公开(公告)号：CN104076265B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201410266126.3

申请日：2014-06-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  史冬 ,  杨军伟

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置，属于半导体器件电学和热学测量技术领域。所述方法包括：快速拉升半导体器件环境温度，并随时间快速线性上升。同时采集线性升高的环境温度和器件温敏参数值随时间变化。当测量温度随时间的线性变化率，以及温敏参数随温度变化率，即可得到温敏参数随温度的变化系数。所述装置包括：温度系数测试仪、温度控制平台和被测半导体器件。本发明采用动态法测量半导体器件温度系数，改变环境温度的同时采集相应温敏参数。该方法测量速度快，精度高，重复性好，极大地提高了半导体器件热性能的测量效率。

公开(公告)号：CN105158666A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510524770.0

申请日：2015-08-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  郑翔 ,  张亚民 ,  杨军伟 ,  史冬 ,  石帮兵

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种测量及表征半导体器件陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN基HEMT器件栅极处以某一偏压下，在其漏源端加上恒定的电压，其漏极电流会随着时间变化。在较低的功率下，自热效应的影响可以忽略，而此时漏源电流的变化完全由陷阱及缺陷引起，因此，对漏源电流的变化进行提取，处理，分析可以得到其中包含的陷阱及缺陷的相关参数信息。根据这一特性，提出了一种陷阱的RC网络等效模型，并可以测量出陷阱种类数，时间常数大小，俘获电量等参数，测量过程简便，快捷，无损，能够获得器件陷阱参数的信息及其变化。

公开(公告)号：CN104076265A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410266126.3

申请日：2014-06-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  史冬 ,  杨军伟 ,  柴伟

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置，属于半导体器件电学和热学测量技术领域。所述方法包括：快速拉升半导体器件环境温度，并随时间快速线性上升。同时采集线性升高的环境温度和器件温敏参数值随时间变化。当测量温度随时间的线性变化率，以及温敏参数随温度变化率，即可得到温敏参数随温度的变化系数。所述装置包括：温度系数测试仪、温度控制平台和被测半导体器件。本发明采用动态法测量半导体器件温度系数，改变环境温度的同时采集相应温敏参数。该方法测量速度快，精度高，重复性好，极大地提高了半导体器件热性能的测量效率。

公开(公告)号：CN105158666B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201510524770.0

申请日：2015-08-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  郑翔 ,  张亚民 ,  杨军伟 ,  史冬 ,  石帮兵

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种测量及表征半导体器件陷阱参数的方法涉及半导体器件可靠性领域。当GaN基HEMT器件栅极处以某一偏压下，在其漏源端加上恒定的电压，其漏极电流会随着时间变化。在较低的功率下，自热效应的影响可以忽略，而此时漏源电流的变化完全由陷阱及缺陷引起，因此，对漏源电流的变化进行提取，处理，分析可以得到其中包含的陷阱及缺陷的相关参数信息。根据这一特性，提出了一种陷阱的RC网络等效模型，并可以测量出陷阱种类数，时间常数大小，俘获电量等参数，测量过程简便，快捷，无损，能够获得器件陷阱参数的信息及其变化。