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公开(公告)号：CN113865742B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202110964595.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01K11/32
Abstract: 一种基于探测光纤用于半导体激光器腔面镀膜内侧测温的方法及装置属于光热反射测温技术领域，所述方法包括：对待测激光器腔面进行光热反射系数CTR的校准；对待测激光器的驱动加以调制；使用一波长大于待测激光器激射波长的激光光束作为探测光，探测光被尾纤发出，垂直投射到待测激光器腔面；反射光携带温度信号再次进入尾纤，滤波后被探测器接收，对其进行计算后得到半导体激光器腔面温度信息。本发明能较为有效地测得半导体激光器工作时有源区前腔面内侧因光吸收而形成的热源并其周围区域的真实温度。相应的测量装置引入光纤进行探测与信号传输，对传统的光热反射测温系统进行了简化，有效提高了测量效率。
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公开(公告)号：CN109709141B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910052090.1
申请日：2019-01-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种IGBT温升和热阻构成测试装置和方法属于IGBT可靠性设计和测试领域。本发明设计了通过采集IGBT集电极‑发射极寄生二极管在小电流下压降获得IGBT热阻构成的测试装置与相应热阻构成测试方法。解决了现有的功率MOS热阻测试仪，通过采集MOS反向寄生二极管的参数提取被测器件热阻的方法用于IGBT测量时，受IGBT拖尾电流影响，难以做到快速切换的问题。
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公开(公告)号：CN114530583A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210131046.1
申请日：2022-02-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种离子交换法合成锂离子电池富锂Fe‑Mn正极材料的方法属于锂离子电池富锂正极材料领域，对于富锂Fe‑Mn正极材料存在首圈库伦效率低、循环稳定性和倍率性能差、循环过程中电压持续衰减等问题。首先通过低温熔盐法合成钠前驱体，然后在锂盐介质中发生Li+/Na+交换，最终得到目标产物。该材料在0.2C的充放电倍率下，首次放电比容量达200～250mAh g‑1，首次库伦效率90％～100％，循环50圈后容量保持率仍能达到75％～85％。该方法合成的正极材料首效高、稳定性好，其合成步骤与共沉淀及溶胶‑凝胶法相比，无有毒有害物质的参与，且合成过程简单，原料储量丰富，价格低廉，耗时短，能够实现商业化生产。
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公开(公告)号：CN114036725A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111229924.5
申请日：2021-10-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/06 , G06F119/08
Abstract: 一种半导体器件热阻抗网络模型的评价方法，属于半导体器件瞬态热测试技术领域。其方法为：基于被测半导体器件的Cauer型网络模型，通过数值方法推导半导体器件在某功率激励下的估计结温升响应曲线，并通过对被测半导体器件加载上述功率激励，提取相应的实测结温升响应曲线并与上述估计结温升响应曲线对比。特别适用于推导半导体器件的冷却响应曲线或加热响应曲线与相应实测曲线进行对比。区分于通过foster型网络模型推导结温升响应曲线，更加符合实际的物理模型，是更有效、更真实的评价方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109570811A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910000648.1
申请日：2019-01-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K31/12
CPC classification number: B23K31/125
Abstract: 一种检测梯形结构工件焊接质量的方法及装置，梯形结构常用于环路热管蒸发器等，属于航天热控技术领域。装置包括：支撑轴组件、两个SCS滑块、四个手泵吸盘、测温芯片固定结构、四个测温芯片和热阻测试仪。所述测温芯片固定结构包括两个梯形支架、四个油压缓冲器以及通过球头关节轴承连接的四个聚四氟垫片。将四个测温芯片通过固定装置同压力紧密贴合于梯形结构工件侧壁上，利用热阻测试仪同时监控四个测温芯片及被测梯形结构工件焊接面的温升过程，分析其热流路径上各层材料的热阻构成。该技术保证四个热源到焊接面具有均匀稳定的热流路径，消除因测温芯片散热面与梯形结构工件侧壁的接触热阻不同所带来的测量误差，实现对梯形结构工件焊接质量的快速表征。
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公开(公告)号：CN118084066A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410225636.X
申请日：2024-02-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G45/12 , H01M4/505 , H01M10/0525
Abstract: 一种纯固相法合成锂离子电池富锂全锰正极材料的方法属于锂离子电池富锂正极材料领域。首先通过干法球磨高温固相的方法合成出钠正极材料前驱体，然后前驱体与锂盐介质在熔融状态下发生离子交换。该材料在30mA/g的电流下首次放电比容量达250mAh/g。在60mA/g的电流下循环100圈容量保持率在75％。该方法合成的正极材料具备比容量高，稳定性，成本低等显著的特点。同时该方法与传统的湿法合成相比，合成过程简单，合成过程中没有危险化学品添加，没有产生危险性废液。比湿法合成更环保更安全，能够实现大规模商业生产。
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公开(公告)号：CN116047251A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310000307.0
申请日：2023-01-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种采用微秒级瞬态曲线表征GaNHEMT器件陷阱参数的方法，涉及半导体器件可靠性领域。通过电路设计实现对GaNHEMT器件在恒定电学偏置下微秒级瞬态电压曲线的采集，并通过结构函数法进一步分析处理得到相关陷阱信息。所述方法主要包括：将被测器件放置于恒温平台上，并与陷阱测试电路相连接；在陷阱填充过程中通过电路对器件施加偏置电压；在陷阱释放过程中通过快速开关将切换时间缩短至微秒级，同时采集瞬态电压曲线的变化情况并通过软件进行分析处理，得到器件内部陷阱相关信息。本发明通过电路设计将瞬态电压曲线的采集提升至微秒级，可用于不同厂商生产的GaNHEMT器件陷阱测试，具有较好的通用性。
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公开(公告)号：CN109541428B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201811546935.4
申请日：2018-12-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种采用源漏短接减少HEMT热阻测量自激振荡的方法和装置，属于半导体器件电学和热学测量技术领域。所述装置包括：HEMT热阻测试仪、防自激电路、测试平台和被测HEMT器件。所述方法包括：将被测HEMT安装于防自激电路中，固定在测试平台上，并与HEMT热阻测试仪相连接，在测试过程中，通过采用防自激振荡技术，大幅度减少HEMT器件自激振荡的发生，从而实现HEMT器件的稳定加热及测量，同时采用一种快速开关技术，在测量前快速短路HEMT源漏两端，减少由于防自激振荡电路引入的各项电学参数，如电容、电感等，对切换时间带来的影响，提高测量结果的准确性。本发明可实现HEMT结温及热阻的稳定测量，并具有较好的通用性。
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