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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1331975C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200510122236.3
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料，它是霍尔元件中作为活性层的磁敏材料。通式为FexGe1-x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。本发明纳米晶铁锗颗粒薄膜材料不同于传统半导体材料，同时也不同于非晶结构的纳米晶的铁—锗颗粒薄膜材料，其霍尔电阻灵敏度高达125V/AT，工作温度可以扩展到-250℃到+200℃，并且具有更小的热漂移、零磁场偏移。与传统的半导体材料相比，本发明的材料制备简单，成本低，灵敏度高、工作温度范围宽，器件尺寸小，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100409379C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200610013055.1
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12%。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。
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公开(公告)号：CN100487171C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710057399.7
申请日：2007-05-21
Abstract: 本发明一种双掺铌酸锂晶体及其制备方法涉及以材料为特征的单晶生长领域，该晶体的组成为：LiaNbbO3:FecCod，其中，a、b、c、和d的取值分别是，a＝0.93800、b＝1.00000、c＝0.00005～0.00075、d＝0.00005～0.00050；其制备方法的主要步骤为：(1)配料、混合、煅烧，(2)熔化、提拉晶体，(3)单畴化并退火、切片、抛光。本发明的双掺铌酸锂晶体光致色变响应时间短，并具有很高的非挥发存储灵敏度，比同类条件下铁锰双掺铌酸锂晶体提高1～2.5倍，是一种高灵敏度的非挥发全息存储材料，在信息存储、集成光学、军事对抗、民用导航和金融证券方面都有非常广泛的应用。
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公开(公告)号：CN1805080A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610013055.1
申请日：2006-01-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于一种晶粒大小可控的多晶Fe3O4薄膜材料及其制备方法，它是在基片上形成多晶Fe3O4薄膜，Fe3O4晶粒粒径为19～42纳米，薄膜的室温磁电阻数值11～12％。本发明是采用直流磁控溅射技术，先在氩气和氧气的混合气氛中溅射成膜，然后通过对退火温度和退火时间的连续控制而制备的，所用基片材料为玻璃、石英、单晶硅、单晶砷化镓等，溅射时基片不加热。本发明制备得到的多晶Fe3O4薄膜材料与目前所存的同类材料相比，其晶粒大小可以连续控制，并且具有较高的室温磁电阻数值，制备工艺简单，适用于多种基片等优点。
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公开(公告)号：CN1803962A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510122236.3
申请日：2005-12-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料，它是霍尔元件中作为活性层的磁敏材料。通式为FexGe1－x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。本发明纳米晶铁锗颗粒薄膜材料不同于传统半导体材料，同时也不同于非晶结构的纳米晶的铁－锗颗粒薄膜材料，其霍尔电阻灵敏度高达125V/AT，工作温度可以扩展到－250℃到+200℃，并且具有更小的热漂移、零磁场偏移。与传统的半导体材料相比，本发明的材料制备简单，成本低，灵敏度高、工作温度范围宽，器件尺寸小，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
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