公开(公告)号：CN102199746A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110119447.7

申请日：2011-05-10

Applicant: 南开大学

Inventor： 隋妍萍 ,  何炜瑜 ,  乔在祥 ,  阮建明 ,  李涛 ,  张德贤

IPC: C23C14/26 ,  C23C14/06

Abstract: 一种热蒸发制备锑化物薄膜P-N结的方法。该方法包括：将洁净的衬底置于高真空镀膜系统的腔室内，将系统抽至高真空；将衬底加热，并保持在设定温度；在蒸发源中加入掺杂源，采用热蒸发的方法，将各个蒸发源加热，通过共蒸发制备掺杂锑化物薄膜材料，调节蒸发源温度可以得到不同掺杂浓度的P型和N型锑化物材料；通过使用不同衬底和蒸发源得到锑化物的同质结或异质结P-N结构。

公开(公告)号：CN104465891A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410843070.3

申请日：2014-12-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 张德贤 ,  吴限量 ,  蔡宏琨 ,  何炜瑜 ,  乔在祥

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1864

Abstract: 本发明提供了一种GaSb/CdS异质结薄膜热光伏电池的制备方法，主要考虑到GaSb薄膜表面存在较大缺陷态的问题，在化学水浴法制备CdS过程中采用两步法进行制备，先通过高温和高搅拌速率让溶液中的硫离子渗透到GaSb表面，以实现CdS对GaSb的钝化作用，然后稍稍降低反应温度和搅拌速率进行后续的CdS沉积，并用退火工艺提高薄膜结晶质量。本发明中，化学水浴法制备过程中的硫离子具有钝化GaSb表面悬键的作用，能有效地降低GaSb薄膜的表面复合速率，而且该方法简单廉价，易于实施，可以使制备GaSb热光伏电池的成本低廉。