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公开(公告)号：CN111725129B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202010604530.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开一种晶圆承载装置及半导体工艺设备，晶圆承载装置包括托盘支撑部、多个夹持组件、支撑架和用于放置晶圆的托盘；托盘支撑部与支撑架相连接，多个夹持组件沿托盘的周向间隔设置，多个夹持组件围成托盘夹持空间，托盘夹持空间用于放置托盘；夹持组件包括弹性件和导向部，导向部远离托盘的一端与托盘支撑部转动连接，弹性件设置在导向部靠近托盘的一端与托盘支撑部之间；在托盘放入托盘夹持空间的情况下，导向部在托盘的压力作用下发生转动，弹性件被压缩，在将托盘导入托盘夹持空间底部的同时对托盘进行对中。上述方案能够解决托盘在转运的过程中，容易使得托盘在晶圆承载装置内的安装位置发生变化，而导致的晶圆的成膜质量较差的问题。
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公开(公告)号：CN109256357B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201710569034.6
申请日：2017-07-13
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种高温静电卡盘。该高温静电卡盘，包括基座和设置于所述基座上方的卡盘主体，所述卡盘主体用于支撑晶片，所述卡盘主体的外侧环绕设置有压环和沉积环，所述压环用于对所述卡盘主体进行限位，所述沉积环位于所述压环的上方，所述压环开设有豁口，所述沉积环和/或所述基座在对应所述豁口的区域设置有接触脚，所述接触脚使得所述沉积环与所述基座直接接触。该高温静电卡盘，通过重新设计金属基座、压环和沉积环结构，采用压环开设豁口、以及设置接触脚的形式使沉积环直接接触基座，避免压环受热膨胀将沉积环顶起，而造成的沉积环和晶片之间发生粘黏的现象。
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公开(公告)号：CN111235537A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010047837.7
申请日：2020-01-16
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种薄膜制备方法，其包括：第一沉积步，向工艺腔室中通入工艺气体，并向靶材加载射频功率，以在衬底上沉积薄膜阻挡层，其中，第一沉积步包括至少两个阻挡层沉积时段，每一阻挡层沉积时段采用的射频功率均大于上一阻挡层沉积时段采用的射频功率；第二沉积步，继续向工艺腔室中通入所述工艺气体，并向靶材加载直流功率，以在薄膜阻挡层上沉积薄膜主体层，其中，第二沉积步包括至少两个主体层沉积时段，每一主体层沉积时段采用的直流功率均大于上一主体层沉积时段采用的直流功率。本发明提供的薄膜制备方法，其可以在减少对底部衬底材料或者阻挡层造成的损伤的基础上，提高产能。
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公开(公告)号：CN110079781A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910289447.8
申请日：2019-04-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种冷却腔室、ALN缓冲层生长工艺设备和采用冷却腔室进行冷却处理的方法，其中的冷却腔室包括：腔室本体、设置在腔室本体内的水冷盘、托盘和调节机构；托盘用于承载晶片，水冷盘用于对托盘进行降温；调节机构用于调节托盘与水冷盘之间的距离。本发明的冷却腔室、设备以及冷却处理方法，能够提高托盘和晶片冷却的温度均匀性，保证工艺结果的稳定性和一致性，可以将托盘在不破碎的情况下冷却至较低温度；可以再更少的时间内达到目标温度，提高设备的产能。
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公开(公告)号：CN109811323B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201910062031.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种磁控溅射装置和托盘检测方法，该装置包括：腔室，所述腔室内设有用于承载托盘的基座；传感器，所述传感器能发射和/或接收沿直线路径传播的探测信号，且所述探测信号的路径平行于所述基座的承载表面，以检测所述基座上的托盘；以及控制部件，所述控制部件接收所述传感器的状态信号，根据所述状态信号判断所述基座上托盘的状态。通过上述方案，传感器的检测范围与托盘的厚度相匹配，能够对是否存在托盘和托盘是否破损进行识别；有效解决磁控溅射的腔室中托盘状态无法及时检测的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111128847B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201911347255.4
