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公开(公告)号：CN113921725A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111175687.9
申请日：2021-10-09
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱吸收介孔量子点并联叠层太阳电池的制备方法，所述方法包括：在导电玻璃上以大颗粒介孔二氧化钛作为电子传输层，并将其作为作为通过热注入合成多种量子点吸光层的支架；在吸光层材料上沉积空穴传输层；在空穴传输层上蒸镀金属电极。依托介孔材料的多种纳米级材料可以拓展太阳电池的长波响应范围，量子点材料与介孔支架的直接接触可以实现载流子的高效抽取和多通道输运；预先合成的量子点材料克服旋涂过程中钙钛矿复杂的结晶动力学可提高成膜质量，适应于光伏领域中制备高效率钙钛矿太阳电池的需求。
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公开(公告)号：CN106299126A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510307871.2
申请日：2015-06-08
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/0003
Abstract: 本发明涉及专门将光转化为电的光伏器件，特指硅薄膜材料作为电子传输层结构的钙钛矿太阳电池。由FTO透明导电玻璃、N型非晶硅薄膜材料、钙钛矿本征吸收层、空穴传输层和金属电极构成。在透明导电玻璃上沉积非晶硅薄膜材料，之后旋涂钙钛矿吸光材料，在钙钛矿之上旋涂Spiro-OMeTAD或者P3HT材料作为空穴传输层，之后蒸制电极。其特点是非晶硅作为钙钛矿电池的电子传输层，其带隙可以通过掺杂浓度调控，可以很好的与钙钛矿材料实现能级匹配。通过控制沉积条件可以改善薄膜质量和导电性。其制备方法容易价格低廉稳定性好，具有重要的研究价值和实用价值。
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公开(公告)号：CN105591031A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610167336.6
申请日：2016-03-23
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L51/4253 , H01L51/426 , H01L51/44
Abstract: 一种基于初晶态多孔纳米锗薄膜的双通道并联型有机-无机复合太阳电池，以具有n型导电特征的初晶态多孔纳米锗薄膜为基础，在其上旋涂有机给体/有机受体活性层，有机给体/有机受体形成体相异质结的同时有机给体/无机受体形成平面异质结。在此体相异质结和平面异质结共存的复合结构中，载流子可实现并联方式的双通道输运，进而在改善电池输运性能的同时增强和拓展电池对太阳光谱的吸收。其中，n型导电特征的初晶态多孔纳米锗薄膜采用平板电容耦合等离子增强化学气相沉积（PECVD）系统在室温下制备而成。本发明的优点在于：载流子并联的双通道输运方式与锗材料窄带隙、高吸收系数、高载流子迁移率的特性相结合，实现有机电池载流子输运能力和太阳光谱吸收的共同提升。
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公开(公告)号：CN105356582A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510853249.1
申请日：2015-11-30
Applicant: 南开大学
IPC: H02J7/35
CPC classification number: Y02E10/566 , H02J7/35
Abstract: 本发明公开了一种可远程控制的光伏多路输出电源，包括：无间断供电模块、多路电源输出模块和人机交互与远程控制模块。通过简易的电子器件，可以实现光伏发电系统和电网的联合供电，从而提高了光伏发电系统输出的稳定性。同时通过内置的无线通信模块，可实现对传统电源的远程控制。该电源造价低廉，设计新颖，便于批量化生产。此电源在实际的市场中，具有较大的需求，可在一定程度上解决当前小型光伏发电系统输出不稳定的弊端，有利于光伏发电产业的进步。
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公开(公告)号：CN105322094A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510309257.X
申请日：2015-06-08
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/44 , H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳电池电子传输层的制备方法。运用简单的化学方法分多次、多步骤制备二氧化钛溶胶-凝胶。并且在二氧化钛溶胶-凝胶的制备方法中结合二氧化钛不同晶相形成的条件，在溶液混合之后，进行加热，制备出透明的二氧化钛溶胶-凝胶。并采用独特的退火工艺得到优质的二氧化钛薄膜。提高了薄膜的透过率、结晶程度，同时改善了它的表面形貌。整个制备工艺简单，便于工业控制，易于操作。制得的二氧化钛薄膜用于钙钛矿型太阳电池，可以有效改善它的性能，可使其光电转换效率达12%以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101183512A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710060377.6
申请日：2007-12-19
