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公开(公告)号:CN111446201B
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202010254737.1
申请日:2020-04-02
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种承载装置及半导体设备,其中,承载装置包括基座、托盘、卡环和绝缘连接部件,其中,托盘位于基座上;卡环环绕设置在托盘的周围,且卡环的内周壁与托盘的外周壁在水平方向上具有第一预设距离,第一预设距离满足能够使卡环与托盘在径向上相互绝缘;绝缘连接部件设置在托盘与卡环之间,用于使卡环与托盘相互绝缘。本发明提供的承载装置及半导体设备能够避免打火现象的发生,并且能够避免压环与待加工工件的工艺面接触,从而提高待加工工件的工艺结果。
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公开(公告)号:CN111501000B
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202010338066.7
申请日:2020-04-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor: 刘学滨
IPC: C23C14/50 , C23C14/34 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种承载装置及工艺腔室,其中,承载装置包括可升降的基座、顶针组件和多个封堵组件,基座中设置有多个通孔,多个通孔沿基座的周向间隔分布,顶针组件包括多个顶针,顶针的数量与通孔的数量相同,且每个顶针一一对应地穿设于每个通孔中;封堵组件的数量与通孔的数量相同,且每个封堵组件被设置为能够一一对应地将每个顶针限定在通孔中,使之能够随基座移动,且能够对各通孔进行封堵。本发明提供的承载装置及工艺腔室,能够提高半导体加工工艺的工艺效率及工艺结果。
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公开(公告)号:CN112593199A
公开(公告)日:2021-04-02
申请号:CN202011337321.2
申请日:2020-11-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/02 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置设置于半导体工艺设备的工艺腔室内,用于在承载并冷却晶圆,其包括:基座及套设于基座的外周的绝缘环;基座的上表面设置有气流道结构,气流道结构沿基座的径向和环向延伸设置,并且与延伸至基座的周缘,气流道结构用于通入冷却气体,以对承载于基座上表面的晶圆进行冷却;绝缘环用于限定晶圆的位置,并且绝缘环和/或基座上设置有导流结构,导流结构与气流道结构连通,用于导流冷却气体,以调整基座上表面的排气速率。本申请实施例实现了对晶圆的实时冷却,以使得晶圆可连续执行工艺,从而大幅提升了半导体工艺设备的产能。
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公开(公告)号:CN112820688B
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202011545747.7
申请日:2020-12-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor: 刘学滨
IPC: H01L21/687 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种用于半导体腔室的支撑装置及半导体设备,支撑装置包括固定结构、支撑结构和连接件,其中,固定结构用于与半导体腔室固定连接;支撑结构包括支撑主体和固定件,支撑主体设置在固定结构上,用于支撑进入半导体腔室中的待加工工件,固定件固定设置在支撑主体上,并与固定结构同轴设置;连接件间隔设置于固定件上方,并与固定结构固定连接,且与固定件采用非接触的方式配合将支撑结构固定于固定结构上。本发明提供的用于半导体腔室的支撑装置及半导体设备能够避免支撑主体在与固定结构固定时相对于固定结构产生位移,同时降低安装难度,减少安装时间,并提高支撑主体安装位置的准确性,避免待加工工件或半导体设备相关部件的损坏。
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公开(公告)号:CN114774872B
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202210467364.5
申请日:2022-04-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请公开一种磁控管装置及磁控溅射设备,磁控管装置用于作用靶材组件而溅射粒子。磁控管装置包括第一磁控管、第二磁控管和第一驱动机构,其中:第一驱动机构与第一磁控管和第二磁控管均相连,第一驱动机构用于驱动第一磁控管和第二磁控管移动而使其中一者靠近靶材组件、且另一者远离靶材组件;在第一磁控管靠近靶材组件的情况下,第一磁控管与靶材组件的环带区域对应布置;在第二磁控管靠近靶材组件的情况下,第二磁控管与靶材组件的中部区域对应布置。上述方案能够防止靶材的中部区域沉积溅射粒子。
