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公开(公告)号：CN112505526B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202011419790.9
申请日：2020-12-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种大功率模块内部多芯片温度分布均匀性的评测方法，首先在不同测试电流下建立校温曲线库；其次，基于校温曲线，在不同的测试电流下，测得多个温度值；再次，计算不同测试电流测的温度之间的差值；最后，根据温度阈值与所测温度差值对比，即可在不破坏模块封装的情况下判别模块的温度分布情况。避免了在实际工程中无法判别模块内部温度分布均匀程度是否可以达标的问题。
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公开(公告)号：CN114217198A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111482805.0
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了基于短脉冲大电流的碳化硅MOSFET模块热阻测量方法，可用于碳化硅MOSFET模块或者分立器件的热阻准确测量。所述测量方法的适用条件为，(1)给定了施加栅压的区间；(2)给定了加热栅压与测试栅压的施加条件；(3)给定了测试电流的选取范围；(4)给定了脉冲宽度的选取标准。首先，根据适用条件做出特定测试脉冲电流等级下的校温曲线，得到温敏系数K值，利用测试源表及散热平台先进行碳化硅MOSFET分立器件的热阻测量，通过数据手册上的热阻值验证该测试条件的可行性，并用碳化硅MOSFET模块进行热阻测量的验证。利用该适用条件，可在短脉冲大电流正向导通压降法的基础上，无需增加额外设备，即可实现碳化硅MOSFET模块结温及热阻的测量。
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公开(公告)号：CN111276602A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010092622.7
申请日：2020-02-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器，通过脉冲激光沉积方法生长钌酸锶下电极钨酸铋薄膜，并通过掩膜版法制作铂上电极，完成BWO薄膜器件的制备。使用安捷伦安捷伦B1500A测量其I-V特性曲线，在双对数坐标系下，分析其内部导电机制符合空间电荷限制传导，且正方向具有优异的保持特性，BWO薄膜器件具有制备阻变存储器的潜力。使用安捷伦B1500A、Radiant铁电铁测试仪，对BWO阻变存储器的数据保持特性以及疲劳特性进行测试，评估BWO阻变存储器的可靠性。实验发现，BWO薄膜器件拥有优秀的阻变特性，且具备良好的保持和疲劳特性，可应用于阻变存储器件。
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公开(公告)号：CN106124952B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610405945.0
申请日：2016-06-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种基于数学滤波算法的结温校准方法属于电子器件测试领域，传统的半导体器件结温测量方法有电学法、红外法等。由于理论误差及测量过程中噪声的存在，以上方法均不能准确测量半导体器件结温。本发明将半导体器件视为一个具有单输入，双输出，在时间上离散的动态系统。其中输入为上一时刻的热功率矩阵双输出分别为本时刻的结温及热功率矩阵通过不断递归运算对半导体器件结温进行实时，有效的校准。本发明是一种利用线性系统状态方程，通过系统输入观测系统输出，对系统状态进行最优估计的算法。该算法能在测量方差已知的情况下从一系列存在噪声的数据中，估计动态系统的状态，获得更为接近真实值的数据。
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公开(公告)号：CN106409818A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610905648.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L23/64
CPC classification number: H01L28/55
Abstract: 一种非破坏性得到柔性铁电薄膜电容的方法，属于铁电器件及半导体工艺领域。本发明为通过便捷、经济的方法得到无机衬底且具备柔性的铁电薄膜电容器件，通过使用金刚砂、工业蜡、玻璃片和玻璃板等常见材料作为衬底研磨的工具，利用加热平台使工业蜡融化并粘合玻璃片与PZT，而后用金刚砂可以将衬底厚度约为500μm的刚性PZT器件减薄到100μm厚从而成为柔性PZT，再利用少量化学试剂可以去除粘附在器件表面的残留工业蜡。该方法原理简单、成本低廉、安全可靠，相比于其他方法可以更快更安全地得到柔性铁电薄膜器件，同时不会失去其优良的电学特性，且该柔性器件在反复受力条件下仍能保持良好的电学性能，具备优良的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103076551A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310000861.5
