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公开(公告)号：CN115110053B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210885299.8
申请日：2022-07-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种可调平基座及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种可调平基座包括：基座本体、基座轴、安装架组件、安装座组件和调节组件；基座本体连接于基座轴的一端；安装架组件设有分别用于供基座轴穿设的第一安装孔和第二安装孔；安装座组件用于将安装架组件安装至工艺腔室，安装座组件设有安装通道，基座轴穿设于安装通道内，且两者之间存有间隙；调节组件包括调节衬套和调节件，调节衬设置于第一安装孔与基座轴之间，且调节衬套与第一安装孔的孔壁之间存有预设间隙，调节件带动调节衬套在第一安装孔内运动。一种半导体工艺设备，包括上述可调平基座。本申请能够解决磁控溅射镀膜工艺腔室存在的无法调节基座水平度的问题。
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公开(公告)号：CN113897588B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202111123228.6
申请日：2021-09-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 赵康宁
Abstract: 本发明提供了一种半导体工艺设备中的遮蔽装置，用于遮蔽所述半导体工艺设备工艺腔室中用于承载晶圆的基座，包括：遮蔽盘和用于承载所述遮蔽盘的托盘，其中，所述遮蔽盘包括：遮蔽盘本体和设置在所述遮蔽盘本体上的突出部，所述突出部位于所述遮蔽盘本体朝向所述托盘的一侧，所述托盘上设置有多个校正机构，多个所述校正机构沿所述突出部的周向分布，多个所述校正机构的用于在所述遮蔽盘落至所述托盘的过程中，在所述遮蔽盘重力的作用下夹持所述突出部，并推动所述突出部沿所述托盘的表面移动至目标位置。本发明实施例还提供了一种半导体工艺设备。本发明能够提高遮蔽盘与托盘对位的准确性。
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公开(公告)号：CN113061865B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110300813.2
申请日：2021-03-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 赵康宁
IPC: C23C14/50 , C23C14/54 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种提升装置及半导体工艺设备，涉及半导体制造领域。该提升装置为半导体工艺设备中基座的提升装置，用于驱动基座在工艺腔室内升降，包括提升机构和平移机构；平移机构包括层叠设置的支撑部、第一滑板、第二滑板和安装板，调节组件连接支撑板和安装板，安装板固定于工艺腔室，第一滑板沿第一方向滑动连接于支撑板，第二滑板沿第二方向滑动连接于第一滑板，第二滑板上设有沿第三方向延伸的滑套；提升机构包括升降轴，升降轴可滑动地设置于滑套中。上述半导体工艺设备，包括上述提升装置。本申请实施例至少能够缓解基片位置偏差的问题。
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公开(公告)号：CN114156149A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111417577.9
申请日：2021-11-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种磁控管装置和半导体工艺设备，磁控管装置包括旋转座、驱动轴、换位转轴、曲柄、连杆、摇杆、安装座、磁控管、第一限位件和第二限位件，在驱动轴沿第一方向转动，且驱动摇杆限位于第一限位件的情况下，驱动轴驱动旋转座沿第一方向转动，且磁控管与安装座的连接处与驱动轴之间的间距为第一间距；在驱动轴沿第二方向转动，且驱动摇杆限位于第二限位件的情况下，驱动轴驱动旋转座沿第二方向转动，且磁控管与安装座的连接处与驱动轴之间的间距为第二间距，第二间距大于第一间距，且第二方向与第一方向互为反方向。上述技术方案公开的磁控管装置具备切换磁控管位置的能力。
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公开(公告)号：CN113061865A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110300813.2
申请日：2021-03-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 赵康宁
IPC: C23C14/50 , C23C14/54 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种提升装置及半导体工艺设备，涉及半导体制造领域。该提升装置为半导体工艺设备中基座的提升装置，用于驱动基座在工艺腔室内升降，包括提升机构和平移机构；平移机构包括层叠设置的支撑部、第一滑板、第二滑板和安装板，调节组件连接支撑板和安装板，安装板固定于工艺腔室，第一滑板沿第一方向滑动连接于支撑板，第二滑板沿第二方向滑动连接于第一滑板，第二滑板上设有沿第三方向延伸的滑套；提升机构包括升降轴，升降轴可滑动地设置于滑套中。上述半导体工艺设备，包括上述提升装置。本申请实施例至少能够缓解基片位置偏差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118547258A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410592739.X
