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公开(公告)号：CN118737797A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410815126.8
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种上电极结构及半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域，上述的上电极结构包括第一壳体、第二壳体和电容调节装置，第二壳体设于第一壳体之内，且第一壳体与第二壳体之间具有间隙，电容调节装置设于间隙中，用于调节第一壳体与第二壳体之间的局部区域的电容。可以利用电容调节装置调节第一壳体和第二壳体之间的局部区域的电容，由于第二壳体内的射频能量会通过电容耦合的方式传递至第一壳体，在第一壳体和第二壳体的电容变化的区域，射频能量的传递量也会随之产生变化，从而可以通过控制射频能量的传递量的方式，对第二壳体内的射频能量的均匀性进行调节，进而能够提升工艺的均匀性，保证了半导体制造过程的良品率。
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公开(公告)号：CN112233999B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202011061931.4
申请日：2020-09-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体工艺设备及其转台机构，该转台机构用于承载托盘，并带动托盘旋转，转台机构包括：载台、旋转机构以及伸缩机构，其中，旋转结构用于带动载台旋转；载台包括用于承载托盘的第一承载件；伸缩机构设置于载台上，且包括第二承载件，第二承载件位于载台的周围，用于与第一承载件共同支撑托盘；并且伸缩机构是可伸缩的，使第二承载件能够沿载台的径向伸缩。应用本申请，可以承载不同尺寸的托盘。
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公开(公告)号：CN113862622B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111123778.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属化合物薄膜的制备方法，包括：步骤1：将待沉积薄膜的晶圆放入反应腔室中基座上方的托盘上；步骤2：向反应腔室内通入惰性气体和工艺气体的混合气体，对反应腔室中的金属靶材施加脉冲直流功率，使该混合气体形成等离子体，该等离子体轰击金属靶材，以在晶圆上形成金属化合物薄膜；同时对基座施加射频偏压功率，以调整金属化合物薄膜的应力。本发明在步骤2中，对基座施加射频偏压功率，以在晶圆上形成金属化合物薄膜时调整金属化合物薄膜的应力。解决了薄膜受力弯曲，甚至脱落的问题，进而提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112981334B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110161102.1
申请日：2021-02-05
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种半导体加工设备及对半导体加工设备进行清理的工艺，所公开的半导体加工设备包括反应腔室、升降驱动装置、屏蔽件和靶材；升降驱动装置用于驱动反应腔室内承载晶片的托盘在第一位置与第二位置之间移动；屏蔽件设于反应腔室的侧壁；靶材设于反应腔室内，且靶材与托盘相对设置；在托盘位于第一位置的情况下，托盘与靶材之间的距离为第一距离，且屏蔽件的第一区域位于托盘背离靶材的一侧；在托盘位于第二位置的情况下，托盘与靶材之间的距离为第二距离，第一距离小于第二距离。上述方案能够解决半导体加工设备在生产过程中由于溅射电压过高而影响半导体加工设备的产能及其生产的产品的良率问题。
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公开(公告)号：CN111501004A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010387661.X
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种温度控制方法和系统、半导体设备，该方法包括以下步骤：S1，使用加热装置对被加工工件进行加热，且在加热过程中根据预设的功率调节规则调节加热装置的输出功率，直至被加工工件的温度达到预设的第一目标值，其中，第一功率调节规则用于控制加热装置的输出功率随被加工工件的温度升高而增大；S2，使用加热装置继续对被加工工件进行加热，且在加热过程中实时检测被加工工件的温度值，并根据该温度值调节加热装置的输出功率，以使被加工工件的温度达到预设目标值。本发明提供的温度控制方法和系统的技术方案，可以在保证加热速率的基础上，减小加热功率的波动，有效减少碎盘的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109811323A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910062031.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种磁控溅射装置和托盘检测方法，该装置包括：腔室，所述腔室内设有用于承载托盘的基座；传感器，所述传感器能发射和/或接收沿直线路径传播的探测信号，且所述探测信号的路径平行于所述基座的承载表面，以检测所述基座上的托盘；以及控制部件，所述控制部件接收所述传感器的状态信号，根据所述状态信号判断所述基座上托盘的状态。通过上述方案，传感器的检测范围与托盘的厚度相匹配，能够对是否存在托盘和托盘是否破损进行识别；有效解决磁控溅射的腔室中托盘状态无法及时检测的问题。
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公开(公告)号：CN118263145A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211682302.2
申请日：2022-12-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种冷却腔室、晶圆冷却方法以及半导体工艺设备，包括：腔体，腔体内部包括冷却空间；基座，设置于冷却空间中，用于承载托盘；第一冷却结构，设置于基座中，用于对置于基座上的托盘进行冷却；第二冷却结构，设置于冷却空间中，且位于基座上方，用于对处于第一预设位置处的托盘进行冷却；其中，第一预设位置位于基座与第二冷却结构之间；托盘支撑结构，用于支撑托盘，以及将托盘运送至第一预设位置或基座上。本发明可以在快速冷却托盘的同时，降低发生碎盘的风险。
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公开(公告)号：CN113699494B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111006316.8
申请日：2021-08-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种预处理腔室、半导体的预处理方法、加工设备及方法，其包括：腔体以及设置在腔体中的加热组件、承载组件和升降组件；其中，升降组件能够将待处理件移动至用于进行加热去气工艺的第一工艺位或者用于进行预清洗工艺的第二工艺位；预处理腔室还包括防干扰装置，防干扰装置设置于加热组件的用于与电源连接的一端，防干扰装置用以防止承载组件加载射频功率后干扰加热组件的电信号。本发明能够将去气设备和预清洗设备集成在同一个腔室且不会互相干扰，而且在进行预清洗工艺时，去气工艺设备能够持续对待处理件进行加热以维持待处理件温度的稳定，进而可以提高待处理件的预处理效果，以使后续待处理件上沉积的薄膜质量和产能均能得到提升。
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公开(公告)号：CN111725129B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202010604530.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开一种晶圆承载装置及半导体工艺设备，晶圆承载装置包括托盘支撑部、多个夹持组件、支撑架和用于放置晶圆的托盘；托盘支撑部与支撑架相连接，多个夹持组件沿托盘的周向间隔设置，多个夹持组件围成托盘夹持空间，托盘夹持空间用于放置托盘；夹持组件包括弹性件和导向部，导向部远离托盘的一端与托盘支撑部转动连接，弹性件设置在导向部靠近托盘的一端与托盘支撑部之间；在托盘放入托盘夹持空间的情况下，导向部在托盘的压力作用下发生转动，弹性件被压缩，在将托盘导入托盘夹持空间底部的同时对托盘进行对中。上述方案能够解决托盘在转运的过程中，容易使得托盘在晶圆承载装置内的安装位置发生变化，而导致的晶圆的成膜质量较差的问题。
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公开(公告)号：CN112760602B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011469751.X
申请日：2020-12-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种金属氮化物薄膜沉积方法，应用于半导体设备的工艺腔室，包括以下步骤：S1、对衬底进行加热，以去除衬底上的杂质；S2、向工艺腔室中通入氮气，并开启偏压电源，激发氮气形成等离子体，以通过使等离子体轰击衬底的表面来去除残留的杂质，并与衬底表面上的金属原子反应形成金属氮化物缓冲层；S3、进行溅射工艺，以在金属氮化物缓冲层上沉积形成金属氮化物薄膜。本发明实施例提供的金属氮化物薄膜沉积方法，其不仅可以完全去除衬底的水汽和与衬底表面结合较紧固的杂质，而且还可以减少金属氮化物薄膜的应力，从而可以提高金属氮化物薄膜性能。
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