一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法

    公开(公告)号:CN101345287A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200810151233.6

    申请日:2008-09-03

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法,特别是一种通过退火控制多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率升高或降低的方法。该方法解决了自旋注入过程中的电阻率不匹配问题,满足向各种具有不同电阻率的半导体材料中注入自旋的实际需要。该方法的优点是简单易行,容易有效地调节多晶Fe3O4薄膜材料的电阻率,并且所用方法实用性较好,易于工业化。

    含三氟甲基和哌嗪的三唑Mannich碱类化合物及其制备与应用

    公开(公告)号:CN105111192B

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201510603487.7

    申请日:2015-09-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明属农用杀菌、除草剂领域,具体公开了一种含三氟甲基和哌嗪的三唑Mannich碱类化合物及制备方法和应用。本发明具有如通式I和II所示的结构式,式中R1、R2具有权利要求1所定义。本发明化合物对黄瓜枯萎病菌、花生褐斑病菌、苹果轮纹病菌、番茄早疫病菌、小麦纹枯病菌、小麦赤霉病菌等植物病菌有一定的离体抑制活性。特别是对苹果轮纹病菌、小麦纹枯病菌有较好的离体抑制活性。本发明的通式I和通式II化合物同时对油菜具有一定的除草活性,还对水稻KARI酶具有较好的离体抑制活性。本发明适用于对各种作物上菌害和草害的综合防治,以及对KARI酶活性的抑制。

    含哌嗪的1,3,4‑噁二唑Mannich碱类化合物及制备与应用

    公开(公告)号:CN105541748B

    公开(公告)日:2017-09-12

    申请号:CN201610039702.X

    申请日:2016-01-20

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明公开了一类含哌嗪的1,3,4‑噁二唑Mannich碱类化合物及制备与应用。本发明化合物具有如通式I和II所示的结构式,式中 R1和R2具有权利要求1所定义。本发明的通式I和通式II化合物具有高效的KARI酶抑制活性,也具有较高的除草活性,特别是对双子叶植物油菜活性显著。同时还具有一定的杀菌活性,对黄瓜枯萎病菌、花生褐斑病菌、苹果轮纹病菌、小麦纹枯病菌、番茄早疫病菌和小麦赤霉病菌等有离体抑制活性,尤其是对小麦纹枯病菌效果显著。本发明适用于对KARI酶活性的高效抑制,以及对各种作物上草害和菌害的综合防治。

    电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法

    公开(公告)号:CN100432284C

    公开(公告)日:2008-11-12

    申请号:CN200610013295.1

    申请日:2006-03-14

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件,在氧分压5.0×10-2Pa,衬底温度100℃,电子枪电压-8.0kV等条件下,实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜,薄膜材料的光学透过率为90%,电阻率为2.168×10-4Ω·cm,方块电阻为22Ω,厚度为100nm,霍尔系数为-4.55×10-2m2/v,迁移率为21.4cm2/v·s,其光电性能满足柔性太阳透明电极的需求,减小太阳电池串联电阻,提高输出效率。

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