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/36
Abstract: 一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的LCD列驱动模式，显示屏周边集成电路包括有3m个TFT开关自左向右构成n组，同一像素的三个子像素所连的TFT在同一组，将每组含有的3m/n个TFT的栅极相连，对外有n条控制线与控制电路相连；控制电路部分有译码器、模拟多路选通器、模拟灰度级电压产生电路、电压反转电路、电位选择器。本发明的控制电路通过电位选择器在多个灰度级电压中进行选择，将适当的电压传输到显示屏基板，集成在数据线上的开关依次打开，模拟多路选通器依次将数据写入像素电容，从而完成逐点写入的过程，将前级传输过来的数据写入LCD像素单元，从而取代了数据驱动芯片的功能，为分辨率不高的LCD显示屏提供了一种更为经济实用的数据驱动方式，节约了成本。
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公开(公告)号：CN101183509A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710060376.1
申请日：2007-12-19
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的OLED列驱动模式，显示屏周边集成电路包括有：由3m个TFT开关自左向右构成n组，且每组含有3m/n个TFT，对外共引出n条控制线；有3m/n根对外数据线。控制电路有：依次相连的译码器、模拟多路选通器、电位选择器，为模拟二选一选择器，共三个，分别通过模拟多路选通器向三个子象素中输入电平信号。本发明通过上述部分的协调工作，使集成在数据线上的开关依次打开，模拟多路选通器依次将数据写入像素电容，从而完成逐点写入的过程。通过显示屏周边集成电路以及控制电路协调工作，将前级传输过来的数据写入OLED像素单元，从而取代了数据驱动芯片的功能，为分辨率不高的OLED显示屏提供了一种更为经济实用的驱动方式，节约了成本。
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公开(公告)号：CN100999388A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200610130711.6
申请日：2006-12-30
Applicant: 南开大学
IPC: C03C17/22 , C04B41/51 , C23C16/24 , C23C16/56 , C23C14/14 , C23C14/58 , C30B29/06 , C30B28/00 , C08J7/06
Abstract: 一种通过表面修饰溶液法金属诱导晶化制备大晶粒多晶硅薄膜材料的方法。以非晶硅薄膜为初始材料，在非晶硅或其上的二氧化硅的表面旋涂、气熏或喷淋一层亲合剂进行表面修饰，再旋涂、气熏或喷淋一层含有能起诱导晶化作用的金属离子的溶液；然后在400℃－600℃下退火，即可获得晶粒尺寸在10微米量级上的大晶粒多晶硅薄膜。通过表面修饰，可增强非晶硅或自然氧化层和溶液的“亲和力”。通过调整溶液浓度、甩胶机转速、气熏时间或喷淋剂量、退火温度等，可以控制晶粒的大小。此方法可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、太阳电池、或半导体集成电路、或微机械系统(MEMS)中器件的有源层或多晶硅栅。
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公开(公告)号：CN107240645B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201710475223.7
申请日：2017-06-21
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿‑纳米锗颗粒的有机‑无机复合太阳能电池制备方法，所述方法包括：在导电玻璃上制备二氧化钛电子传输层；通过PECVD法制备锗纳米颗粒；采用纳米锗颗粒‑甲基碘化铵‑氯化铅‑二甲基甲酰胺混合前驱液；采用超声喷涂法在电子传输层上制备钙钛矿‑纳米锗颗粒复合活性层；在钙钛矿‑纳米锗颗粒复合活性层上沉积P型有机导电层；在P型有机导电层上沉积金属电极层。嵌入到钙钛矿晶格网络的纳米锗颗粒可以拓展钙钛矿太阳电池的长波响应范围，同时被钙钛矿网络钝化的纳米锗颗粒可以为载流子的输运提供并联传输通道；超声喷涂法可以提高原材料的利用率，提高大面积均匀性，适合工业化生产的要求。
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公开(公告)号：CN104078334B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410300595.2
申请日：2014-06-27
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268
Abstract: 一种用氢等离子体预处理激光晶化制备多晶硅薄膜的方法，步骤如下：在石英玻璃衬底上沉积晶化前驱物后进行退火处理；采用等离子体增强化学气相沉积法进行氢等离子体预处理后进行二次退火处理；用激光器的激光照射上述二次退火处理后的晶化前驱物以使其晶化为多晶硅，即可制得多晶硅薄膜。本发明的优点是：该制备方法与普通的微电子工艺兼容且成本低廉；通过控制氢等离子体预处理达到提高薄膜性能的目的；所制备的多晶硅薄膜可广泛用于制备多晶硅薄膜晶体管和多晶硅晶体管电路、显示器象素电路和光电子器件、面阵敏感器，平板显示基板，多晶硅电路和象素电极制备的全集成显示系统，具有重要的实用价值。
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