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公开(公告)号：CN112760609B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202011530202.9
申请日：2020-12-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射设备，包括工艺腔室、偏压电源组件和激励电源组件，工艺腔室中设置有基座组件和偏压导入组件，工艺腔室的顶部设置有靶材，其中，基座组件位于工艺腔室的底部，用于支撑晶片承载件，驱动晶片承载件移动，以及加热晶片承载件；偏压导入组件位于基座组件上，用于支撑晶片承载件，并且偏压导入组件与晶片承载件电接触；偏压电源组件与偏压导入组件电连接，用于通过偏压导入组件向晶片承载件加载偏置电压；激励电源组件与靶材电连接，用于向靶材加载激励电压。本发明提供的磁控溅射设备能够降低生产及维护成本，并避免晶片在不同的工艺腔室之间传输，从而缩短工艺时间并提高产能。
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公开(公告)号：CN112349639B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011164872.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明公开一种晶圆转载装置及半导体工艺设备，晶圆转载装置包括支架、驱动机构和托盘承载部；驱动机构的驱动端与托盘承载部连接；托盘承载部具有第一预设位置和第二预设位置；在托盘承载部处于第一预设位置的情况下，托盘承载部的承载面低于晶圆承载盒的托盘支架的承载面；在托盘承载部处于第二预设位置的情况下，托盘承载部的承载面高于托盘支架的承载面；当托盘承载部由第一预设位置向第二预设位置切换时，托盘承载部可托起托盘，托盘由托盘支架转载至托盘承载部上；当托盘承载部由第二预设位置向第一预设位置切换时，托盘承载部可将托盘转载至托盘支架上。上述方案能够解决托盘在转载的过程中容易烫伤操作人员的问题。
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公开(公告)号：CN111128845B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201911292324.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 马迎功 , 董博宇 , 郭冰亮 , 武学伟 , 武树波 , 赵晨光 , 翟洪涛 , 杨依龙 , 杨健 , 甄梓杨 , 宋玲彦 , 孙鲁阳 , 李新颖 , 刘玉杰 , 许文学 , 张璐 , 崔亚欣
IPC: H01L21/687 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/50
Abstract: 一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
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公开(公告)号：CN111501004B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202010387661.X
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供一种温度控制方法和系统、半导体设备，该方法包括以下步骤：S1，使用加热装置对被加工工件进行加热，且在加热过程中根据预设的功率调节规则调节加热装置的输出功率，直至被加工工件的温度达到预设的第一目标值，其中，第一功率调节规则用于控制加热装置的输出功率随被加工工件的温度升高而增大；S2，使用加热装置继续对被加工工件进行加热，且在加热过程中实时检测被加工工件的温度值，并根据该温度值调节加热装置的输出功率，以使被加工工件的温度达到预设目标值。本发明提供的温度控制方法和系统的技术方案，可以在保证加热速率的基础上，减小加热功率的波动，有效减少碎盘的发生。
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公开(公告)号：CN111128845A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911292324.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 马迎功 , 董博宇 , 郭冰亮 , 武学伟 , 武树波 , 赵晨光 , 翟洪涛 , 杨依龙 , 杨健 , 甄梓杨 , 宋玲彦 , 孙鲁阳 , 李新颖 , 刘玉杰 , 许文学 , 张璐 , 崔亚欣
IPC: H01L21/687 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/50
