公开(公告)号：CN117174648A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310889239.8

申请日：2023-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  丁国强 ,  王驭熊 ,  史朝文 ,  叶松峯 ,  宋大豪 ,  黄政维 ,  王彦评 ,  黄昶文 ,  林圣达 ,  胡立成 ,  吴国龙

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

Abstract: 实施例包括围绕嵌入式集成电路管芯的裂缝停止器结构及其形成。裂缝停止器结构可以包括由填充层分隔开的多个层。裂缝停止器的层可以包括多个子层，子层中的一些提供粘合、硬度缓冲和用于从裂缝停止器结构的一个层过渡至裂缝停止器结构的另一层的材料梯度。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN119495649A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411147498.4

申请日：2024-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 丁国强 ,  叶松峯 ,  宋大豪 ,  洪建玮

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56

Abstract: 方法包括：将底部管芯接合至载体；以及将顶部管芯接合至底部管芯。顶部管芯包括半导体衬底，并且半导体衬底具有第一热导率。方法还包括：将顶部管芯密封在间隙填充区域中；将支撑衬底接合至顶部管芯和间隙填充区域以形成重构晶圆，其中，支撑衬底具有高于第一热导率的第二热导率；将重构晶圆从载体剥离；以及在底部管芯上形成电连接件。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN116741730A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310415915.8

申请日：2023-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  史朝文 ,  叶松峯 ,  宋大豪 ,  萧闵谦 ,  郭峻江 ,  林宗澍

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/50 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路封装件及其形成方法。在实施例中，器件包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯；间隙填充电介质，位于第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁之间；保护盖，与间隙填充电介质、第一集成电路管芯的第一侧壁和第二集成电路管芯的第二侧壁重叠；以及隔离层，位于保护盖周围，隔离层设置在第一集成电路管芯和第二集成电路管芯上。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN119694889A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411327039.4

申请日：2024-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 丁国强 ,  叶松峯 ,  宋大豪 ,  吴国龙 ,  傅新钧

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/64 ,  H01L23/522

Abstract: 方法包括：在器件管芯的半导体衬底上形成功能电路，其中，功能电路位于器件管芯的功能电路区中；在半导体衬底上方形成无源器件，其中，无源器件位于器件管芯的无源器件区中；在功能电路区中和器件管芯的表面处形成第一多个接合焊盘，其中，第一多个接合焊盘具有第一图案密度；以及在无源器件区中和器件管芯的表面处形成第二多个接合焊盘。第二多个接合焊盘具有低于第一图案密度的第二图案密度。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN119694976A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411327041.1

申请日：2024-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 丁国强 ,  叶松峯 ,  宋大豪 ,  杨闵智 ,  吴国龙

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 实施例包括方法，方法包括：在第一衬底上方形成第一互连结构，第一互连结构中包括介电层和金属化图案。方法也包括：在第一互连结构上方形成再分布通孔和再分布焊盘，再分布通孔和再分布焊盘电耦合至第一互连结构的金属化图案中的至少一个，再分布通孔和再分布焊盘具有相同的材料组成。方法也包括：在再分布焊盘上方形成翘曲控制介电层。方法也包括：在再分布焊盘上方形成接合通孔和接合焊盘，接合焊盘位于翘曲控制介电层中，接合通孔电耦合至再分布焊盘。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN119601552A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411272125.X

申请日：2024-09-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 丁国强 ,  叶松峯 ,  宋大豪 ,  张根育

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 在实施例中，器件包括：下部集成电路管芯；上部集成电路管芯，利用电介质至电介质接合区域并且利用金属至金属接合区域接合至下部集成电路管芯；第一缓冲层，位于上部集成电路管芯周围，第一缓冲层包括具有第一热导率的缓冲材料，缓冲材料具有柱状晶体结构，柱状晶体结构包括在远离下部集成电路管芯延伸的方向上具有基本上均匀取向的晶体柱；以及间隙填充电介质，位于第一缓冲层上方和上部集成电路管芯周围，间隙填充电介质具有第二热导率，第一热导率大于第二热导率。本申请的一些实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN222088602U

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202323285429.3

申请日：2023-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 丁国强 ,  宋大豪 ,  叶松峯

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/373 ,  H01L23/528 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

Abstract: 在一个实施例中，一种半导体装置包括第一集成电路管芯，其中第一集成电路管芯包括由半导体材料形成的基底和穿透基底的导电通孔；第二集成电路管芯与第一集成电路管芯横向地相邻设置；第一间隙填充层，设置在第一集成电路管芯和第二集成电路管芯之间，其中第一间隙填充层由选自硅、碳化硅、氮氧化硅、氮化硅、基底的半导体材料，或其组合的材料所形成；第三集成电路管芯以正面对背面的方式接合到第一集成电路管芯。