公开(公告)号：CN111092018A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911013778.5

申请日：2019-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林含谕 ,  杨建勋 ,  林执中 ,  李芳苇 ,  林佛儒 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体装置的形成方法，包括：形成一结构，其包括垂直堆叠在一基底上方的多个纳米线；沉积一介电材料层，其围绕上述纳米线；对上述介电材料层的一表面部分施行一处理工艺；选择性蚀刻上述介电材料层的上述表面部分；重复施行上述处理工艺与上述选择性蚀刻的步骤，直到局部暴露上述纳米线；以及形成一栅极结构，其接合上述纳米线。

公开(公告)号：CN115566045A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210944135.8

申请日：2022-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张容浩 ,  林佛儒 ,  李芳苇 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开描述一种半导体结构及其形成方法。方法可包括在基板上方形成鳍结构。鳍结构可包括第一牺牲层和第二牺牲层。方法可进一步包括在鳍结构的第一部分中形成凹陷结构，选择性蚀刻鳍结构的第二部分的第二牺牲层上方的鳍结构的第二部分的第一牺牲层，以及在蚀刻的第一牺牲层上形成内间隙壁层，且暴露鳍结构的第二部分的第二牺牲层。

公开(公告)号：CN111261593A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911207590.4

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林佛儒 ,  张家维 ,  许琼文

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/308 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了半导体器件和用于形成半导体器件的方法。在半导体层上方形成第一层，以及在第一层上方形成第一图案化掩模。实施循环蚀刻工艺以在第一层中限定第二图案化掩模。循环蚀刻工艺包括在第一图案化掩模上方形成聚合物层的第一阶段以及去除聚合物层并去除第一层的部分的第二阶段。使用第二图案化掩模去除半导体层的部分以从半导体层限定鳍。

公开(公告)号：CN118983312A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411013006.2

申请日：2024-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕育玮 ,  佐野谦一 ,  林执中 ,  李芳苇 ,  匡佳谦 ,  罗伊辰 ,  林佛儒 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49

Abstract: 本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括：包括第一半导体材料的下部半导体纳米结构；邻近下部半导体纳米结构的下部外延源极/漏极区，下部外延源极/漏极区具有第一导电类型；包括第二半导体材料的上部半导体纳米结构，第二半导体材料不同于第一半导体材料；以及与上部半导体纳米结构相邻的上部外延源极/漏极区，上部外延源极/漏极区具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。

公开(公告)号：CN111261593B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201911207590.4

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林佛儒 ,  张家维 ,  许琼文

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/308 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了半导体器件和用于形成半导体器件的方法。在半导体层上方形成第一层，以及在第一层上方形成第一图案化掩模。实施循环蚀刻工艺以在第一层中限定第二图案化掩模。循环蚀刻工艺包括在第一图案化掩模上方形成聚合物层的第一阶段以及去除聚合物层并去除第一层的部分的第二阶段。使用第二图案化掩模去除半导体层的部分以从半导体层限定鳍。

公开(公告)号：CN113707604A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110509861.2

申请日：2021-05-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林含谕 ,  林立德 ,  林执中 ,  李芳苇 ,  陈怡伦 ,  张容浩 ,  罗伊辰 ,  林佛儒 ,  佐野谦一 ,  林斌彦

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本发明一些实施例提供一种半导体制造技术。所述技术包含如下操作。接纳具有第一材料及第二材料的半导体结构。所述第一材料对第一蚀刻化学物具有第一孕育时间。所述第二材料对所述第一蚀刻化学物具有第二孕育时间。所述第一孕育时间比所述第二孕育时间短。由所述第一蚀刻化学物对所述半导体结构执行第一主蚀刻达第一持续时间。所述第一持续时间大于所述第一孕育时间且比所述第二孕育时间短。