公开(公告)号：CN106486464A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610603053.1

申请日：2016-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张守仁 ,  吕俊麟 ,  吴凯强 ,  杨青峰 ,  陈颉彦 ,  王垂堂 ,  王彦评 ,  陈宪伟 ,  林韦廷

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/486 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/76895

Abstract: 本发明的实施例提供了一种包括半导体管芯的半导体器件。介电材料围绕半导体管芯以形成集成半导体封装件。存在耦合至集成半导体封装件并且配置为用于该半导体封装件的接地端子的接触件。该半导体器件还具有基本封闭集成半导体封装件的EMI(电磁干扰)屏蔽罩，其中，该EMI屏蔽罩通过设置在集成半导体封装件中的路径耦合于该接触件。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103794568A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310071559.9

申请日：2013-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁世纬 ,  吕俊麟 ,  吴凯强 ,  杨青峰 ,  刘明凯 ,  缪佳君 ,  王彦评

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种集成电路，包括在顶面上方具有至少一个凹陷的衬底。至少一个焊料凸块设置在衬底上方。管芯设置在至少一个焊料凸块上方并通过至少一个焊料凸块与衬底电连接。底部填充物环绕至少一个焊料凸块并形成在衬底和管芯之间。至少一个凹陷设置在底部填充物周围以使来自底部填充物的任意溢出物保留在至少一个凹陷中。本发明还提供了集成电路底部填充方案。

公开(公告)号：CN112992824A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011421587.5

申请日：2020-12-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王彦评 ,  吕俊麟 ,  普翰屏 ,  吴凯强 ,  徐忠意

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L25/16 ,  H01L21/98 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/52

Abstract: 本揭露提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：多个平板天线，被第一包封体包封；器件管芯，在垂直方向上与多个平板天线间隔开且电耦合到多个平板天线；以及至少一个重布线结构，设置在多个平板天线与器件管芯之间，且包括在侧向上环绕多个平板天线中的每一者的电磁带隙(EBG)结构。

公开(公告)号：CN113053758A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011549892.2

申请日：2020-12-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建勋 ,  余振华 ,  吴俊毅 ,  吴凯强 ,  梁裕民 ,  王彦评

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明实施例公开内连线器件、封装半导体器件及其制造方法，其涉及将局部硅内连线(LSI)器件和衬底穿孔(TSV)嵌入到具有紧凑封装结构的集成衬底上系统(SoIS)技术中。局部硅内连线器件可运用衬底穿孔集成嵌入到集成衬底上系统技术中，从而为集成衬底上系统器件中的衬底技术的超大集成扇出(InFO)提供管芯到管芯精细线连接布置。此外，可使用光刻或光刻胶限定的通孔来形成衬底穿孔连接层，以向球栅阵列封装(BGA)连接接口提供嵌入式局部硅内连线电源和接地输出。

公开(公告)号：CN107689351A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201610999383.7

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王垂堂 ,  吴凱强 ,  陈颉彦 ,  王彦评 ,  张守仁

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/03 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L25/16

Abstract: 一种封装结构，包含封装、至少一第一模制材料与至少一第二半导体元件。封装包含至少一第一半导体元件于其中，封装具有顶表面。第一模制材料位于封装的顶表面，并具有至少一开口于其中。封装的顶表面的至少一区域被第一模制材料的开口所暴露。第二半导体元件位于封装的顶表面，并被第一模制材料所模制。

公开(公告)号：CN104037142A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310224396.3

申请日：2013-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘明凯 ,  缪佳君 ,  吴凯强 ,  梁世纬 ,  杨青峰 ,  王彦评 ,  吕俊麟

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了封装对准结构及其形成方法，其中，一个实施例是一种半导体器件，包括：第一接合焊盘，位于第一衬底上，第一接合焊盘的第一中心线穿过第一接合焊盘的中心且垂直于第一衬底的顶面；以及第一导电连接件，位于第二衬底上，第一导电连接件的第二中心线穿过第一导电连接件的中心且垂直于第二衬底的顶面，第二衬底位于第一衬底上方，其中第一衬底的顶面面向第二衬底的顶面。该半导体器件还包括：第一对准部件，与第一衬底上的第一接合焊盘相邻，第一对准部件被配置为使第一中心线与第二中心线对准。

公开(公告)号：CN103855114A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310161102.7

申请日：2013-05-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕俊麟 ,  吴凯强 ,  王彦评 ,  梁世纬 ,  杨青峰

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L23/538 ,  H01L25/16 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/24 ,  H01L21/481 ,  H01L21/4885 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10734 ,  H05K2201/2036 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 公开了用于封装管芯的具有阻拦件的中介层的方法和装置。中介层可以包括位于衬底上方的金属层。一个或多个阻拦件可以形成在金属层上方。阻拦件围绕一区域，该区域的尺寸大于可以被连接至该区域内的金属层上方的接触焊盘的管芯的尺寸。阻拦件可以包含导电材料或非导电材料，或两者都包含。底部填充物可以形成在管芯下方、金属层上方且包含在阻拦件所围绕的区域内，从而可以使底部填充物不溢出到阻拦件所围绕的区域外。另一封装件可以放置在连接至中介层的管芯上方以形成堆叠式封装结构。

公开(公告)号：CN117174648A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310889239.8

申请日：2023-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  丁国强 ,  王驭熊 ,  史朝文 ,  叶松峯 ,  宋大豪 ,  黄政维 ,  王彦评 ,  黄昶文 ,  林圣达 ,  胡立成 ,  吴国龙

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

Abstract: 实施例包括围绕嵌入式集成电路管芯的裂缝停止器结构及其形成。裂缝停止器结构可以包括由填充层分隔开的多个层。裂缝停止器的层可以包括多个子层，子层中的一些提供粘合、硬度缓冲和用于从裂缝停止器结构的一个层过渡至裂缝停止器结构的另一层的材料梯度。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN106960837A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201610905679.8

申请日：2016-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王垂堂 ,  陈颉彦 ,  汤子君 ,  余振华 ,  杨青峰 ,  刘明凯 ,  王彦评 ,  吴凯强 ,  张守仁 ,  林韦廷 ,  吕俊麟

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L25/16 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/528 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08137 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/1434 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件，包括半导体管芯。介电材料围绕半导体管芯以形成集成半导体封装件。接触件耦合至集成半导体封装件并且配置为半导体封装件的接地端。半导体器件还具有基本密封集成半导体封装件的EMI(电磁干扰)屏蔽罩，其中EMI屏蔽罩通过设置在集成半导体封装件中的路径与接触件耦合。本发明的实施例还提供了3D(三维)半导体封装件以及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104037142B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310224396.3

申请日：2013-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘明凯 ,  缪佳君 ,  吴凯强 ,  梁世纬 ,  杨青峰 ,  王彦评 ,  吕俊麟

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了封装对准结构及其形成方法，其中一个实施例是一种半导体器件，包括：第一接合焊盘，位于第一衬底上，第一接合焊盘的第一中心线穿过第一接合焊盘的中心且垂直于第一衬底的顶面；以及第一导电连接件，位于第二衬底上，第一导电连接件的第二中心线穿过第一导电连接件的中心且垂直于第二衬底的顶面，第二衬底位于第一衬底上方，其中第一衬底的顶面面向第二衬底的顶面。该半导体器件还包括：第一对准部件，与第一衬底上的第一接合焊盘相邻，第一对准部件被配置为使第一中心线与第二中心线对准。