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公开(公告)号：CN109811323B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201910062031.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种磁控溅射装置和托盘检测方法，该装置包括：腔室，所述腔室内设有用于承载托盘的基座；传感器，所述传感器能发射和/或接收沿直线路径传播的探测信号，且所述探测信号的路径平行于所述基座的承载表面，以检测所述基座上的托盘；以及控制部件，所述控制部件接收所述传感器的状态信号，根据所述状态信号判断所述基座上托盘的状态。通过上述方案，传感器的检测范围与托盘的厚度相匹配，能够对是否存在托盘和托盘是否破损进行识别；有效解决磁控溅射的腔室中托盘状态无法及时检测的问题。
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公开(公告)号：CN111128847B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201911347255.4
申请日：2019-12-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本申请实施例提供了一种承载装置及半导体加工设备。该承载装置设置于工艺腔室内，包括：基座及多个支撑组件；多个支撑组件均设置于基座上，且多个支撑组件相互配合以支撑托盘；支撑组件包括检测部，用于检测支撑组件上受到的压力值。本申请实施例实现了通过支撑组件可以直接对托盘进行检测，可以使得承载装置实现了能够及时发现托盘异常情况，对于无盘、倾斜及碎盘现象均可以通过支撑组件进行检测，从而可以避免承载装置上的托盘发生异常情况。
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公开(公告)号：CN110938807B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201911174232.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/54 , C23C14/34 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法和系统，其中控制方法包括以下步骤：选择源腔室和目的腔室，并选择源腔室的托盘位置和目的腔室的托盘位置；选择工艺配方，工艺配方包括目标晶圆从源腔室传输至目的腔室将要执行的工艺参数；确认开始传盘后，生成并执行第一个子任务，同时监控第一个子任务的状态；当第一个子任务结束时，生成并执行第二个子任务，直至第N个子任务结束，N为自然数，完成目标晶圆从源腔室到目的腔室的回盘操作。本发明的有益效果在于，将在工艺腔室中加工的晶圆从工艺腔室传送到冷却腔室再到装卸载腔室的传输过程，只需一键操作，减轻了操作人员的工作任务，提高了任务的执行效率。
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公开(公告)号：CN110938807A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911174232.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/54 , C23C14/34 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法和系统，其中控制方法包括以下步骤：选择源腔室和目的腔室，并选择源腔室的托盘位置和目的腔室的托盘位置；选择工艺配方，工艺配方包括目标晶圆从源腔室传输至目的腔室将要执行的工艺参数；确认开始传盘后，生成并执行第一个子任务，同时监控第一个子任务的状态；当第一个子任务结束时，生成并执行第二个子任务，直至第N个子任务结束，N为自然数，完成目标晶圆从源腔室到目的腔室的回盘操作。本发明的有益效果在于，将在工艺腔室中加工的晶圆从工艺腔室传送到冷却腔室再到装卸载腔室的传输过程，只需一键操作，减轻了操作人员的工作任务，提高了任务的执行效率。
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公开(公告)号：CN114107931B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111402282.4
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 杨依龙
IPC: C23C14/50 , H01L21/203
Abstract: 本发明提供一种半导体腔室，半导体腔室包括腔体和设置在腔体中的第一遮挡件和可升降的基座组件，其中，第一遮挡件与腔体的内周壁固定连接，且沿腔体的内周壁的周向设置；基座组件包括基座本体、第二遮挡件和定位结构，基座本体与腔体同轴设置，用于承载晶圆；第二遮挡件沿基座本体的周向设置在基座本体上，基座本体位于上升至工艺位时，第二遮挡件与第一遮挡件部分重叠设置，且第二遮挡件的与第一遮挡件相互重叠的部分位于第一遮挡件背离基座本体的一侧；定位结构设置在基座本体与第二遮挡件之间，用于对基座本体与第二遮挡件的相对位置进行定位。本发明提供的半导体腔室能够避免遮挡晶圆，提高晶圆沉积薄膜的均匀性，从而改善芯片性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110911320B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201911251679.0
申请日：2019-12-09
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种冷却装置及其控制方法、半导体加工设备。冷却装置用于对托盘进行冷却，其包括腔室以及设置于腔室内的驱动单元、冷却单元及加热单元；所述驱动单元用于驱动所述托盘移动，以带动所述托盘选择性位于第一位置或第二位置；所述冷却单元用于对所述托盘进行冷却，当所述托盘位于第一位置时以第一速率对所述托盘降温，当所述托盘位于第二位置时以第二速率对所述托盘降温，且所述第二速率大于所述第一速率；所述加热单元用于选择性对所述托盘进行加热，以调整所述冷却单元对所述托盘冷却的速率。本申请实施例实现了稳定托盘的冷却速度，从而可以有效提高冷却效率，进而使得托盘的冷却不再成为影响产能的瓶颈。
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公开(公告)号：CN111128845B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201911292324.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 马迎功 , 董博宇 , 郭冰亮 , 武学伟 , 武树波 , 赵晨光 , 翟洪涛 , 杨依龙 , 杨健 , 甄梓杨 , 宋玲彦 , 孙鲁阳 , 李新颖 , 刘玉杰 , 许文学 , 张璐 , 崔亚欣
IPC: H01L21/687 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/50
Abstract: 一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
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公开(公告)号：CN113192876A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110481501.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , C23C14/50
Abstract: 本申请公开一种半导体设备及其承载装置，其中，承载装置包括承载部、保护环和多个绝缘支撑件，承载部包括承载本体和围绕承载本体设置的外延部，外延部与承载本体相连，承载本体用于承载半导体待加工件，每个绝缘支撑件具有支撑面，保护环通过与多个支撑面的接触支撑于外延部上，且多个绝缘支撑件设于保护环与承载部之间，以使保护环与承载部之间形成第一间隙。本申请通过设置绝缘支撑件能够使保护环和承载部的连接可靠性更好，防止承载部和保护环受热膨胀挤压绝缘支撑件而导致绝缘支撑件损坏，进而使得应用承载装置的半导体设备的可靠性更好。
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公开(公告)号：CN111128845A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911292324.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 马迎功 , 董博宇 , 郭冰亮 , 武学伟 , 武树波 , 赵晨光 , 翟洪涛 , 杨依龙 , 杨健 , 甄梓杨 , 宋玲彦 , 孙鲁阳 , 李新颖 , 刘玉杰 , 许文学 , 张璐 , 崔亚欣
IPC: H01L21/687 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/50
Abstract: 一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
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公开(公告)号：CN116815140B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202310745558.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体、校准机构以及设于腔体之内的承载座、托架和遮蔽部件；校准机构设于腔体；遮蔽部件可随托架在第一位置与第二位置之间切换；在遮蔽部件处在第一位置的情况下，遮蔽部件与承载座错开，且校准机构可将遮蔽部件调整至托架上的预设位置处；在遮蔽部件处在托架上的预设位置处，且托架带动遮蔽部件运动至第二位置的情况下，遮蔽部件位于承载座的上方，且遮蔽部件的中心轴线与承载座的中心轴线之间的间隔距离小于或等于第一预设距离。此方案能解决相关技术涉及的工艺腔室在对遮蔽部件进行位置校准时较易产生颗粒而污染承载座的问题。本申请还公开一种半导体工艺设备。
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