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公开(公告)号：CN110673009B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910974943.7
申请日：2019-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置属于功率MOS器件热设计和测试领域。本发明设计了被测SiC MOS器件栅‑漏短接快速切换开关以及栅压供给装置。可用于得到温敏参数曲线，随后施加一定的工作电流并使器件输出功率达到稳态；由加热状态快速切换为测试状态并采集源‑漏寄生二极管的导通压降，得到器件的结温曲线；由结构函数法处理分析得到SiC MOS器件的热阻构成。本发明旨在研究SiC MOS器件纵向热阻分析技术，为SiC MOS器件的热阻特性研究和失效分析提供条件。
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公开(公告)号：CN110673009A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910974943.7
申请日：2019-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置属于功率MOS器件热设计和测试领域。本发明设计了被测SiC MOS器件栅-漏短接快速切换开关以及栅压供给装置。可用于得到温敏参数曲线，随后施加一定的工作电流并使器件输出功率达到稳态；由加热状态快速切换为测试状态并采集源-漏寄生二极管的导通压降，得到器件的结温曲线；由结构函数法处理分析得到SiC MOS器件的热阻构成。本发明旨在研究SiC MOS器件纵向热阻分析技术，为SiC MOS器件的热阻特性研究和失效分析提供条件。
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公开(公告)号：CN107622958A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710820324.3
申请日：2017-09-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种异质半导体器件纵向热阻的精确测量方法涉及半导体器件可靠性领域。传统的利用恒定小电流下肖特基正向导通结电压温敏特性来直接测量瞬态温度响应曲线的方法忽视了正向测试电流本身对结电压的影响，这部分影响被当做温度的变化错误的计算进了温度响应曲线中。本申请针对这一瞬态温度变化的测量误差提出了一种修正方法，在传统的瞬态升温曲线测量之前设计了测量恒温时肖特基结结电压在正向小电流下其结电压变化的步骤，利用这一测量结果对最终的测温结果进行修正。该方法可以很好的修正正向测试电流对结电压的影响，从而达到精确测量器件热响应曲线，获取更客观的纵向热阻构成。
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公开(公告)号：CN109738777B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910003679.2
申请日：2019-01-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种双极型晶体管器件热阻构成测量装置与方法，属于双极型晶体管器件可靠性设计和测试领域。本发明设计了集电极‑地连接高速开关和发射极‑地连接高速开关，通过这两个开关实现测量基极‑集电极(VBC)压降，由此得到双极型晶体管温升与热阻构成。测试中，首先得到温敏参数；然后给被测双极型晶体管器件施加工作电压，使器件升温，待器件达到稳定状态，断开工作电压，接通测试电流，采集基极‑集电极的电压，对应得到器件降温曲线，再使用结构函数法处理分析，就可以得到双极型晶体管的热阻构成。本发明提出一种不同于目前其他仪器测量基极‑发射极(VBE)压降的方法，测量方式更加合理，测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN109709141A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910052090.1
申请日：2019-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种IGBT温升和热阻构成测试装置和方法属于IGBT可靠性设计和测试领域。本发明设计了通过采集IGBT集电极-发射极寄生二极管在小电流下压降获得IGBT热阻构成的测试装置与相应热阻构成测试方法。解决了现有的功率MOS热阻测试仪，通过采集MOS反向寄生二极管的参数提取被测器件热阻的方法用于IGBT测量时，受IGBT拖尾电流影响，难以做到快速切换的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108061611A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711300702.1
申请日：2017-12-10
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: G01K13/00 , G01K15/005
Abstract: 本发明公开了一种利用FPGA嵌入式环形振荡器测量温度分布的装置和方法，该装置包括被测芯片、FPGA核心板、USB转串口、串口线、温箱、PC机和串口传输软件；温箱通过USB转串口、串口线与PC机连接；FPGA核心板设置在温箱中；被测芯片与FPGA连接，串口传输软件设置在PC机中。利用FPGA内部资源搭建的可重构环形振荡器的延迟与温度的对应关系实现探测温度。被探测温度可以转换成一个随温度比例变化的时间信号，输出的频率被一个带扫描回路的计数器读出，然后通过串口传回到电脑的上位机，得到被测芯片各个不同位置的温度。通过不断扫描环形振荡器得到温度分布，改变传感器位置多次测量最终得到芯片的整体温度分布。
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公开(公告)号：CN105158666B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510524770.0
申请日：2015-08-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量及表征半导体器件陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN基HEMT器件栅极处以某一偏压下，在其漏源端加上恒定的电压，其漏极电流会随着时间变化。在较低的功率下，自热效应的影响可以忽略，而此时漏源电流的变化完全由陷阱及缺陷引起，因此，对漏源电流的变化进行提取，处理，分析可以得到其中包含的陷阱及缺陷的相关参数信息。根据这一特性，提出了一种陷阱的RC网络等效模型，并可以测量出陷阱种类数，时间常数大小，俘获电量等参数，测量过程简便，快捷，无损，能够获得器件陷阱参数的信息及其变化。
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公开(公告)号：CN109709141B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910052090.1
申请日：2019-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种IGBT温升和热阻构成测试装置和方法属于IGBT可靠性设计和测试领域。本发明设计了通过采集IGBT集电极‑发射极寄生二极管在小电流下压降获得IGBT热阻构成的测试装置与相应热阻构成测试方法。解决了现有的功率MOS热阻测试仪，通过采集MOS反向寄生二极管的参数提取被测器件热阻的方法用于IGBT测量时，受IGBT拖尾电流影响，难以做到快速切换的问题。
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公开(公告)号：CN106199366B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201610476411.7
申请日：2016-06-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种功率MOS器件在线测温的方法属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。使功率MOS器件处于工作状态下，在功率MOS器件栅极施加测试脉冲电压信号，检测栅极测试脉冲电压信号与对应漏极电流变化的开启延迟时间；测量功率MOS器件漏极输出电流呈线性增大时，该延迟时间与漏极电流的对应关系，再根据器件的漏极电流(所加功率)、热阻和温升之间的对应关系，可得到温度系数；测量在某个工作状态下，功率MOS器件栅极测试脉冲电压信号与对应漏电流变化的开启延迟时间，再由测得的温度系数,得到器件在该状态下的温升大小。即实现功率MOS器件温升的在线测量，也可监控功率MOS器件在某状态下的温升，来判定器件的工作状态。
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公开(公告)号：CN105158666A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510524770.0
申请日：2015-08-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种测量及表征半导体器件陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN基HEMT器件栅极处以某一偏压下，在其漏源端加上恒定的电压，其漏极电流会随着时间变化。在较低的功率下，自热效应的影响可以忽略，而此时漏源电流的变化完全由陷阱及缺陷引起，因此，对漏源电流的变化进行提取，处理，分析可以得到其中包含的陷阱及缺陷的相关参数信息。根据这一特性，提出了一种陷阱的RC网络等效模型，并可以测量出陷阱种类数，时间常数大小，俘获电量等参数，测量过程简便，快捷，无损，能够获得器件陷阱参数的信息及其变化。
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