公开(公告)号：CN115527926A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210811825.6

申请日：2022-07-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖彦锟 ,  吴逸文 ,  张国钦 ,  蔡柏豪 ,  李明机

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/488 ,  H01L23/485

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法，制造半导体器件的方法包括：在顶部再分布结构上方沉积第一钝化层，顶部再分布结构位于半导体管芯上方；在第一钝化层上方沉积第二钝化层；形成穿过第二钝化层的第一开口，第一开口具有垂直于第一钝化层的侧壁；将第一开口再成形为第二开口，其中，第二开口具有相对于第一钝化层的喇叭形侧壁；形成穿过第一钝化层的第三开口，其中，第三开口具有与喇叭形侧壁不同的斜率；以及用导电材料填充第二开口和第三开口。

公开(公告)号：CN115497904A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210037155.7

申请日：2022-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖彦锟 ,  许桀豪 ,  涂伟祥 ,  张国钦 ,  李明机

IPC: H01L23/498

Abstract: 半导体管芯包括半导体基底、内连结构以及导电凸块。内连结构设置在半导体基底上且电性连接到半导体基底。内连结构包括堆叠的多个内连层。堆叠的多个内连层的每一个包括介电层及嵌置在介电层中的内连布线。堆叠的多个内连层中的第一内连层的内连布线还包括第一通孔及多个第二通孔。第一通孔电性连接到第一内连层的内连布线。多个第二通孔连接到第一内连层的内连布线，且第一通孔及多个第二通孔位在相同的水平高度上。导电凸块设置在内连结构上。导电凸块包括基部部分及连接到基部部分的突出部分，且基部部分位在突出部分及第一通孔之间。

公开(公告)号：CN115497899A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202111197717.6

申请日：2021-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许桀豪 ,  赖彦锟 ,  涂伟祥 ,  刘浩君 ,  张国钦 ,  李明机

IPC: H01L23/488

Abstract: 一种半导体组件，其包括半导体管芯、第一导电垫、第二导电垫、第一连接件结构和第二连接件结构。第一导电垫设置在半导体管芯上，其中第一导电垫具有第一侧向尺寸。第二导电垫设置在半导体管芯上，其中第二导电垫具有第二侧向尺寸。第一连接件结构设置在第一导电垫上，其中第一连接件结构具有大于第一侧向尺寸的第三侧向尺寸。第二连接件结构设置在第二导电垫上，其中第二连接件结构的第四侧向尺寸小于第二侧向尺寸。

公开(公告)号：CN219226281U

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202222446645.0

申请日：2022-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖彦锟 ,  吴逸文 ,  张国钦 ,  蔡柏豪 ,  李明机

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开提出一种半导体结构。半导体裸片可以包括位于内连线级介电材料层内的金属内连线结构、位于最顶部内连线级介电材料层上的接合垫、位于最顶部内连线级介电材料层上的介电钝化层以及延伸穿过介电钝化层且位于接合垫上的金属凸块结构。每个金属凸块结构包括具轮廓的底面，此底面包括与接合垫的相应一者的顶面接触的最底面段、与穿过介电钝化层的相应开口的锥形侧壁接触的锥形表面段以及覆盖介电钝化层且具有从外周缘横向向内偏移一横向偏移距离的环形表面段，横向偏移距离为接合垫的相应下方一者的宽度的至少8％。