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公开(公告)号：CN117890751A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410086929.4
申请日：2024-01-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种测量异质结器件界面温升和热阻的方法，包括探测激光器，加热激光器、反射镜、凸透镜、分光镜、滤光片和光电转换电路组成激光热反射系统，并与上位机交互。样品表面待测点刻蚀出相同大小、均匀分布的矩形阵列，刻蚀深度超过异质界面层，保证矩形面积为其激光加热的热流通过面积。将待测器件固定在恒温平台上，将探测激光照射在样品待测位置，改变恒温平台温度，通过光电转换电路测得不同温度下器件探测激光反射率与温度的关系。保持恒温平台温度恒定，打开加热激光器，同时采集卡采集光电转换电路输出电压变化，待器件温度稳定，得到温升引起的器件反射率随加热时间变化的瞬态温升曲线，通过结构函数法处理得到薄层异质界面热阻。
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公开(公告)号：CN116298750A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310163377.8
申请日：2023-02-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件微区结构损伤无损表征的方法，对待测器件施加一定电学偏置条件，利用测试仪器分别采集被测器件应力作用前后漏电流随时间变化的瞬态曲线，利用贝叶斯迭代的时间常数提取方法从瞬态曲线中提取器件损伤位置的时间常数，结合峰值谱时间常数提取技术将器件损伤位置的时间常数以峰值谱的形式呈现出来，并在此基础上利用幅值谱技术进行谱值化表征，将应力作用下器件内部不可见的微区结构损伤的演化过程转变为可视化的谱线移动，实现器件微区结构损伤的精准定位、损伤程度和演化过程的谱值化量化表征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118294776A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410557382.1
申请日：2024-05-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件陷阱作用强度测试表征装置，属于半导体器件可靠性领域。通过电路设计实现对半导体器件在恒定电学偏置下微秒级瞬态电压曲线的采集并通过结构函数法进一步分析处理得到相关陷阱信息。采用基于贝叶斯反卷积函数的时间常数提取方法优化了陷阱提取精度，并全面表征了时间常数、绝对振幅等陷阱特性。所述方法包括：将被测器件放置于恒温平台，并与陷阱测试电路相连接；在陷阱填充过程中通过电路对器件施加偏置电压；在陷阱释放过程中通过快速开关将切换时间缩短至微秒级，同时采集瞬态电压曲线的变化情况并通过软件进行分析处理，得到器件内部陷阱相关信息。
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公开(公告)号：CN115458592A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211263370.5
申请日：2022-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有栅介质保护区的碳化硅平面型IGBT，包括P+集电极、位于P+集电极背面的金属集电极和位于P+集电极正面的N型缓冲层；N型缓冲层正面是N－漂移区；N－漂移区正面中间注入一系列重掺杂P+岛、两侧分别具有一个P型基区；两个相邻P型基区之间是N型电荷存储JFET区；两个N型重掺杂N+接触区侧部分别具有一个P型重掺杂P+接触区；金属化发射极位于器件顶层，连接器件中的所有P型重掺杂P+接触区和N型重掺杂N+接触区；金属化发射极和金属化栅极通过绝缘层场氧化层被隔离开；金属化栅极下方是栅介质；本发明所提出的栅介质屏蔽区，可使得在增大相邻p型基区间距时，继续保持较低的关态栅介质电场。
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公开(公告)号：CN117907787A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410113792.7
申请日：2024-01-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于肖特基结温敏特性的GaN基HEMT温升和热阻测试系统，本发明采用电学法，以栅源肖特基结正向压降为温敏参数，以栅漏肖特基结正向压降为温敏参数对GaN基HEMT进行温升和热阻测量。本发明可以实现采用栅漏肖特基结正向压降作为温敏参数，对GaN基HEMT进行温升和热阻测量，这使得测量结果比现有技术测量的待测器件温升更高；利用基于FPGA的时序控制电路对器件的三端开关进行灵活的控制，分别实现以栅源、栅漏以及将源漏短接后的肖特基结正向压降为温敏参数的温升和热阻的测量，且开关时间控制在微秒级别，实现加热状态和测试状态的快速切换。该系统能够提供稳定的测试电流，并且该测试电流值可以在一定范围内根据需要进行自主设置。
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公开(公告)号：CN117907786A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410113784.2
申请日：2024-01-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于瞬态电流变化的SiC MOSFET器件陷阱表征方法，该方法基于贝叶斯迭代反卷积的时间常数提取方法，分析时间常数和峰值谱变化，实现SiC MOSFET器件陷阱的特性表征。所述表征方法的过程包括：瞬态漏极电流采集、时间常数提取、陷阱激活能计算以及陷阱定位。SiC MOSFET器件深能级陷阱俘获电子时会引起漏极电流的下降，释放电子时会引起漏极电流增加，瞬态电流变化包含了陷阱信息，由此通过瞬态电流获取陷阱的方法是一种较好的方法。基于该关系，通过采集器件在不同温度下的漏极电流瞬态变化曲线，利用贝叶斯迭代反卷积方法进行时间常数提取，并结合阿伦尼斯方程计算获得陷阱激活能，从而实现对器件陷阱信息的表征。
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公开(公告)号：CN116148618A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211571525.1
申请日：2022-12-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于热反射率的半导体器件温度和热阻构成测量装置，涉及温度测量领域。本发明将半导体器件固定在恒温平台上，恒温平台通过加热电源稳定在不同的温度下，利用由光纤、激光器、环形器以及采集系统形成的光热反射测量系统测量半导体器件的待测区域在不同温度下的反射率，通过线性拟合获得待测区域的光热反射系数Cth。将恒温平台维持恒温，通过计算机控制驱动电路给半导体器件施加不同的电学激励；与此同时，计算机同步控制采集卡开始采集光电转换电路输出的电压信号，持续采集反射率的变化，结合之前得到的光热反射系数Cth，计算得到器件待测区域的瞬态温度变化曲线。
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