公开(公告)号：CN113707720A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110504613.9

申请日：2021-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张旭凯 ,  黄治融 ,  董彦佃 ,  朱家宏 ,  梁顺鑫 ,  沈泽民 ,  林斌彦 ,  王菘豊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一栅极结构和第二栅极结构、设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一源极/漏极(S/D)和第二S/D区域、设置在第一S/D区域和第二S/D区域上的第一接触结和第二接触结构以及设置在第一nWFM硅化物层与第一S/D区域之间的界面处的偶极子层。第一接触结构包括设置在第一S/D区域上的第一nWFM硅化物层和设置在第一nWFM硅化物层上的第一接触插塞。第二接触结构包括设置在第二S/D区域上的pWFM硅化物层、设置在pWFM硅化物层上的第二nWFM硅化物层以及设置在pWFM硅化物层上的第二接触插塞。

公开(公告)号：CN113707720B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202110504613.9

申请日：2021-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张旭凯 ,  黄治融 ,  董彦佃 ,  朱家宏 ,  梁顺鑫 ,  沈泽民 ,  林斌彦 ,  王菘豊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一栅极结构和第二栅极结构、设置在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一源极/漏极(S/D)和第二S/D区域、设置在第一S/D区域和第二S/D区域上的第一接触结和第二接触结构以及设置在第一nWFM硅化物层与第一S/D区域之间的界面处的偶极子层。第一接触结构包括设置在第一S/D区域上的第一nWFM硅化物层和设置在第一nWFM硅化物层上的第一接触插塞。第二接触结构包括设置在第二S/D区域上的pWFM硅化物层、设置在pWFM硅化物层上的第二nWFM硅化物层以及设置在pWFM硅化物层上的第二接触插塞。

公开(公告)号：CN113690142A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110335578.2

申请日：2021-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林含谕 ,  黄治融 ,  董彦佃 ,  沈泽民 ,  颜甫庭 ,  詹贵麟 ,  林耕竹 ,  林立德 ,  林斌彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明说明半导体结构与其形成方法。方法包括：形成鳍状结构于基板上。鳍状结构可包括第一通道层与牺牲层。方法可进一步包括形成第一凹陷结构于鳍状结构的第一部分中，形成第二凹陷结构于鳍状结构的第二部分的牺牲层中，形成介电层于第一凹陷结构与第二凹陷结构中，以及进行无氧循环蚀刻工艺以蚀刻介电层，并露出鳍状结构的第二部分的通道层。进行无氧循环蚀刻工艺的步骤可包括进行第一蚀刻选择性的第一蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层；以及进行第二蚀刻选择性的第二蚀刻工艺，以选择性蚀刻介电层而较少蚀刻鳍状结构的第二部分的通道层，且第二蚀刻选择性大于第一蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN118610255A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410572290.0

申请日：2024-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卢炜业 ,  李弘贸 ,  简瑞宏 ,  张博钦 ,  王菘豊 ,  黄治融 ,  沈泽民 ,  张志维

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66

Abstract: 描述了半导体装置结构及其形成方法。在部分实施方式中，该结构包括位于在基板上的N型源极/漏极磊晶特征、在基板上的P型源极/漏极磊晶特征、直接设置在N型源极/漏极磊晶特征上的第一硅化物层以及直接设置在P型源/漏极磊晶特征上的第二硅化物层。第一和第二硅化物层包含第一金属，第二硅化物层比第一硅化物层实质上更厚。该结构更包含直接设置在该第一硅化物层上的第三硅化物层以及直接设置在该第二硅化物层上的第四硅化物层。第三和该第四硅化物层包含与该第一金属不同的一第二金属，且第三硅化物层比第四硅化物层实质上更厚。

公开(公告)号：CN113675191A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110806301.3

申请日：2021-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王菘豊 ,  张旭凯 ,  黄治融 ,  董彦佃 ,  朱家宏 ,  沈泽民 ,  林斌彦

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了具有不同配置的接触结构的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底；鳍结构，设置在衬底上；栅极结构，设置在鳍结构上；源极/漏极(S/D)区域，邻近栅极结构设置；接触结构，设置在S/D区域上；以及偶极子层，设置在三元化合物层和S/D区域之间的界面处。接触结构包括设置在S/D区域上的三元化合物层、设置在三元化合物层上的功函金属(WFM)硅化物层以及设置在WFM硅化物层上的接触插塞。

公开(公告)号：CN222749487U

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202421450966.0

申请日：2024-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石哲齐 ,  黄治融 ,  林含谕 ,  杨固峰 ,  温伟源 ,  廖思雅

IPC: H01L23/373 ,  H10D84/85

Abstract: 提供了一种半导体装置，以及提供用于为高功耗半导体装置实现散热多层且减小热边界电阻的方法。半导体装置包含第一晶体管、位于第一晶体管上方的第二晶体管及位于第一晶体管与第二晶体管之间的散热多层。散热多层包括一第一层、一第二层及位于该第一层与该第二层之间的一第三层，且其中该第一层及该第二层包含结晶结构，而该第三层包含非晶结构。