公开(公告)号：CN104697882B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201410521143.7

申请日：2014-09-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李江江 ,  高志远 ,  邹德恕 ,  程顺波 ,  李慧敏 ,  薛晓玮 ,  王勋

IPC: G01N5/02

Abstract: 一种基于ZnO纳米线阵列的环境空气PM2.5颗粒物的质量传感器件及其制备方法，它涉及纳米技术与环境监测领域。本发明中，当环境气体流过ZnO纳米线阵列时，PM2.5颗粒附着在纳米线上，通过检测ZnO纳米线振动频率的改变，由ZnO纳米线振动频率和PM2.5颗粒质量之间的定量关系，从而检测PM2.5颗粒的质量。本发明简单有效，适用于日常生活中各种环境空气中PM2.5颗粒质量的检测。

公开(公告)号：CN108287300A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201810040682.7

申请日：2018-01-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  王勋 ,  何鑫 ,  张亚民 ,  陈宇峥

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种测量工作状态下的绝缘栅型场效应晶体管结温的方法和装置属于半导体器件测量技术领域。本发明设计了包括：采用FPGA产生脉宽可调的测试信号；设计了MOSFET栅极驱动电路及栅极测试信号的附加电路，在MOSFET处于一个稳定工作的状态下，利用测试信号附加电路，在栅极原有的工作开启电压上叠加一个大小可调的测试信号；检测漏源电压的变化，当其值变化幅度高出设定标准时，监测电路产生一个指示信号传送给FPGA；基于FPGA的内部计时器，将测试信号的产生时刻和指示信号的接收时刻分别记录，求出二者时差，利用时差与温度间的线性关系，结合工作功率反应的结到壳的温差，求解出器件在该工作状态下的结温。

公开(公告)号：CN106199366B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201610476411.7

申请日：2016-06-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  石帮兵 ,  史冬 ,  张亚民 ,  王勋

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种功率MOS器件在线测温的方法属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。使功率MOS器件处于工作状态下，在功率MOS器件栅极施加测试脉冲电压信号，检测栅极测试脉冲电压信号与对应漏极电流变化的开启延迟时间；测量功率MOS器件漏极输出电流呈线性增大时，该延迟时间与漏极电流的对应关系，再根据器件的漏极电流(所加功率)、热阻和温升之间的对应关系，可得到温度系数；测量在某个工作状态下，功率MOS器件栅极测试脉冲电压信号与对应漏电流变化的开启延迟时间，再由测得的温度系数,得到器件在该状态下的温升大小。即实现功率MOS器件温升的在线测量，也可监控功率MOS器件在某状态下的温升，来判定器件的工作状态。

公开(公告)号：CN108287300B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201810040682.7

申请日：2018-01-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  王勋 ,  何鑫 ,  张亚民 ,  陈宇峥

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种测量工作状态下的绝缘栅型场效应晶体管结温的方法和装置属于半导体器件测量技术领域。本发明设计了包括：采用FPGA产生脉宽可调的测试信号；设计了MOSFET栅极驱动电路及栅极测试信号的附加电路，在MOSFET处于一个稳定工作的状态下，利用测试信号附加电路，在栅极原有的工作开启电压上叠加一个大小可调的测试信号；检测漏源电压的变化，当其值变化幅度高出设定标准时，监测电路产生一个指示信号传送给FPGA；基于FPGA的内部计时器，将测试信号的产生时刻和指示信号的接收时刻分别记录，求出二者时差，利用时差与温度间的线性关系，结合工作功率反应的结到壳的温差，求解出器件在该工作状态下的结温。

公开(公告)号：CN106199366A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610476411.7

申请日：2016-06-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 冯士维 ,  石帮兵 ,  史冬 ,  张亚民 ,  王勋

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2601

Abstract: 一种功率MOS器件在线测温的方法属于功率半导体器件以及电力电子应用技术领域。使功率MOS器件处于工作状态下，在功率MOS器件栅极施加测试脉冲电压信号，检测栅极测试脉冲电压信号与对应漏极电流变化的开启延迟时间；测量功率MOS器件漏极输出电流呈线性增大时，该延迟时间与漏极电流的对应关系，再根据器件的漏极电流(所加功率)、热阻和温升之间的对应关系，可得到温度系数；测量在某个工作状态下，功率MOS器件栅极测试脉冲电压信号与对应漏电流变化的开启延迟时间，再由测得的温度系数,得到器件在该状态下的温升大小。即实现功率MOS器件温升的在线测量，也可监控功率MOS器件在某状态下的温升，来判定器件的工作状态。

公开(公告)号：CN104697882A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410521143.7

申请日：2014-09-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李江江 ,  高志远 ,  邹德恕 ,  程顺波 ,  李慧敏 ,  薛晓玮 ,  王勋

IPC: G01N5/02

Abstract: 一种基于ZnO纳米线阵列的环境空气PM2.5颗粒物的质量传感器件及其制备方法，它涉及纳米技术与环境监测领域。本发明中，当环境气体流过ZnO纳米线阵列时，PM2.5颗粒附着在纳米线上，通过检测ZnO纳米线振动频率的改变，由ZnO纳米线振动频率和PM2.5颗粒质量之间的定量关系，从而检测PM2.5颗粒的质量。本发明简单有效，适用于日常生活中各种环境空气中PM2.5颗粒质量的检测。