-
公开(公告)号：CN118581431A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202310201660.5
申请日：2023-03-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种调平工装及磁控溅射设备的磁性组件的调平方法，调平工装用于对磁控溅射设备的磁性组件进行水平调节，包括：手持部，所述手持部设置有从顶面贯穿至底面的第一连接孔；支撑部，与所述手持部的外壁连接，并且环绕所述手持部设置，用于在调平时支撑在所述磁控溅射设备的上电极腔的侧壁上，所述支撑部包括用于避让所述上磁性组件的调平件和紧固螺钉的镂空区；升降轴，相对于所述手持部可升降地设置于所述第一连接孔内；至少一个测量板，与所述升降轴的底端连接，并且由所述升降轴向远离所述升降轴的方向水平延伸。本申请的调平工装可以使调平操作简单快速，可以提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN112349639B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011164872.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明公开一种晶圆转载装置及半导体工艺设备，晶圆转载装置包括支架、驱动机构和托盘承载部；驱动机构的驱动端与托盘承载部连接；托盘承载部具有第一预设位置和第二预设位置；在托盘承载部处于第一预设位置的情况下，托盘承载部的承载面低于晶圆承载盒的托盘支架的承载面；在托盘承载部处于第二预设位置的情况下，托盘承载部的承载面高于托盘支架的承载面；当托盘承载部由第一预设位置向第二预设位置切换时，托盘承载部可托起托盘，托盘由托盘支架转载至托盘承载部上；当托盘承载部由第二预设位置向第一预设位置切换时，托盘承载部可将托盘转载至托盘支架上。上述方案能够解决托盘在转载的过程中容易烫伤操作人员的问题。
-
公开(公告)号：CN117737674A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410115459.X
申请日：2024-01-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及镀膜设备技术领域，所公开的工艺腔室包括腔体以及设置于腔体中的内衬和接地装置；接地装置包括承载件和至少两个导电部，承载件与腔体的内壁连接，且环绕设置于内衬的外侧壁，至少两个导电部分别与承载件滑动连接，且可沿内衬的外侧壁的周向运动，导电部的一端与内衬的外侧壁导电接触，以使内衬通过腔体接地。由于内衬可通过导电部的滑动调整接地位置，以使内衬上各处的电压均匀分布，从而使工艺腔室内的等离子体分布更加均匀，进而提升了膜层的均匀性和半导体的良品率。
-
公开(公告)号：CN114086146B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202111368801.X
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/50 , C23C14/52 , C23C14/22 , H01L21/687
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工设备及其承载装置。该承载装置包括：基座、承载板及至少一组测温结构，每组测温结构均包括两个测温机构；其中，基座层叠设置于与承载板上方，用于承载晶圆；每个测温机构均包括测温组件及支撑组件，测温组件的顶端与基座连接，用于检测基座的温度信号；支撑组件顶端与测温组件底端顶抵，支撑组件的底端与承载板连接，用于传输温度信号。本申请实施例实现了基座与承载板非硬连接的情况下对基座进行测温，避免承载装置突然运动(尤其是下降时)或有外界振动干扰时检测结果出现异常，从而保证了本申请实施例的稳定性。
-
公开(公告)号：CN111128845B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201911292324.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 马迎功 , 董博宇 , 郭冰亮 , 武学伟 , 武树波 , 赵晨光 , 翟洪涛 , 杨依龙 , 杨健 , 甄梓杨 , 宋玲彦 , 孙鲁阳 , 李新颖 , 刘玉杰 , 许文学 , 张璐 , 崔亚欣
IPC: H01L21/687 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/50
Abstract: 一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114959559A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210586343.5
申请日：2022-05-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/02 , C23C14/14 , C23C14/35 , H01L21/768
Abstract: 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其上电极机构。该上电极机构包括：电源装置、馈入组件及调节组件；馈入组件包括有引入杆、引入板及连接杆，引入杆的两端分别与电源装置及引入板连接，并且引入杆与引入板同轴设置；多个连接杆围绕引入杆的轴线均匀分布，并且每个连接杆的一端通过调节组件与引入板选择性连接，另一端与靶材连接；调节组件包括有多个调节块，多个调节块与多个连接杆一一对应设置，用于选择性将连接杆与引入板连接，以使引入板能通过连接杆向靶材提供功率。本申请实施例实现了对靶材接收功率的均匀性进行调节，从而使得靶材接收到的功率较为均匀，进而提高膜厚的均匀性问题。
-
公开(公告)号：CN111128845A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911292324.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 马迎功 , 董博宇 , 郭冰亮 , 武学伟 , 武树波 , 赵晨光 , 翟洪涛 , 杨依龙 , 杨健 , 甄梓杨 , 宋玲彦 , 孙鲁阳 , 李新颖 , 刘玉杰 , 许文学 , 张璐 , 崔亚欣
IPC: H01L21/687 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/50
Abstract: 一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
-
公开(公告)号：CN113699494B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111006316.8
申请日：2021-08-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法，其包括：腔体以及设置在腔体中的加热组件、承载组件和升降组件；其中，升降组件能够将待处理件移动至用于进行加热去气工艺的第一工艺位或者用于进行预清洗工艺的第二工艺位；预处理腔室还包括防干扰装置，防干扰装置设置于加热组件的用于与电源连接的一端，防干扰装置用以防止承载组件加载射频功率后干扰加热组件的电信号。本发明能够将去气设备和预清洗设备集成在同一个腔室且不会互相干扰，而且在进行预清洗工艺时，去气工艺设备能够持续对待处理件进行加热以维持待处理件温度的稳定，进而可以提高待处理件的预处理效果，以使后续待处理件上沉积的薄膜质量和产能均能得到提升。
-
公开(公告)号：CN112760602B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011469751.X
申请日：2020-12-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种金属氮化物薄膜沉积方法，应用于半导体设备的工艺腔室，包括以下步骤：S1、对衬底进行加热，以去除衬底上的杂质；S2、向工艺腔室中通入氮气，并开启偏压电源，激发氮气形成等离子体，以通过使等离子体轰击衬底的表面来去除残留的杂质，并与衬底表面上的金属原子反应形成金属氮化物缓冲层；S3、进行溅射工艺，以在金属氮化物缓冲层上沉积形成金属氮化物薄膜。本发明实施例提供的金属氮化物薄膜沉积方法，其不仅可以完全去除衬底的水汽和与衬底表面结合较紧固的杂质，而且还可以减少金属氮化物薄膜的应力，从而可以提高金属氮化物薄膜性能。
-
公开(公告)号：CN113862622A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111123778.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属化合物薄膜的制备方法，包括：步骤1：将待沉积薄膜的晶圆放入反应腔室中基座上方的托盘上；步骤2：向反应腔室内通入惰性气体和工艺气体的混合气体，对反应腔室中的金属靶材施加脉冲直流功率，使该混合气体形成等离子体，该等离子体轰击金属靶材，以在晶圆上形成金属化合物薄膜；同时对基座施加射频偏压功率，以调整金属化合物薄膜的应力。本发明在步骤2中，对基座施加射频偏压功率，以在晶圆上形成金属化合物薄膜时调整金属化合物薄膜的应力。解决了薄膜受力弯曲，甚至脱落的问题，进而提升了器件的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.041 seconds)