申请日：2024-05-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/50 , H01L21/687
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，其包括：腔体、屏蔽件、挡环、压环组件和支撑组件；屏蔽件承载于腔体的上端部，腔体接地，屏蔽件套设于腔体内，挡环和压环组件均套设于屏蔽件内，压环组件承载于屏蔽件，挡环罩设于压环组件上方，挡环承载于屏蔽件，支撑组件用于承载晶圆；在支撑组件上升至工艺位置的情况下，支撑组件托起压环组件，压环组件的内侧边缘压盖于晶圆的周缘，压环组件分别与挡环和屏蔽件绝缘分隔。半导体工艺腔室的挡环可以对压环起到遮挡作用，以防止压环上堆积过多电荷；且压环能够在工艺流程结束后释放电荷，可以避免压环与晶圆之间发生打火现象。
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公开(公告)号：CN114156149B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111417577.9
申请日：2021-11-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种磁控管装置和半导体工艺设备，磁控管装置包括旋转座、驱动轴、换位转轴、曲柄、连杆、摇杆、安装座、磁控管、第一限位件和第二限位件，在驱动轴沿第一方向转动，且驱动摇杆限位于第一限位件的情况下，驱动轴驱动旋转座沿第一方向转动，且磁控管与安装座的连接处与驱动轴之间的间距为第一间距；在驱动轴沿第二方向转动，且驱动摇杆限位于第二限位件的情况下，驱动轴驱动旋转座沿第二方向转动，且磁控管与安装座的连接处与驱动轴之间的间距为第二间距，第二间距大于第一间距，且第二方向与第一方向互为反方向。上述技术方案公开的磁控管装置具备切换磁控管位置的能力。
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公开(公告)号：CN111809157B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010692137.3
申请日：2020-07-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35 , H01J25/50 , H01L21/203
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其磁控管机构。该磁控管机构包括：背板组件、活动磁极及固定磁极；背板组件包括第一背板及第二背板，第二背板能相对于第一背板移动；多个固定磁极设置于第一背板的底面上，多个活动磁极设置于第二背板的底面上；当第二背板移动至预设位置时，多个活动磁极中的至少一个活动磁极与多个固定磁极中的至少一个固定磁极构成一呈闭合状态的磁控管，其它活动磁极及固定磁极呈非闭合状态。本申请实施例实现多个磁控管的交替启辉，进而实现多种工艺之间快速切换，并且不会出现多个磁控管之间争夺启辉现象，从而进一步增加工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN115074687A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210759057.4
申请日：2022-06-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种磁控管运动装置、磁控管组件及半导体工艺设备，涉及半导体工艺装备领域。磁控管运动装置包括旋转驱动机构、支撑机构、限位机构和遮蔽机构；支撑机构安装第一磁控管和第二磁控管；限位机构包括第一限位结构和第二限位结构，第一限位结构与支撑机构连接，第二限位结构与旋转端连接，第一限位结构和第二限位结构相对转动或静止；遮蔽机构与第二限位结构或旋转端连接；第一限位结构和第二限位结构相对转动时，旋转驱动机构带动遮蔽机构转动至遮蔽一个磁控管；第一限位结构和第二限位结构相对静止时，旋转驱动机构通过支撑机构带动第一磁控管和第二磁控管转动。本申请至少能够解决单一磁控管带来的适应性差的问题。
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公开(公告)号：CN108728795A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710239705.2
申请日：2017-04-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明属于半导体制备技术领域，具体涉及一种工艺设备。该工艺设备，包括工艺腔室、基座、支撑机构、抽气口和抽气装置，所述支撑机构设置于所述工艺腔室底部并支撑所述基座，所述抽气口位于所述工艺腔室底壁以使所述抽气装置与所述工艺腔室连通，其中，在所述基座和所述抽气口之间设置有隔离分流板，所述隔离分流板将所述工艺腔室分为相互连通的工艺区和抽气区,且所述连通位置的总面积大于所述抽气口的面积。该工艺设备能减小冷泵偏置抽气对工艺腔室内气体运动的影响，实现沉积薄膜膜厚均匀性，改善工艺稳定性和产品良率。
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