-
公开(公告)号：CN116047251A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310000307.0
申请日：2023-01-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种采用微秒级瞬态曲线表征GaNHEMT器件陷阱参数的方法，涉及半导体器件可靠性领域。通过电路设计实现对GaNHEMT器件在恒定电学偏置下微秒级瞬态电压曲线的采集，并通过结构函数法进一步分析处理得到相关陷阱信息。所述方法主要包括：将被测器件放置于恒温平台上，并与陷阱测试电路相连接；在陷阱填充过程中通过电路对器件施加偏置电压；在陷阱释放过程中通过快速开关将切换时间缩短至微秒级，同时采集瞬态电压曲线的变化情况并通过软件进行分析处理，得到器件内部陷阱相关信息。本发明通过电路设计将瞬态电压曲线的采集提升至微秒级，可用于不同厂商生产的GaNHEMT器件陷阱测试，具有较好的通用性。
-
公开(公告)号：CN113155893A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110336842.4
申请日：2021-03-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 一种用于各向异性材料不同晶向导热系数比检测的装置与方法属于新型半导体材料及其可靠性研究领域。针对一些新型半导体器件材料具有明显的散热各向异性(如CNT、GaO等)问题，通过自主设计的高灵敏度、高精度热源芯片和测温芯片对薄层材料表面各向异性导热性能进行测试与表征。将热源芯片置于薄层材料表面，在不同晶向上分别放置双测温芯片，对热源芯片设定周期性变化的热源、测定不同晶向上双测温芯片的热传输延迟时间和热扩散速度，进而测量不同晶向导热系数比，实现对各向异性材料面内导热性能有效表征。该方法深入研究了材料横向传热的各向异性，弥补了对各向异性材料实现三维热特性测试的不足。
-
公开(公告)号：CN109541428B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201811546935.4
申请日：2018-12-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种采用源漏短接减少HEMT热阻测量自激振荡的方法和装置，属于半导体器件电学和热学测量技术领域。所述装置包括：HEMT热阻测试仪、防自激电路、测试平台和被测HEMT器件。所述方法包括：将被测HEMT安装于防自激电路中，固定在测试平台上，并与HEMT热阻测试仪相连接，在测试过程中，通过采用防自激振荡技术，大幅度减少HEMT器件自激振荡的发生，从而实现HEMT器件的稳定加热及测量，同时采用一种快速开关技术，在测量前快速短路HEMT源漏两端，减少由于防自激振荡电路引入的各项电学参数，如电容、电感等，对切换时间带来的影响，提高测量结果的准确性。本发明可实现HEMT结温及热阻的稳定测量，并具有较好的通用性。
-
公开(公告)号：CN109061429B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201810654435.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种利用瞬态电压响应表征GaN HEMT器件中陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN HEMT器件处以某一栅压下，在漏源两端施加一恒定电流，其漏源电压随时间呈现指数增长变化。这种变化是由于陷阱对沟道二维面电子气(2DEG)中的载流子进行俘获或对栅反偏电流中的电子俘获引起的，称之为陷阱俘获过程。如果先对器件施加恒定电应力进行陷阱的填充，应力结束后再测量其恢复响应，即陷阱释放过程。通过对这种陷阱释放过程中的瞬态漏源电压变化进行采集，提取，分析，可以得到器件中陷阱的特性及参数。在不同温度下测量释放过程中的陷阱时间常数，可以绘制陷阱的阿伦尼乌斯方程，从而获取其陷阱能级。
-
公开(公告)号：CN104646203A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510107067.X
申请日：2015-03-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种摇臂往复式自控程草坪喷头，该喷头包括摇臂(1)、喷头(2)、变速圈(3)；变速圈(3)安装在摇臂(1)上，所述变速圈(3)是一锥形薄壁空心结构，变速圈(3)的壁面上开有不均匀锥形槽；摇臂(1)的转动带动变速圈(3)转动。由于喷头出水口在经过由摇臂带动的变速圈(3)不均匀槽在转动过程中的改变，根据质量连续方程可得，喷出的水柱流速也会相应变化，从而实现距离的改变。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN117074893A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310809170.3
申请日：2023-07-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种采用射频切换电路实现HEMT热阻准在线测量的方法和装置。本发明通过控制射频切换电路可将被测HEMT器件从工作回路与热阻测量电路中来回切换，同时实现器件射频工作功能以及热阻测量功能。射频切换电路将防自激电路与射频切换开关相结合；通过电路改进将热阻仪的状态切换与射频切换电路开关切换控制集成到一起，热阻测量流程可变更为首先射频开关与第二选通端连接，HEMT器件处于工作回路中的射频下工作状态，而后热阻测试仪开关切换到热阻测试仪测量状态同时使得射频开关一同切换，射频开关从工作回路中断开与热阻测试仪连接进行热阻测量，从而由射频下工作状态替代热阻测试仪工作状态，所得热阻为器件处于实际射频工作状态下的真实热阻。
-
公开(公告)号：CN116520117A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310429707.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种采用探针接触快速测量多路半导体器件的温度系数的方法和装置。本发明将控制模块、激励源模块、测量模块、采集模块、传输模块以及数据处理模块进行了级联调试，设计了对应测试器件的夹具，采用探针法进行测量，完成了高精度的温度系数测量系统的设计与实现。本发明提供的测量方法和装置解决了传统测量只能测量单只器件的问题，同时完成了测量系统的自动化实现，省去了复杂的人工操作，同时提高了测量精度。
-
公开(公告)号：CN115902564A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211464061.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于光电探测器热阻测量的光功率及反向偏置控制装置及方法，涉及半导体光电探测器热特性测量技术领域。本发明包括：第一门驱动电路与光功率设置模块连接；第二门驱动电路与绝缘栅开关器件的栅极连接；测试电流源与被测光电探测器的阳极连接；二极管的阳极与被测光电探测器的阳极连接，二极管的阴极与绝缘栅开关器的漏极连接；绝缘栅开关器的源极与电压源的一端连接；电压源的另一端与被测光电探测器的阴极连接；光功率设置模块通过光路与被测光电探测器连接。本发明可实现从同时设置光功率为通并施加反向偏置的加热状态到设置光功率为断并施加正向电流的测试状态的高速切换。
-
公开(公告)号：CN111289562B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010250313.8
申请日：2020-04-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种薄层热阻测试探针的结构及测试方法，属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所述热测试探针结构包括：探头芯片及封装结构。其中：探头芯片包括由多个二极管串联及并联组成的温度探头，掺杂多晶硅图形构成的微加热器，引线电极及半导体衬底材料；封装结构包括用于固定探头芯片和引出电极的基板和用于移动探头芯片及施加压力的弹簧支撑结构。本发明设计了一种采用双面工艺的Si基测温探头芯片组成的薄层热阻测试探针结构，采用加热源与测量源分离的结构设计，能够实现加热状态和测量状态同时进行，不存在开关延迟，可以对半导体芯片及薄层材料实现非开关式的热阻测量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.026 seconds)
