-
公开(公告)号：CN117907787A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410113792.7
申请日：2024-01-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基结温敏特性的GaN基HEMT温升和热阻测试系统，本发明采用电学法，以栅源肖特基结正向压降为温敏参数，以栅漏肖特基结正向压降为温敏参数对GaN基HEMT进行温升和热阻测量。本发明可以实现采用栅漏肖特基结正向压降作为温敏参数，对GaN基HEMT进行温升和热阻测量，这使得测量结果比现有技术测量的待测器件温升更高；利用基于FPGA的时序控制电路对器件的三端开关进行灵活的控制，分别实现以栅源、栅漏以及将源漏短接后的肖特基结正向压降为温敏参数的温升和热阻的测量，且开关时间控制在微秒级别，实现加热状态和测试状态的快速切换。该系统能够提供稳定的测试电流，并且该测试电流值可以在一定范围内根据需要进行自主设置。
-
公开(公告)号：CN109570811A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910000648.1
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K31/12
CPC classification number: B23K31/125
Abstract: 一种检测梯形结构工件焊接质量的方法及装置，梯形结构常用于环路热管蒸发器等，属于航天热控技术领域。装置包括：支撑轴组件、两个SCS滑块、四个手泵吸盘、测温芯片固定结构、四个测温芯片和热阻测试仪。所述测温芯片固定结构包括两个梯形支架、四个油压缓冲器以及通过球头关节轴承连接的四个聚四氟垫片。将四个测温芯片通过固定装置同压力紧密贴合于梯形结构工件侧壁上，利用热阻测试仪同时监控四个测温芯片及被测梯形结构工件焊接面的温升过程，分析其热流路径上各层材料的热阻构成。该技术保证四个热源到焊接面具有均匀稳定的热流路径，消除因测温芯片散热面与梯形结构工件侧壁的接触热阻不同所带来的测量误差，实现对梯形结构工件焊接质量的快速表征。
-
公开(公告)号：CN106199366B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201610476411.7
申请日：2016-06-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种功率MOS器件在线测温的方法属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。使功率MOS器件处于工作状态下，在功率MOS器件栅极施加测试脉冲电压信号，检测栅极测试脉冲电压信号与对应漏极电流变化的开启延迟时间；测量功率MOS器件漏极输出电流呈线性增大时，该延迟时间与漏极电流的对应关系，再根据器件的漏极电流(所加功率)、热阻和温升之间的对应关系，可得到温度系数；测量在某个工作状态下，功率MOS器件栅极测试脉冲电压信号与对应漏电流变化的开启延迟时间，再由测得的温度系数,得到器件在该状态下的温升大小。即实现功率MOS器件温升的在线测量，也可监控功率MOS器件在某状态下的温升，来判定器件的工作状态。
-
公开(公告)号：CN105158666A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510524770.0
申请日：2015-08-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量及表征半导体器件陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN基HEMT器件栅极处以某一偏压下，在其漏源端加上恒定的电压，其漏极电流会随着时间变化。在较低的功率下，自热效应的影响可以忽略，而此时漏源电流的变化完全由陷阱及缺陷引起，因此，对漏源电流的变化进行提取，处理，分析可以得到其中包含的陷阱及缺陷的相关参数信息。根据这一特性，提出了一种陷阱的RC网络等效模型，并可以测量出陷阱种类数，时间常数大小，俘获电量等参数，测量过程简便，快捷，无损，能够获得器件陷阱参数的信息及其变化。
-
公开(公告)号：CN103278761A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310185075.7