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公开(公告)号:CN114774872A
公开(公告)日:2022-07-22
申请号:CN202210467364.5
申请日:2022-04-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请公开一种磁控管装置及磁控溅射设备,磁控管装置用于作用靶材组件而溅射粒子。磁控管装置包括第一磁控管、第二磁控管和第一驱动机构,其中:第一驱动机构与第一磁控管和第二磁控管均相连,第一驱动机构用于驱动第一磁控管和第二磁控管移动而使其中一者靠近靶材组件、且另一者远离靶材组件;在第一磁控管靠近靶材组件的情况下,第一磁控管与靶材组件的环带区域对应布置;在第二磁控管靠近靶材组件的情况下,第二磁控管与靶材组件的中部区域对应布置。上述方案能够防止靶材的中部区域沉积溅射粒子。
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公开(公告)号:CN113192876A
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN202110481501.6
申请日:2021-04-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , C23C14/50
Abstract: 本申请公开一种半导体设备及其承载装置,其中,承载装置包括承载部、保护环和多个绝缘支撑件,承载部包括承载本体和围绕承载本体设置的外延部,外延部与承载本体相连,承载本体用于承载半导体待加工件,每个绝缘支撑件具有支撑面,保护环通过与多个支撑面的接触支撑于外延部上,且多个绝缘支撑件设于保护环与承载部之间,以使保护环与承载部之间形成第一间隙。本申请通过设置绝缘支撑件能够使保护环和承载部的连接可靠性更好,防止承载部和保护环受热膨胀挤压绝缘支撑件而导致绝缘支撑件损坏,进而使得应用承载装置的半导体设备的可靠性更好。
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公开(公告)号:CN116053159B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202211318946.3
申请日:2022-10-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备,所公开的半导体工艺设备包括预清洗工艺腔室(100)、杂质承接内衬(200)和冷却盘(300),所述预清洗工艺腔室(100)具有腔室空间(130);冷却盘(300)设于腔室空间(130)内;杂质承接内衬(200)设于腔室空间(130)内,杂质承接内衬(200)包括筒状部(210)和顶板(220),顶板(220)与冷却盘(300)贴合,顶板(220)覆盖筒状部(210)的邻近冷却盘(300)的端口,且与筒状部(210)相连,顶板(220)与筒状部(210)围成预清洗空间(131)。上述方案能解决相关技术涉及的半导体工艺设备存在制冷效果不佳的问题。
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公开(公告)号:CN116053159A
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202211318946.3
申请日:2022-10-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备,所公开的半导体工艺设备包括预清洗工艺腔室(100)、杂质承接内衬(200)和冷却盘(300),所述预清洗工艺腔室(100)具有腔室空间(130);冷却盘(300)设于腔室空间(130)内;杂质承接内衬(200)设于腔室空间(130)内,杂质承接内衬(200)包括筒状部(210)和顶板(220),顶板(220)与冷却盘(300)贴合,顶板(220)覆盖筒状部(210)的邻近冷却盘(300)的端口,且与筒状部(210)相连,顶板(220)与筒状部(210)围成预清洗空间(131)。上述方案能解决相关技术涉及的半导体工艺设备存在制冷效果不佳的问题。
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公开(公告)号:CN118053792A
公开(公告)日:2024-05-17
申请号:CN202410195396.3
申请日:2022-10-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备,所公开的半导体工艺设备包括工艺腔室、固定支架、转轴和两个连接臂,所述工艺腔室包括腔室主体和腔室盖体,所述腔室盖体与所述腔室主体相连,且用于围成腔室空间;所述转轴转动地设于所述固定支架上,所述两个连接臂与所述转轴固定相连,且可随所述转轴转动,所述两个连接臂均与所述腔室盖体固定相连,所述腔室盖体可随所述两个连接臂的转动与所述腔室主体相连或分离;所述腔室盖体设有第二冷媒通道,一个所述连接臂为第二冷媒输入管道,另一个所述连接臂为第二冷媒输出管道,所述第二冷媒输入管道和所述第二冷媒输出管道分别与所述第二冷媒通道的两端连通。
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