公开(公告)号：CN111261507A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911126845.4

申请日：2019-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈纬伦 ,  黄昭宪 ,  林立德 ,  林斌彥

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

Abstract: 一种用于制造半导体布置的方法包括执行半导体结构的第一蚀刻以暴露与半导体结构相邻的第一层的侧壁的第一部分。第一蚀刻在第一层的侧壁的第一部分上形成第一保护层，并且第一保护层由副产物材料的第一累积形成，该副产物材料由第一蚀刻的蚀刻剂与半导体结构相互作用而形成。该方法包括执行第一闪蒸以去除第一保护层的至少一些。

公开(公告)号：CN113643974A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110367757.4

申请日：2021-04-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈纬伦 ,  黄昭宪 ,  林立德

IPC: H01L21/311 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体结构与其形成方法，包括沉积介电层于基板上，并沉积图案化层于介电层上。方法亦包括在图案化层上进行第一蚀刻制程，以形成含有第一图案密度的多个第一块状物的第一区与含有第二图案密度的多个第二块状物的第二区，且第二图案密度小于第一图案密度。方法亦包括在第二块状物上进行第二蚀刻制程，以减少每一第二块状物的宽度；以及采用第一块状物与第二块状物并蚀刻介电层与基板，以形成多个鳍状结构。

公开(公告)号：CN111261507B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201911126845.4

申请日：2019-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈纬伦 ,  黄昭宪 ,  林立德 ,  林斌彥

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

Abstract: 一种用于制造半导体布置的方法包括执行半导体结构的第一蚀刻以暴露与半导体结构相邻的第一层的侧壁的第一部分。第一蚀刻在第一层的侧壁的第一部分上形成第一保护层，并且第一保护层由副产物材料的第一累积形成，该副产物材料由第一蚀刻的蚀刻剂与半导体结构相互作用而形成。该方法包括执行第一闪蒸以去除第一保护层的至少一些。

公开(公告)号：CN115692198A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210937071.9

申请日：2022-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈纬伦 ,  林斌彦

IPC: H01L21/336

Abstract: 公开半导体装置与其制作方法，其包括形成鳍状结构于基板上；形成第一与第二纳米结构层的超晶格结构于鳍状结构上；形成多晶硅结构于超晶格结构周围；形成源极/漏极开口于超晶格结构中；形成第一导电形态的源极/漏极区于源极/漏极开口的第一部分中；形成隔离层于第一导电形态的源极/漏极区上与源极/漏极开口的第二部分中；形成第二导电形态的源极/漏极区于隔离层上与源极/漏极开口的第三部分中；并将多晶硅结构与第二纳米结构层置换成栅极结构以围绕第一纳米结构层。第一与第二纳米结构层的材料彼此不同，且第二与第一导电形态不同。