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公开(公告)号：CN118737797A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410815126.8
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种上电极结构及半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域，上述的上电极结构包括第一壳体、第二壳体和电容调节装置，第二壳体设于第一壳体之内，且第一壳体与第二壳体之间具有间隙，电容调节装置设于间隙中，用于调节第一壳体与第二壳体之间的局部区域的电容。可以利用电容调节装置调节第一壳体和第二壳体之间的局部区域的电容，由于第二壳体内的射频能量会通过电容耦合的方式传递至第一壳体，在第一壳体和第二壳体的电容变化的区域，射频能量的传递量也会随之产生变化，从而可以通过控制射频能量的传递量的方式，对第二壳体内的射频能量的均匀性进行调节，进而能够提升工艺的均匀性，保证了半导体制造过程的良品率。
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公开(公告)号：CN112233999B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202011061931.4
申请日：2020-09-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体工艺设备及其转台机构，该转台机构用于承载托盘，并带动托盘旋转，转台机构包括：载台、旋转机构以及伸缩机构，其中，旋转结构用于带动载台旋转；载台包括用于承载托盘的第一承载件；伸缩机构设置于载台上，且包括第二承载件，第二承载件位于载台的周围，用于与第一承载件共同支撑托盘；并且伸缩机构是可伸缩的，使第二承载件能够沿载台的径向伸缩。应用本申请，可以承载不同尺寸的托盘。
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公开(公告)号：CN113862622B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111123778.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属化合物薄膜的制备方法，包括：步骤1：将待沉积薄膜的晶圆放入反应腔室中基座上方的托盘上；步骤2：向反应腔室内通入惰性气体和工艺气体的混合气体，对反应腔室中的金属靶材施加脉冲直流功率，使该混合气体形成等离子体，该等离子体轰击金属靶材，以在晶圆上形成金属化合物薄膜；同时对基座施加射频偏压功率，以调整金属化合物薄膜的应力。本发明在步骤2中，对基座施加射频偏压功率，以在晶圆上形成金属化合物薄膜时调整金属化合物薄膜的应力。解决了薄膜受力弯曲，甚至脱落的问题，进而提升了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112981334B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110161102.1
申请日：2021-02-05
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种半导体加工设备及对半导体加工设备进行清理的工艺，所公开的半导体加工设备包括反应腔室、升降驱动装置、屏蔽件和靶材；升降驱动装置用于驱动反应腔室内承载晶片的托盘在第一位置与第二位置之间移动；屏蔽件设于反应腔室的侧壁；靶材设于反应腔室内，且靶材与托盘相对设置；在托盘位于第一位置的情况下，托盘与靶材之间的距离为第一距离，且屏蔽件的第一区域位于托盘背离靶材的一侧；在托盘位于第二位置的情况下，托盘与靶材之间的距离为第二距离，第一距离小于第二距离。上述方案能够解决半导体加工设备在生产过程中由于溅射电压过高而影响半导体加工设备的产能及其生产的产品的良率问题。
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公开(公告)号：CN111501004A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010387661.X
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种温度控制方法和系统、半导体设备，该方法包括以下步骤：S1，使用加热装置对被加工工件进行加热，且在加热过程中根据预设的功率调节规则调节加热装置的输出功率，直至被加工工件的温度达到预设的第一目标值，其中，第一功率调节规则用于控制加热装置的输出功率随被加工工件的温度升高而增大；S2，使用加热装置继续对被加工工件进行加热，且在加热过程中实时检测被加工工件的温度值，并根据该温度值调节加热装置的输出功率，以使被加工工件的温度达到预设目标值。本发明提供的温度控制方法和系统的技术方案，可以在保证加热速率的基础上，减小加热功率的波动，有效减少碎盘的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110262914A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910537181.4
申请日：2019-06-20
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体设备工艺数据处理方法及系统，该方法包括：获取最后一个工艺数据及其对应的最后时间点；自所述最后时间点，向前推进预设时间获得数据处理开始数据及其对应的开始时间点，并将所述开始时间点至所述最后时间点之间的所有工艺数据作为预处理数据；根据所述预处理数据及所述预处理数据对应的时间点进行数据统计计算。通过本发明，提高了半导体设备关键工艺执行阶段的数据统计的可靠性以及准确性。
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公开(公告)号：CN109811323A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910062031.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种磁控溅射装置和托盘检测方法，该装置包括：腔室，所述腔室内设有用于承载托盘的基座；传感器，所述传感器能发射和/或接收沿直线路径传播的探测信号，且所述探测信号的路径平行于所述基座的承载表面，以检测所述基座上的托盘；以及控制部件，所述控制部件接收所述传感器的状态信号，根据所述状态信号判断所述基座上托盘的状态。通过上述方案，传感器的检测范围与托盘的厚度相匹配，能够对是否存在托盘和托盘是否破损进行识别；有效解决磁控溅射的腔室中托盘状态无法及时检测的问题。
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公开(公告)号：CN118581431A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202310201660.5
申请日：2023-03-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种调平工装及磁控溅射设备的磁性组件的调平方法，调平工装用于对磁控溅射设备的磁性组件进行水平调节，包括：手持部，所述手持部设置有从顶面贯穿至底面的第一连接孔；支撑部，与所述手持部的外壁连接，并且环绕所述手持部设置，用于在调平时支撑在所述磁控溅射设备的上电极腔的侧壁上，所述支撑部包括用于避让所述上磁性组件的调平件和紧固螺钉的镂空区；升降轴，相对于所述手持部可升降地设置于所述第一连接孔内；至少一个测量板，与所述升降轴的底端连接，并且由所述升降轴向远离所述升降轴的方向水平延伸。本申请的调平工装可以使调平操作简单快速，可以提高生产效率。
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公开(公告)号：CN112349639B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011164872.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明公开一种晶圆转载装置及半导体工艺设备，晶圆转载装置包括支架、驱动机构和托盘承载部；驱动机构的驱动端与托盘承载部连接；托盘承载部具有第一预设位置和第二预设位置；在托盘承载部处于第一预设位置的情况下，托盘承载部的承载面低于晶圆承载盒的托盘支架的承载面；在托盘承载部处于第二预设位置的情况下，托盘承载部的承载面高于托盘支架的承载面；当托盘承载部由第一预设位置向第二预设位置切换时，托盘承载部可托起托盘，托盘由托盘支架转载至托盘承载部上；当托盘承载部由第二预设位置向第一预设位置切换时，托盘承载部可将托盘转载至托盘支架上。上述方案能够解决托盘在转载的过程中容易烫伤操作人员的问题。
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公开(公告)号：CN117737674A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410115459.X
申请日：2024-01-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及镀膜设备技术领域，所公开的工艺腔室包括腔体以及设置于腔体中的内衬和接地装置；接地装置包括承载件和至少两个导电部，承载件与腔体的内壁连接，且环绕设置于内衬的外侧壁，至少两个导电部分别与承载件滑动连接，且可沿内衬的外侧壁的周向运动，导电部的一端与内衬的外侧壁导电接触，以使内衬通过腔体接地。由于内衬可通过导电部的滑动调整接地位置，以使内衬上各处的电压均匀分布，从而使工艺腔室内的等离子体分布更加均匀，进而提升了膜层的均匀性和半导体的良品率。
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