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公开(公告)号：CN114203622B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202111485961.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 张璐
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本申请公开了一种承载装置、半导体工艺设备及电流平衡方法，涉及半导体领域。一种承载装置包括：基座，基座设有正极模块和负极模块，正极模块与正极电路连接，负极模块与负极电路连接；电流调节组件，电流调节组件与正极电路及负极电路分别连接，用于采集第一电流信号和第二电流信号，并根据第一电流信号和第二电流信号对正极电路和负极电路中的至少一者进行调节，以使第一电流信号与第二电流信号呈预设比例。一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，工艺腔室中设有上述承载装置。一种电流平衡方法，应用于上述承载装置。本申请能够解决正、负极电缆总线的射频阻抗不受控等问题。
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公开(公告)号：CN118057567A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202211445045.0
申请日：2022-11-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 张璐
Abstract: 本发明提供一种上电极组件，包括射频馈入柱、靶材背板、多个功率扩散件和多个升阻模块，靶材背板的底部用于固定靶材，射频馈入柱的顶端用于与上电源组件连接，多个功率扩散件的第一端与射频馈入柱的底端电连接，多个功率扩散件的第二端沿靶材背板的径向向外延伸，多个升阻模块一一对应地连接在多个功率扩散件的第二端与靶材背板的顶部之间，且升阻模块连接在功率扩散件与靶材背板之间的负载可调。本发明中可通过增大上电极组件内阻的方式，增大上电极组件、靶材和靶材下方的等离子体的总负载，降低上电极组件寄生电阻带来的功率损耗，提高射频能量的馈入效率以及射频能量馈入的均匀性，保证半导体工艺效果。本发明还提供一种半导体工艺腔室。
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公开(公告)号：CN110911320B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201911251679.0
申请日：2019-12-09
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种冷却装置及其控制方法、半导体加工设备。冷却装置用于对托盘进行冷却，其包括腔室以及设置于腔室内的驱动单元、冷却单元及加热单元；所述驱动单元用于驱动所述托盘移动，以带动所述托盘选择性位于第一位置或第二位置；所述冷却单元用于对所述托盘进行冷却，当所述托盘位于第一位置时以第一速率对所述托盘降温，当所述托盘位于第二位置时以第二速率对所述托盘降温，且所述第二速率大于所述第一速率；所述加热单元用于选择性对所述托盘进行加热，以调整所述冷却单元对所述托盘冷却的速率。本申请实施例实现了稳定托盘的冷却速度，从而可以有效提高冷却效率，进而使得托盘的冷却不再成为影响产能的瓶颈。
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公开(公告)号：CN111128845B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201911292324.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 马迎功 , 董博宇 , 郭冰亮 , 武学伟 , 武树波 , 赵晨光 , 翟洪涛 , 杨依龙 , 杨健 , 甄梓杨 , 宋玲彦 , 孙鲁阳 , 李新颖 , 刘玉杰 , 许文学 , 张璐 , 崔亚欣
IPC: H01L21/687 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/50
Abstract: 一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
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公开(公告)号：CN111501004B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202010387661.X
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种温度控制方法和系统、半导体设备，该方法包括以下步骤：S1，使用加热装置对被加工工件进行加热，且在加热过程中根据预设的功率调节规则调节加热装置的输出功率，直至被加工工件的温度达到预设的第一目标值，其中，第一功率调节规则用于控制加热装置的输出功率随被加工工件的温度升高而增大；S2，使用加热装置继续对被加工工件进行加热，且在加热过程中实时检测被加工工件的温度值，并根据该温度值调节加热装置的输出功率，以使被加工工件的温度达到预设目标值。本发明提供的温度控制方法和系统的技术方案，可以在保证加热速率的基础上，减小加热功率的波动，有效减少碎盘的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106647323B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201510729428.4
申请日：2015-10-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 张璐
IPC: G05B17/02
Abstract: 本发明实施例提供了一种设备模拟运行控制方法及装置。该设备模拟运行控制方法包括：接收对第一对象的控制指令，所述控制指令包括进入模拟状态或进入非模拟状态；查找所述第一对象对应的配置文件；其中，所述配置文件包括与至少两个对象对应的公共配置文件及与一个对象对应的独立配置文件；根据所述控制指令更新所述第一对象对应的配置文件中的模拟标记；根据更新后的所述模拟标记运行所述第一对象。该方法在实现分对象分模块进行模拟控制的基础上简化了控制过程，提高了处理效率，而且在更改配置文件的设置时，也减小了工作量，提高了可用性。
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公开(公告)号：CN109755163B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201711077605.0
申请日：2017-11-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 张璐
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种腔室装载基片的方法，包括以下步骤：包括装载步骤和卸载步骤，所述装载步骤包括：S1，至少打开背吹气路上沿气体流向最靠近基座的背吹通道的控制阀，以使所述背吹气路中的至少部分被憋气体自所述基座的背吹通道释放至腔室中；S2，将基片放置在所述基座上并固定；S3，开通所述背吹气路并打开气源，以使气源通过所述背吹气路和所述背吹通道向所述基片的背面供气。本发明对基片背吹时可以降低通气瞬间的压力，从而可以解决通气瞬间压力过大造成基片位置发生偏移的问题。
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公开(公告)号：CN109814006B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201811565127.2
申请日：2018-12-20
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 张璐
IPC: G01R31/12 , H01J37/244
Abstract: 本发明实施例提供一种蚀刻系统放电异常检测方法和装置，该方法包括：获取与等离子体腔室连接的匹配器中可变器件的当前阻抗值；若所述当前阻抗值与预设阈值相匹配，且匹配的持续时间不小于预设时长，则确认放电异常。通过上述方案，有效解决蚀刻系统中的等离子体腔室发生放电异常后，无法及时、准确检测的问题。
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公开(公告)号：CN111128845A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911292324.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 马迎功 , 董博宇 , 郭冰亮 , 武学伟 , 武树波 , 赵晨光 , 翟洪涛 , 杨依龙 , 杨健 , 甄梓杨 , 宋玲彦 , 孙鲁阳 , 李新颖 , 刘玉杰 , 许文学 , 张璐 , 崔亚欣
IPC: H01L21/687 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/50
Abstract: 一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
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公开(公告)号：CN108231516B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201611146069.0
申请日：2016-12-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 张璐
Abstract: 本发明提供一种阻抗匹配方法、阻抗匹配系统和半导体处理装置。该阻抗匹配方法包括：检测射频脉冲的开启关闭状态；若射频脉冲为开启状态，计算并调整匹配网络中可变元件的值到目标值，以使负载阻抗与射频源的阻抗相匹配；若射频脉冲为关闭状态，判断负载阻抗是否在第一预设范围内或者腔室内的等离子体密度是否小于第二预设值；如果是，保持可变元件的值为所述目标值；如果否，调整可变元件的值返回初始预设值。该阻抗匹配方法不仅能够在确保阻抗成功匹配的前提下，加快阻抗匹配速度，从而降低匹配网络失配的风险；而且能够在脉冲关闭阶段等离子体熄灭时，避免脉冲再次开启时的起辉失败和匹配网络由于输出电压较低所导致的阻抗失配。
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