申请日：2013-05-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量薄层异质半导体材料界面温升和热阻的方法涉及半导体器件领域。将被测器件放置一温度为T0恒温平台；在栅源电极组成的肖特基结上接入一小的正向电流，结电压为V0；并将其与一采集卡相连，以采集肖特基结电压；将激光光源，调整照射光束至器件的栅极和漏极之间区域；启动激光照射的同时，启动采集卡，采集肖特基结电压V(t)随加热时间的变化；当施加的热源与恒温平台之间达到稳定状态后，结电压V(t)不再随加热时间变化，温升引起结电压随时间变化的曲线，得到器件外延层薄层以及不同部位的温升；即可得到器件内部各层的热阻。本发明使器件肖特基栅处于正向偏置测温状态，避免了状态转换切换时间，能够实现实时、快捷测量器件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116660721A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310564357.1
申请日：2023-05-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种测试功率模块内部芯片有源区温度分布均匀性的无损方法，在不同温度下测试模块温度敏感电学参数，获得模块温度敏感电学参数的校温曲线；利用芯片有源区各温度区间的温度分布规律，结合算法，建立温度分布参数(尺度参数和位置参数)和电流电压关系的四维校温曲线库；通过测试模拟实际工况下升温后模块温度敏感电学参数，与四维校温曲线库比对，实现功率模块内部芯片有源区温度均匀性的无损检测。
-
公开(公告)号：CN115856571A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211496222.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了基于多应力加速实验快速提取加速系数的方法，本发明利用多应力水平加速芯片退化(包括温度应力、电应力、温度梯度、湿度应力但不仅限于此)，但仅改变其中一个应力，用于该应力对应加速系数的快速提取；其它应力保持不变，仅用来加速芯片退化，缩短实验时间。利用该方法，可以缩短实验时间以及成本，实现集成电路芯片加速系数以及激活能的快速提取，从而制定可靠性评价体系，评估其可靠性指标。
-
公开(公告)号：CN115831892A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211492201.9
申请日：2022-11-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种静电力微循环散热装置，包括一个储液箱体，一个放置在储液箱体上与芯片直接接触的基台，多个从基台上垂直延伸出微通道以及成对添加在微通道两侧的电容板，所述芯片放置于微通道的间隔处；微通道为矩形直通型通道结构，通道结构的通道壁由树脂材料构成，将微通道内的冷却液和电容板隔开。通过对微通道两侧的电容板施加电压可以带动内部冷却剂的上下流动以及在箱体内部的循环流动。本发明省去了传统的驱动泵，依靠静电力作为动力源，在不在占用大量空间的情况下实现对微型芯片的散热，同时在工作过程中仅依靠电压工作，没有电流的产生，可以很大程度的节省能耗。
-
公开(公告)号：CN107622958A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710820324.3
申请日：2017-09-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种异质半导体器件纵向热阻的精确测量方法涉及半导体器件可靠性领域。传统的利用恒定小电流下肖特基正向导通结电压温敏特性来直接测量瞬态温度响应曲线的方法忽视了正向测试电流本身对结电压的影响，这部分影响被当做温度的变化错误的计算进了温度响应曲线中。本申请针对这一瞬态温度变化的测量误差提出了一种修正方法，在传统的瞬态升温曲线测量之前设计了测量恒温时肖特基结结电压在正向小电流下其结电压变化的步骤，利用这一测量结果对最终的测温结果进行修正。该方法可以很好的修正正向测试电流对结电压的影响，从而达到精确测量器件热响应曲线，获取更客观的纵向热阻构成。
-
公开(公告)号：CN107367655A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710665581.4
申请日：2017-08-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种检测行波管收集极散热特性的方法和装置，属于微波真空电子器件检测技术领域。装置包括热阻测试仪、加热探头、测试探头和被测行波管收集极。将测试探头放在被测行波管收集极两侧的对称位置，加热探头放置在行波管收集极上方，在工作电源提供的电压与电流下工作时产生的热量经传热触头传递到行波管收集极，然后经收集极管壳散热到周围环境，两侧测试探头的电学温敏参数变化经采集卡采集，得到两侧测试探头温度上升曲线对比，并经计算得到行波管收集极整体热阻和两侧散热性能差异，从而得出行波管收集极焊接的好坏。本发明实现了非破坏性地检测行波管收集极的散热特性，测量无损伤、周期短、精度高、成本低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.021 seconds)
