-
公开(公告)号：CN115166458B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210693857.0
申请日：2022-06-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种SiCMOSFET阈值电压准确测量的方法，该方法可用于SiCMOSFET器件阈值电压的准确测量。包括：(1)给定施加重置栅压的幅值区间；(2)给定重置栅压脉宽的选取标准；(3)给定测试时扫描栅压的施加条件；(4)给定重置栅压与测试扫描栅压之间时间间隔的选取标准。首先，通过初步测量，获取器件阈值电压范围，根据适用条件施加重置栅压填充SiCMOSFET存在的界面态陷阱，控制重置栅压与测试扫描栅压之间的差值，利用下行扫描的测试方法确定此次测量的阈值电压。利用该适用条件，可在填充陷阱避免阈值电压漂移的基础上，无需增加额外设备，即可保证SiC MOSFET的阈值电压避免滞后效应，实现SiCMOSFET阈值电压的准确测量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116660721A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310564357.1
申请日：2023-05-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种测试功率模块内部芯片有源区温度分布均匀性的无损方法，在不同温度下测试模块温度敏感电学参数，获得模块温度敏感电学参数的校温曲线；利用芯片有源区各温度区间的温度分布规律，结合算法，建立温度分布参数(尺度参数和位置参数)和电流电压关系的四维校温曲线库；通过测试模拟实际工况下升温后模块温度敏感电学参数，与四维校温曲线库比对，实现功率模块内部芯片有源区温度均匀性的无损检测。
-
公开(公告)号：CN113866582B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110992743.1
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率器件开关瞬间抗烧毁能力的检测方法，属于半导体器件测试可靠性的技术领域。主要应用于功率器件开启关断瞬间器件抗烧毁能力的评估，从而指导并提高器件可靠性的方法和装置。首先，通过施加低于盲点的栅压或通态压降，控制功率器件处于导通电阻负温度系数区域，模拟带容性负载开启及感性负载关断等工况；然后，通过对器件施加一组可控的递增脉冲信号，来模拟器件开启关断瞬间的功耗及热点形成情况，从而定量评价功率器件的抗瞬态烧毁能力，进而探索器件耐受瞬态失效的最恶劣条件。本发明也可以用于评价功率器件其它工况下抗瞬态烧毁能力。
-
公开(公告)号：CN113866582A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110992743.1
申请日：2021-08-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率器件开关瞬间抗烧毁能力的检测方法，属于半导体器件测试可靠性的技术领域。主要应用于功率器件开启关断瞬间器件抗烧毁能力的评估，从而指导并提高器件可靠性的方法和装置。首先，通过施加低于盲点的栅压或通态压降，控制功率器件处于导通电阻负温度系数区域，模拟带容性负载开启及感性负载关断等工况；然后，通过对器件施加一组可控的递增脉冲信号，来模拟器件开启关断瞬间的功耗及热点形成情况，从而定量评价功率器件的抗瞬态烧毁能力，进而探索器件耐受瞬态失效的最恶劣条件。本发明也可以用于评价功率器件其它工况下抗瞬态烧毁能力。
-
公开(公告)号：CN115166458A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210693857.0
申请日：2022-06-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种SiCMOSFET阈值电压准确测量的方法，该方法可用于SiCMOSFET器件阈值电压的准确测量。包括：(1)给定施加重置栅压的幅值区间；(2)给定重置栅压脉宽的选取标准；(3)给定测试时扫描栅压的施加条件；(4)给定重置栅压与测试扫描栅压之间时间间隔的选取标准。首先，通过初步测量，获取器件阈值电压范围，根据适用条件施加重置栅压填充SiCMOSFET存在的界面态陷阱，控制重置栅压与测试扫描栅压之间的差值，利用下行扫描的测试方法确定此次测量的阈值电压。利用该适用条件，可在填充陷阱避免阈值电压漂移的基础上，无需增加额外设备，即可保证SiC MOSFET的阈值电压避免滞后效应，实现SiCMOSFET阈值电压的准确测量。
-
公开(公告)号：CN115166457A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210693852.8
申请日：2022-06-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种SiCMOSFET模块内部多芯片温度分布均匀性的无损测试方法，在SiCMOSFET模块栅极施加一个高栅压，工作在盲区之上，分别施加小电流和长脉宽大电流，获得小电流的温度敏感参数和大电流含有自升温的温度敏感参数；通过反向逆推大电流含有自升温的温度敏感参数，获得未产生自升温的校温曲线，结合小电流的校温曲线，建立校温曲线库；基于校温曲线库，在小电流和长脉宽大电流下，测试升温后模块的两个温度值，计算二者温度结果的差值；根据温度差值的大小与参考温度差值作比较，即可在不破坏模块封装的情况下判断模块内部的温度分布情况。本发明避免了在实际工况下，模块内部多芯片温度分布不均匀、温度差异大，导致个别芯片可靠性明显降低的问题。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.031 seconds)
