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公开(公告)号：CN114927482A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210127822.0
申请日：2022-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含第一晶圆及第二晶圆。半导体装置包含密封环结构，其包含在第一晶圆的主体内的第一金属结构、在第一晶圆的主体内的第二金属结构、在第二晶圆的主体内的第三金属结构及金属接合结构。金属接合结构包括透过第一晶圆及第二晶圆之间的界面连接第一金属结构及第三金属结构的第一金属元件组，以及透过第一晶圆及第二晶圆之间的界面连接第二金属结构及第三金属结构的第二金属元件组。
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公开(公告)号：CN114783955A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210216819.6
申请日：2022-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L21/78 , H01L25/065
Abstract: 一种半导体装置及其形成方法，半导体装置包括第一晶圆，其包括在第一晶圆的主体内的密封环结构的第一部分。半导体装置包括第二晶圆，其包括在第二晶圆的主体内的密封环结构的第二部分。第二晶圆粘贴至第一晶圆以使得密封环结构的第二部分在密封环结构的第一部分上。半导体装置包括沟槽结构，其包括在第一晶圆中的第一沟槽及在第二晶圆中的第二沟槽，其中第一沟槽及第二沟槽在密封环结构的同一侧上。
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公开(公告)号：CN106549029B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201610670908.2
申请日：2016-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种制造图像传感器器件中的多晶硅栅极结构的方法，包括在衬底的表面上沉积栅极介电层。然后在栅极介电层上方沉积多晶硅层。接下来，在多晶硅层上方沉积保护膜。在保护膜上方形成硬掩模，并图案化多晶硅栅极结构。此后，剥离硬掩模。保护膜显示对多晶硅层的蚀刻选择性并具有40和60埃之间的厚度。通过磷酸溶液湿蚀刻工艺去除硬掩模。本发明实施例涉及形成图像传感器器件中的多晶硅栅极结构的方法。
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公开(公告)号：CN113078177A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110201416.X
申请日：2021-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , G01R29/08
Abstract: 本发明的实施例提供了一种IC结构，包括：具有第一掺杂类型以及包括上表面的衬底区域；在该衬底区域内的第一和第二区域，第一和第二区域中的每一个均具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；以及栅极导体，包括在垂直于上表面的平面的方向上延伸到衬底区域中的多个导电突起部。导电突起部彼此电连接，并且每个导电突起部的至少一部分位于第一与第二区域之间。本发明的实施例还提供了一种检测电磁辐射的方法。
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公开(公告)号：CN117457695A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311571219.2
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例提供了一种图像传感器，包括光敏传感器、浮置扩散节点、复位晶体管和源极跟随器晶体管。复位晶体管包括耦合至浮置扩散节点的第一源极/漏极和耦合至第一电压源的第二源极/漏极。源极跟随器晶体管包括耦合至浮置扩散节点的栅极和耦合至复位晶体管的第二源极/漏极的第一源极/漏极。第一细长接触件接触复位晶体管的第二源极/漏极和源极跟随器晶体管的第一源极/漏极。第一细长接触件在水平截面中具有第一尺寸，并且在所述水平截面中具有第二尺寸。第二尺寸垂直于第一尺寸，并且第二尺寸小于第一尺寸。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116779629A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310992054.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 半导体结构包括传感器晶圆，该传感器晶圆包括位于衬底上和衬底内的多个传感器芯片。多个传感器芯片中的每个包括像素阵列区域、接合焊盘区域和外围区域。相邻的外围区域之间设置划线，并且划线位于多个传感器芯片的相邻的传感器芯片之间。多个传感器芯片中的每个还包括嵌入衬底中的应力释放沟槽结构，其中应力释放沟槽结构位于外围区域中，并且应力释放沟槽结构完全围绕多个传感器芯片的相应传感器芯片的像素阵列区域和接合焊盘区域的外周。本发明的实施例涉及半导体结构的形成方法。
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公开(公告)号：CN111261646A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911203263.1
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器包括光敏传感器、浮置扩散节点、复位晶体管和源极跟随器晶体管。复位晶体管包括耦合至浮置扩散节点的第一源极/漏极和耦合至第一电压源的第二源极/漏极。源极跟随器晶体管包括耦合至浮置扩散节点的栅极和耦合至复位晶体管的第二源极/漏极的第一源极/漏极。第一细长接触件接触复位晶体管的第二源极/漏极和源极跟随器晶体管的第一源极/漏极。第一细长接触件在水平截面中具有第一尺寸，并且在所述水平截面中具有第二尺寸。第二尺寸垂直于第一尺寸，并且第二尺寸小于第一尺寸。本发明的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113078177B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202110201416.X
申请日：2021-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , G01R29/08
Abstract: 本发明的实施例提供了一种IC结构，包括：具有第一掺杂类型以及包括上表面的衬底区域；在该衬底区域内的第一和第二区域，第一和第二区域中的每一个均具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；以及栅极导体，包括在垂直于上表面的平面的方向上延伸到衬底区域中的多个导电突起部。导电突起部彼此电连接，并且每个导电突起部的至少一部分位于第一与第二区域之间。本发明的实施例还提供了一种检测电磁辐射的方法。
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公开(公告)号：CN117012793A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310530997.0
申请日：2023-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及CMOS图像传感器。一种图像传感器，包括：衬底，具有彼此相反的第一表面和第二表面；图像像素区域；以及黑色电平校准(BLC)区域，邻近图像像素区域。BLC区域包括：暗电流感测电路，包括设置在衬底中的光电二极管；第一密封环，设置在第二表面之上并在平面视图中围绕图像像素区域；第二密封环，设置在第二表面之上并在平面视图中围绕图像像素区域，使得暗电流感测电路设置在第一密封环和第二密封环之间；不透明覆盖，设置在第一表面之上并覆盖暗电流感测电路、第一密封环和第二密封环；以及一个或多个第一沟槽隔离结构，从第一表面延伸到衬底的内部，并设置在第一密封环和不透明覆盖之间。
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公开(公告)号：CN111129046A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911054417.5
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 半导体结构包括传感器晶圆，该传感器晶圆包括位于衬底上和衬底内的多个传感器芯片。多个传感器芯片中的每个包括像素阵列区域、接合焊盘区域和外围区域。相邻的外围区域之间设置划线，并且划线位于多个传感器芯片的相邻的传感器芯片之间。多个传感器芯片中的每个还包括嵌入衬底中的应力释放沟槽结构，其中应力释放沟槽结构位于外围区域中，并且应力释放沟槽结构完全围绕多个传感器芯片的相应传感器芯片的像素阵列区域和接合焊盘区域的外周。本发明的实施例涉及半导体结构的形成方法。
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