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公开(公告)号：CN119965158A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510095131.0
申请日：2025-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , H10B80/00
Abstract: 本申请的实施例公开了半导体组件及其形成方法。多个处理器管芯可以附接到中介结构，所述中介结构包括其中形成有中介金属互连结构的中介介电材料层。介电基质可以在所述中介结构上方的所述多个处理器管芯周围形成。路由管芯可以附接到多个处理器管芯。所述路由管芯包括其中形成有路由金属互连结构的路由介电材料层以及其中形成有路由衬底穿通孔结构的路由衬底。路由衬底的背侧可以被减薄，从而暴露所述路由衬底穿通孔结构的端面。在减薄所述路由衬底的所述背侧之后，将存储器管芯附接到所述路由衬底。所述存储器管芯的接合焊盘电连接到所述路由衬底穿通孔结构。
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公开(公告)号：CN112687670B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202011106428.6
申请日：2020-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，一种结构包括：图形处理器器件；无源器件，耦合至图形处理器器件，该无源器件直接面对面地接合至图形处理器器件；共享存储器器件，耦合至图形处理器器件，共享存储器器件直接面对面地接合至图形处理器器件；中央处理器器件，耦合至共享存储器器件，中央处理器器件直接背对背地接合至共享存储器器件，中央处理器器件和图形处理器器件的每个具有比共享存储器器件小的技术节点的有源器件；以及再分布结构，耦合至中央处理器器件、共享存储器器件、无源器件和图形处理器器件。本发明的实施例还涉及集成电路结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN112687666B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202011109999.5
申请日：2020-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一实施例中，一种集成电路封装包括：处理器晶粒，包括电路区块，电路区块包括具有第一技术节点的有源装置；电源闸控晶粒，包括具有第二技术节点的功率半导体装置，第二技术节点大于第一技术节点；以及第一重布线结构，包括第一金属化图案，第一金属化图案包括电力供应源线及电力供应接地线，其中电路区块的第一子集经由功率半导体装置电性耦合至电力供应源线及电力供应接地线，且电路区块的第二子集永久地电性耦合至电力供应源线及电力供应接地线。
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公开(公告)号：CN112820722B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202011224687.9
申请日：2020-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/98
Abstract: 在实施例中，一种器件包括：第一管芯阵列，包括第一集成电路管芯，第一集成电路管芯的取向沿着第一管芯阵列的行和列交替；第一介电层，围绕第一集成电路管芯，第一介电层和第一集成电路管芯的表面是平坦的；第二管芯阵列，包括位于第一介电层和第一集成电路管芯上的第二集成电路管芯，第二集成电路管芯的取向沿着第二管芯阵列的行和列交替，第二集成电路管芯的前侧通过金属对金属接合和通过电介质对电介质接合而接合至第一集成电路管芯的前侧；以及第二介电层，围绕第二集成电路管芯，第二介电层和第二集成电路管芯的表面是平坦的。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114582836A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210091693.4
申请日：2022-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L25/16 , H01L25/18
Abstract: 本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。方法包括将电容器管芯接合至器件管芯。器件管芯包括：第一半导体衬底；有源器件，位于第一半导体衬底的表面处；多个低k介电层；第一介电层，位于多个低k介电层中的顶部低k介电层上方并且与多个低k介电层中的顶部低k介电层接触；和第一多个接合焊盘，位于第一介电层中。电容器管芯包括：第二介电层，接合至第一介电层；第二多个接合焊盘，位于第二介电层中并且接合至第一多个接合焊盘；和电容器，电耦接至第二多个接合焊盘。在将电容器管芯接合至器件管芯之后，在电容器管芯上方形成含铝焊盘，含铝焊盘电耦接至器件管芯。在含铝焊盘上方形成聚合物层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109216323B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201711338029.0
申请日：2017-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括嵌入在模塑材料中的第一管芯，其中，第一管芯的接触焊盘邻近模塑材料的第一侧。半导体器件还包括在模塑材料的第一侧上方的再分布结构、沿第一管芯的侧壁并且在第一管芯和模塑材料之间的第一金属涂层、以及沿模塑材料的侧壁并且在模塑材料的与第一侧相对的第二侧上的第二金属涂层。本发明的实施例还提供了另一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN106653735A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610719305.7
申请日：2016-08-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/3157 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/81 , H01L24/96 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/81024 , H01L2224/81815 , H01L2224/81911 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种半导体器件，包括：半导体管芯，半导体管芯具有设置在半导体管芯的周边中的防护环。半导体器件还包括位于防护环上方的导电焊盘。半导体器件还具有部分地覆盖导电焊盘的钝化件和位于钝化件上方的钝化后互连件(PPI)，并且钝化件包括凹槽以暴露导电焊盘的一部分。在半导体器件中，导体从凹槽向上延伸并且连接至PPI的一部分。本发明的实施例还提供了半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106486464A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610603053.1
申请日：2016-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/486 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2224/83 , H01L21/76895
Abstract: 本发明的实施例提供了一种包括半导体管芯的半导体器件。介电材料围绕半导体管芯以形成集成半导体封装件。存在耦合至集成半导体封装件并且配置为用于该半导体封装件的接地端子的接触件。该半导体器件还具有基本封闭集成半导体封装件的EMI(电磁干扰)屏蔽罩，其中，该EMI屏蔽罩通过设置在集成半导体封装件中的路径耦合于该接触件。本发明的实施例还提供了制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN120044715A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411888989.4
申请日：2024-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 光子耦合器可包括第一输入波导、第二输入波导、第一输出波导、第二输出波导、耦合区，其中耦合区中的第一输入波导、第二输入波导、第一输出波导、与第二输出波导中的两者或更多者相关的电磁场彼此重叠、以及电光装置位于耦合区中且包括折射率，且折射率为施加电压的第一函数。耦合区沿着光学传播方向可包括有效耦合长度，且有效耦合长度为耦合区的物理长度与电光装置的折射率的乘积的第二函数。由于渐逝耦合，可调整施加至光子耦合器的电压以控制输入波导与输出波导之间传输的电磁能的混合比例。本公开还涉及到光子耦合器的形成方法以及一种光子装置。
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公开(公告)号：CN120015738A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510078017.7
申请日：2025-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , H10B12/00
Abstract: 在实施例中，半导体器件可以包括中介层。半导体器件也可以包括直接接合至中介层的多个小芯片。器件可以进一步包括直接接合至与多个小芯片相邻的中介层的多个中介层管芯，多个中介层管芯具有衬底通孔。器件可以额外包括位于多个中介层管芯中的至少一个上方并且接合至多个中介层管芯中的至少一个的存储器封装件。本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
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