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公开(公告)号：CN111128845B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201911292324.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 马迎功 , 董博宇 , 郭冰亮 , 武学伟 , 武树波 , 赵晨光 , 翟洪涛 , 杨依龙 , 杨健 , 甄梓杨 , 宋玲彦 , 孙鲁阳 , 李新颖 , 刘玉杰 , 许文学 , 张璐 , 崔亚欣
IPC: H01L21/687 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/50
Abstract: 一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
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公开(公告)号：CN111128845A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911292324.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 马迎功 , 董博宇 , 郭冰亮 , 武学伟 , 武树波 , 赵晨光 , 翟洪涛 , 杨依龙 , 杨健 , 甄梓杨 , 宋玲彦 , 孙鲁阳 , 李新颖 , 刘玉杰 , 许文学 , 张璐 , 崔亚欣
IPC: H01L21/687 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/50
Abstract: 一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
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公开(公告)号：CN110544645A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201810522206.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
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公开(公告)号：CN107543487B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610480403.X
申请日：2016-06-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种原位膜厚监测方法及装置，该方法用于监测沉积在工艺腔室内的基片上的金属薄膜的厚度，其特征在于，工艺时，实时获取所述金属薄膜的电阻R，通过计算来获得所述金属薄膜的实时厚度t。本发明提供了一种新的原位膜厚监测方法，该方法基于方块电阻测试的思想，通过获取金属薄膜的电阻来计算获得金属薄膜的厚度，可实时监测金属薄膜的沉积过程，相对于现有技术中的通过电子束照射镀膜分析衍射图样的方法，本发明中的监测方法检测速度快、步骤简单、易于实施。
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公开(公告)号：CN111983985A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010848422.X
申请日：2020-08-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: G05B19/418
Abstract: 本申请提供了一种物料路径的建立及编辑方法、及其装置，包括：预先获取待显示路径的所有步骤序号及与所述步骤序号对应的步骤信息，根据所述步骤序号及所述序号对应的步骤信息，为每个步骤序号设置编辑该步骤信息的第一约束条件；根据所述步骤信息以及第一约束条件，建立所述物料路径，并将所建立的物料路径中的所述步骤序号和所述步骤信息以行列式的列表方式显示；当接收到对所述步骤信息的编辑请求时，判断所述编辑请求是否满足第一约束条件；若判断结果为是，则接受编辑请求，并在控制界面上的所述列表中显示编辑后的物料路径；若判断结果为否，则显示非法编辑提示，从而解决了物料路径不可达或者腔室漏做工艺的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107195567B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201610142784.0
申请日：2016-03-14
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种冷却腔室及半导体加工设备，其在冷却腔室的腔室壁内设置有第一冷却通道，通过向该第一冷却通道内通入冷却媒介，来冷却腔室壁；并且，在冷却腔室内设置有用于承载托盘的托架，托盘用于承载被加工工件，并且，在冷却腔室的腔室壁的至少部分内表面形成有黑色氧化层。本发明提供的冷却腔室，其可以提高对托盘的冷却效率，从而可以提高设备的产能。
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公开(公告)号：CN113862622B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111123778.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属化合物薄膜的制备方法，包括：步骤1：将待沉积薄膜的晶圆放入反应腔室中基座上方的托盘上；步骤2：向反应腔室内通入惰性气体和工艺气体的混合气体，对反应腔室中的金属靶材施加脉冲直流功率，使该混合气体形成等离子体，该等离子体轰击金属靶材，以在晶圆上形成金属化合物薄膜；同时对基座施加射频偏压功率，以调整金属化合物薄膜的应力。本发明在步骤2中，对基座施加射频偏压功率，以在晶圆上形成金属化合物薄膜时调整金属化合物薄膜的应力。解决了薄膜受力弯曲，甚至脱落的问题，进而提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN110544645B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201810522206.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
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公开(公告)号：CN112760609A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011530202.9
申请日：2020-12-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射设备，包括工艺腔室、偏压电源组件和激励电源组件，工艺腔室中设置有基座组件和偏压导入组件，工艺腔室的顶部设置有靶材，其中，基座组件位于工艺腔室的底部，用于支撑晶片承载件，驱动晶片承载件移动，以及加热晶片承载件；偏压导入组件位于基座组件上，用于支撑晶片承载件，并且偏压导入组件与晶片承载件电接触；偏压电源组件与偏压导入组件电连接，用于通过偏压导入组件向晶片承载件加载偏置电压；激励电源组件与靶材电连接，用于向靶材加载激励电压。本发明提供的磁控溅射设备能够降低生产及维护成本，并避免晶片在不同的工艺腔室之间传输，从而缩短工艺时间并提高产能。
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公开(公告)号：CN106325224B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201510338942.5
申请日：2015-06-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 崔亚欣
IPC: G05B19/418
Abstract: 本发明实施例提供了一种生产线设备的控制方法和装置，其中，所述生产线设备包括一个或多个硬件设备，所述硬件设备由下位机依据上位机发布的命令进行控制，所述的方法包括：为具有特定功能的硬件设备设定唯一的控制类Data对象；在上位机启动时，判断所述控制类Data对象是否存在；若是，则上位机针对所述控制类Data对象对应的硬件设备进行配置；若否，则上位机针对所述控制类Data对象对应的硬件设备不进行配置。本发明实施例通过对存在的硬件设备进行控制，否则不进行控制，从而在上位机实现了硬件设备的动态配置，使同一套上位机可以应用于有某硬件设备配置和无该硬件设备配置的两种设备，减少了资源的浪费。
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