-
公开(公告)号：CN117907787A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410113792.7
申请日：2024-01-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基结温敏特性的GaN基HEMT温升和热阻测试系统，本发明采用电学法，以栅源肖特基结正向压降为温敏参数，以栅漏肖特基结正向压降为温敏参数对GaN基HEMT进行温升和热阻测量。本发明可以实现采用栅漏肖特基结正向压降作为温敏参数，对GaN基HEMT进行温升和热阻测量，这使得测量结果比现有技术测量的待测器件温升更高；利用基于FPGA的时序控制电路对器件的三端开关进行灵活的控制，分别实现以栅源、栅漏以及将源漏短接后的肖特基结正向压降为温敏参数的温升和热阻的测量，且开关时间控制在微秒级别，实现加热状态和测试状态的快速切换。该系统能够提供稳定的测试电流，并且该测试电流值可以在一定范围内根据需要进行自主设置。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
