公开(公告)号：CN113707720A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110504613.9

申请日：2021-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张旭凯 ,  黄治融 ,  董彦佃 ,  朱家宏 ,  梁顺鑫 ,  沈泽民 ,  林斌彦 ,  王菘豊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一栅极结构和第二栅极结构、设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一源极/漏极(S/D)和第二S/D区域、设置在第一S/D区域和第二S/D区域上的第一接触结和第二接触结构以及设置在第一nWFM硅化物层与第一S/D区域之间的界面处的偶极子层。第一接触结构包括设置在第一S/D区域上的第一nWFM硅化物层和设置在第一nWFM硅化物层上的第一接触插塞。第二接触结构包括设置在第二S/D区域上的pWFM硅化物层、设置在pWFM硅化物层上的第二nWFM硅化物层以及设置在pWFM硅化物层上的第二接触插塞。

公开(公告)号：CN113675191A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110806301.3

申请日：2021-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王菘豊 ,  张旭凯 ,  黄治融 ,  董彦佃 ,  朱家宏 ,  沈泽民 ,  林斌彦

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；鳍结构，设置在衬底上；栅极结构，设置在鳍结构上；源极/漏极(S/D)区域，邻近栅极结构设置；接触结构，设置在S/D区域上；以及偶极子层，设置在三元化合物层和S/D区域之间的界面处。接触结构包括设置在S/D区域上的三元化合物层、设置在三元化合物层上的功函金属(WFM)硅化物层以及设置在WFM硅化物层上的接触插塞。

公开(公告)号：CN116469836A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202210825459.X

申请日：2022-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李欣怡 ,  董彦佃 ,  陈智城 ,  张文 ,  徐志安

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66

Abstract: 本公开涉及集成电路结构及其制造方法。一种方法，包括：在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠；在虚设栅极堆叠的侧面形成源极/漏极区域；去除虚设栅极堆叠以形成沟槽，其中半导体区域暴露于沟槽；形成延伸进入沟槽内的栅极电介质层；以及在栅极电介质层上沉积功函数调整层。功函数调整层包括铝和碳。该方法还包括：在功函数调整层之上沉积p型功函数层；以及执行平坦化工艺以去除p型功函数层、功函数调整层和栅极电介质层的多余部分，以形成栅极堆叠。

公开(公告)号：CN113690142A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110335578.2

申请日：2021-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林含谕 ,  黄治融 ,  董彦佃 ,  沈泽民 ,  颜甫庭 ,  詹贵麟 ,  林耕竹 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明说明半导体结构与其形成方法。方法包括：形成鳍状结构于基板上。鳍状结构可包括第一通道层与牺牲层。方法可进一步包括形成第一凹陷结构于鳍状结构的第一部分中，形成第二凹陷结构于鳍状结构的第二部分的牺牲层中，形成介电层于第一凹陷结构与第二凹陷结构中，以及进行无氧循环蚀刻工艺以蚀刻介电层，并露出鳍状结构的第二部分的通道层。进行无氧循环蚀刻工艺的步骤可包括进行第一蚀刻选择性的第一蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层；以及进行第二蚀刻选择性的第二蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层，且第二蚀刻选择性大于第一蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN113707720B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202110504613.9

申请日：2021-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张旭凯 ,  黄治融 ,  董彦佃 ,  朱家宏 ,  梁顺鑫 ,  沈泽民 ,  林斌彦 ,  王菘豊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一栅极结构和第二栅极结构、设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一源极/漏极(S/D)和第二S/D区域、设置在第一S/D区域和第二S/D区域上的第一接触结和第二接触结构以及设置在第一nWFM硅化物层与第一S/D区域之间的界面处的偶极子层。第一接触结构包括设置在第一S/D区域上的第一nWFM硅化物层和设置在第一nWFM硅化物层上的第一接触插塞。第二接触结构包括设置在第二S/D区域上的pWFM硅化物层、设置在pWFM硅化物层上的第二nWFM硅化物层以及设置在pWFM硅化物层上的第二接触插塞。

公开(公告)号：CN115360143A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202210344564.1

申请日：2022-04-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李欣怡 ,  张文 ,  张翔笔 ,  赵皇麟 ,  程仲良 ,  徐志安 ,  李昆育 ,  沈泽民 ,  董彦佃 ,  吴俊毅

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开涉及半导体器件中的栅极结构及其形成方法。一种方法，包括去除第一虚设栅极堆叠和第二虚设栅极堆叠以形成第一沟槽和第二沟槽。所述第一虚设栅极堆叠和所述第二虚设栅极堆叠分别位于第一器件区和第二器件区。所述方法还包括沉积分别延伸到所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一栅极电介质层和第二栅极电介质层；形成含氟层，所述含氟层包括在所述第一栅极电介质层之上的第一部分和在所述第二栅极电介质层之上的第二部分；去除所述含氟层的第二部分；执行退火工艺以将所述含氟层的第一部分中的氟扩散到所述第一栅极电介质层中；和在所述退火工艺之后，分别在所述第一栅极电介质层和所述第二栅极电介质层之上形成第一功函数层和第二功函数层。

公开(公告)号：CN114512443A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210005216.1

申请日：2022-01-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 董彦佃 ,  黄思维 ,  萧智仁 ,  庄媖涓 ,  黄咏骞 ,  刘冠廷 ,  沈泽民 ,  吴忠纬 ,  吴志强

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括提供一种结构，此结构具有一基底和在前述基底上方的一通道层；在前述通道层上方形成一高介电常数栅极介质层；在前述高介电常数栅极介质层上形成一功函数金属层；在前述功函数金属层上形成一硅化物层；对此结构进行退火，使得与前述高介电常数栅极介电层相接的前述功函数金属层的第一部分可掺杂有来自前述硅化物层的硅元素；去除前述硅化物层；以及在前述功函数金属层的上方形成一块体金属层。

公开(公告)号：CN222827579U

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202420900416.8

申请日：2024-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡武卫 ,  陈海清 ,  林柏廷 ,  陈晏谊 ,  林佑明 ,  林仲德 ,  沈泽民 ,  董彦佃

IPC: H10D64/68

Abstract: 提供一种集成电路装置。在所述集成电路装置中，是通过将第二介电组成物的隐埋层引入至第一介电组成物的栅极介电质中来解决提供如下晶体管的问题：所述晶体管可被制造成具有处于宽广的阈值电压范围内的任何指定阈值电压而不会产生泄漏问题、电容问题或工艺兼容性问题。相对于第一介电组成物而选择第二介电组成物，使得在所述两种介电质的界面周围形成偶极子。偶极子产生电场，电场使阈值电压发生偏移。隐埋层具有较栅极介电质高的介电常数，薄于栅极介电质，且接近通道。