申请日：2013-01-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种LED灯具热阻构成测试装置和方法属于半导体LED照明和显示可靠性设计和考核技术领域。本发明的主要发明点在于：在实际LED灯具中，选取、隔离部分LED作为测温元件，设计了控制外部灯具电源的同步开关方式和装置，利用瞬态温升过程曲线的采集线路和方法，在线测量实际LED灯具的热阻构成。当LED灯具实用不同的散热器，或散热器与LED器件接触不良，其各部分的热阻就不同，通过测量不同设计和装备下的热阻构成，可以优化LED灯具的散热设计，降低灯具的最高结温，保证LED灯具使用寿命和品质。该发明主要应用于快速、非破坏性确定LED灯具热阻构成的方法和装置。
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公开(公告)号：CN111276602B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202010092622.7
申请日：2020-02-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: H10B63/00
Abstract: 本发明公开了一种基于钨酸铋材料的非挥发性阻变存储器，通过脉冲激光沉积方法生长钌酸锶下电极钨酸铋薄膜，并通过掩膜版法制作铂上电极，完成BWO薄膜器件的制备。使用安捷伦安捷伦B1500A测量其I‑V特性曲线，在双对数坐标系下，分析其内部导电机制符合空间电荷限制传导，且正方向具有优异的保持特性，BWO薄膜器件具有制备阻变存储器的潜力。使用安捷伦B1500A、Radiant铁电铁测试仪，对BWO阻变存储器的数据保持特性以及疲劳特性进行测试，评估BWO阻变存储器的可靠性。实验发现，BWO薄膜器件拥有优秀的阻变特性，且具备良好的保持和疲劳特性，可应用于阻变存储器件。
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公开(公告)号：CN116660721A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310564357.1
申请日：2023-05-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种测试功率模块内部芯片有源区温度分布均匀性的无损方法，在不同温度下测试模块温度敏感电学参数，获得模块温度敏感电学参数的校温曲线；利用芯片有源区各温度区间的温度分布规律，结合算法，建立温度分布参数(尺度参数和位置参数)和电流电压关系的四维校温曲线库；通过测试模拟实际工况下升温后模块温度敏感电学参数，与四维校温曲线库比对，实现功率模块内部芯片有源区温度均匀性的无损检测。
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公开(公告)号：CN115856571A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211496222.8
申请日：2022-11-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了基于多应力加速实验快速提取加速系数的方法，本发明利用多应力水平加速芯片退化(包括温度应力、电应力、温度梯度、湿度应力但不仅限于此)，但仅改变其中一个应力，用于该应力对应加速系数的快速提取；其它应力保持不变，仅用来加速芯片退化，缩短实验时间。利用该方法，可以缩短实验时间以及成本，实现集成电路芯片加速系数以及激活能的快速提取，从而制定可靠性评价体系，评估其可靠性指标。
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公开(公告)号：CN114152854A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111316459.9
申请日：2021-11-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种基于陷阱俘获载流子机理下对柔性薄膜晶体管内部缺陷进行无损电学检测的方法属于半导体器件检测领域。所述方法通过检测陷阱俘获载流子的情况，得到器件的电流值随时间变化，经过一系列的数学处理后，最终实现对柔性薄膜晶体管内部缺陷的无损电学检测。首先，在柔性薄膜晶体管开态情况下，对器件不同电极上施加电压，对器件陷阱俘获载流子的情况进行检测，得到IDS‑time的瞬态电流曲线；在器件处于关态情况下，检测陷阱俘获载流子的情况；将提取得到的陷阱时间常数谱，结合提取出陷阱的激活能，最终确定柔性薄膜晶体管的陷阱位置。本发明所述的方法设备简单、操作方便，在无需增加额外设备即可实现对柔性薄膜晶体管内部缺陷的无损电学检测。
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