Abstract: 一种应用于薄膜沉积装置的托盘，包括：第一盘体、第二盘体以及连接组件。第一盘体包括用于承载晶圆的多个通孔，且第一盘体下表面设置有多个第一槽位。第二盘体的尺寸与第一盘体的尺寸相对应，且第二盘体上表面设置有多个第二槽位。第二槽位的形状及位置与第一槽位的形状及位置相对应。连接组件位于一一对应的第一槽位及第二槽位之间，用于实现第一盘体和第二盘体的固定连接。第一盘体采用第一材质制备，第二盘体采用第二材质制备,且第一材质的热膨胀系数与待沉积薄膜的热膨胀系数的相对偏差值小于20％，以减少对所述晶圆沉积薄膜时的应力影响；第一材质的体积电阻率大于第二材质的体积电阻率，以使在对晶圆沉积薄膜时第一盘体形成绝缘体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112233999B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202011061931.4
申请日：2020-09-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体工艺设备及其转台机构，该转台机构用于承载托盘，并带动托盘旋转，转台机构包括：载台、旋转机构以及伸缩机构，其中，旋转结构用于带动载台旋转；载台包括用于承载托盘的第一承载件；伸缩机构设置于载台上，且包括第二承载件，第二承载件位于载台的周围，用于与第一承载件共同支撑托盘；并且伸缩机构是可伸缩的，使第二承载件能够沿载台的径向伸缩。应用本申请，可以承载不同尺寸的托盘。
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公开(公告)号：CN113862622B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111123778.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属化合物薄膜的制备方法，包括：步骤1：将待沉积薄膜的晶圆放入反应腔室中基座上方的托盘上；步骤2：向反应腔室内通入惰性气体和工艺气体的混合气体，对反应腔室中的金属靶材施加脉冲直流功率，使该混合气体形成等离子体，该等离子体轰击金属靶材，以在晶圆上形成金属化合物薄膜；同时对基座施加射频偏压功率，以调整金属化合物薄膜的应力。本发明在步骤2中，对基座施加射频偏压功率，以在晶圆上形成金属化合物薄膜时调整金属化合物薄膜的应力。解决了薄膜受力弯曲，甚至脱落的问题，进而提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112981334B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110161102.1
申请日：2021-02-05
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种半导体加工设备及对半导体加工设备进行清理的工艺，所公开的半导体加工设备包括反应腔室、升降驱动装置、屏蔽件和靶材；升降驱动装置用于驱动反应腔室内承载晶片的托盘在第一位置与第二位置之间移动；屏蔽件设于反应腔室的侧壁；靶材设于反应腔室内，且靶材与托盘相对设置；在托盘位于第一位置的情况下，托盘与靶材之间的距离为第一距离，且屏蔽件的第一区域位于托盘背离靶材的一侧；在托盘位于第二位置的情况下，托盘与靶材之间的距离为第二距离，第一距离小于第二距离。上述方案能够解决半导体加工设备在生产过程中由于溅射电压过高而影响半导体加工设备的产能及其生产的产品的良率问题。
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公开(公告)号：CN112760609A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011530202.9
申请日：2020-12-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁控溅射设备，包括工艺腔室、偏压电源组件和激励电源组件，工艺腔室中设置有基座组件和偏压导入组件，工艺腔室的顶部设置有靶材，其中，基座组件位于工艺腔室的底部，用于支撑晶片承载件，驱动晶片承载件移动，以及加热晶片承载件；偏压导入组件位于基座组件上，用于支撑晶片承载件，并且偏压导入组件与晶片承载件电接触；偏压电源组件与偏压导入组件电连接，用于通过偏压导入组件向晶片承载件加载偏置电压；激励电源组件与靶材电连接，用于向靶材加载激励电压。本发明提供的磁控溅射设备能够降低生产及维护成本，并避免晶片在不同的工艺腔室之间传输，从而缩短工艺时间并提高产能。
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公开(公告)号：CN111501004A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010387661.X
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种温度控制方法和系统、半导体设备，该方法包括以下步骤：S1，使用加热装置对被加工工件进行加热，且在加热过程中根据预设的功率调节规则调节加热装置的输出功率，直至被加工工件的温度达到预设的第一目标值，其中，第一功率调节规则用于控制加热装置的输出功率随被加工工件的温度升高而增大；S2，使用加热装置继续对被加工工件进行加热，且在加热过程中实时检测被加工工件的温度值，并根据该温度值调节加热装置的输出功率，以使被加工工件的温度达到预设目标值。本发明提供的温度控制方法和系统的技术方案，可以在保证加热速率的基础上，减小加热功率的波动，有效减少碎盘的发生。
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