申请日：2019-12-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本申请实施例提供了一种承载装置及半导体加工设备。该承载装置设置于工艺腔室内，包括：基座及多个支撑组件；多个支撑组件均设置于基座上，且多个支撑组件相互配合以支撑托盘；支撑组件包括检测部，用于检测支撑组件上受到的压力值。本申请实施例实现了通过支撑组件可以直接对托盘进行检测，可以使得承载装置实现了能够及时发现托盘异常情况，对于无盘、倾斜及碎盘现象均可以通过支撑组件进行检测，从而可以避免承载装置上的托盘发生异常情况。
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公开(公告)号：CN110938807B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201911174232.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/54 , C23C14/34 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法和系统，其中控制方法包括以下步骤：选择源腔室和目的腔室，并选择源腔室的托盘位置和目的腔室的托盘位置；选择工艺配方，工艺配方包括目标晶圆从源腔室传输至目的腔室将要执行的工艺参数；确认开始传盘后，生成并执行第一个子任务，同时监控第一个子任务的状态；当第一个子任务结束时，生成并执行第二个子任务，直至第N个子任务结束，N为自然数，完成目标晶圆从源腔室到目的腔室的回盘操作。本发明的有益效果在于，将在工艺腔室中加工的晶圆从工艺腔室传送到冷却腔室再到装卸载腔室的传输过程，只需一键操作，减轻了操作人员的工作任务，提高了任务的执行效率。
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公开(公告)号：CN113611633A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110824834.4
申请日：2021-07-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/02 , B08B7/00
Abstract: 本发明提供一种晶圆烘烤腔室，包括腔体和设置在腔体上的第一传片口，腔体内部包括烘烤区和过渡区，其中，烘烤区用于对进入烘烤区内的晶圆进行去气工艺，过渡区用于对由第一传片口传入至过渡区内的晶圆进行预热以及对由烘烤区传入过渡区内的晶圆进行暂存，且过渡区中设置有传输装置和加热装置，传输装置用于承载并传输晶圆，加热装置用于对由晶圆烘烤腔室的外部传入的晶圆进行加热。在本发明中，晶圆烘烤腔室的过渡区设置有用于对晶圆进行加热的加热装置，从而可以在传输装置将晶圆转移至烘烤区前，对晶圆进行预热，以提高晶圆进入烘烤区时的初始温度，进而缩短了晶圆在去气工艺中的升温时间，提高了工艺效率。本发明还提供一种晶圆预清洁方法。
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公开(公告)号：CN111725129A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010604530.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开一种晶圆承载装置及半导体工艺设备，晶圆承载装置包括托盘支撑部、多个夹持组件、支撑架和用于放置晶圆的托盘；托盘支撑部与支撑架相连接，多个夹持组件沿托盘的周向间隔设置，多个夹持组件围成托盘夹持空间，托盘夹持空间用于放置托盘；夹持组件包括弹性件和导向部，导向部远离托盘的一端与托盘支撑部转动连接，弹性件设置在导向部靠近托盘的一端与托盘支撑部之间；在托盘放入托盘夹持空间的情况下，导向部在托盘的压力作用下发生转动，弹性件被压缩，在将托盘导入托盘夹持空间底部的同时对托盘进行对中。上述方案能够解决托盘在转运的过程中，容易使得托盘在晶圆承载装置内的安装位置发生变化，而导致的晶圆的成膜质量较差的问题。
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公开(公告)号：CN110938807A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911174232.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/54 , C23C14/34 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种PVD溅射设备的晶圆按指定路径回盘的控制方法和系统，其中控制方法包括以下步骤：选择源腔室和目的腔室，并选择源腔室的托盘位置和目的腔室的托盘位置；选择工艺配方，工艺配方包括目标晶圆从源腔室传输至目的腔室将要执行的工艺参数；确认开始传盘后，生成并执行第一个子任务，同时监控第一个子任务的状态；当第一个子任务结束时，生成并执行第二个子任务，直至第N个子任务结束，N为自然数，完成目标晶圆从源腔室到目的腔室的回盘操作。本发明的有益效果在于，将在工艺腔室中加工的晶圆从工艺腔室传送到冷却腔室再到装卸载腔室的传输过程，只需一键操作，减轻了操作人员的工作任务，提高了任务的执行效率。
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