寸。第二尺寸垂直于第一尺寸，并且第二尺寸小于第一尺寸。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN116779629A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310992054.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 半导体结构包括传感器晶圆，该传感器晶圆包括位于衬底上和衬底内的多个传感器芯片。多个传感器芯片中的每个包括像素阵列区域、接合焊盘区域和外围区域。相邻的外围区域之间设置划线，并且划线位于多个传感器芯片的相邻的传感器芯片之间。多个传感器芯片中的每个还包括嵌入衬底中的应力释放沟槽结构，其中应力释放沟槽结构位于外围区域中，并且应力释放沟槽结构完全围绕多个传感器芯片的相应传感器芯片的像素阵列区域和接合焊盘区域的外周。本发明的实施例涉及半导体结构的形成方法。
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