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公开(公告)号：CN118086857A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211500887.1
申请日：2022-11-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Inventor： 文莉辉
Abstract: 本发明提供了一种磁控管运动控制机构和磁控溅射设备，涉及溅射技术领域，为解决依靠电机内部的编码器控制变速带来的变速位置漂移的问题而设计。磁控管运动控制机构，应用于磁控溅射设备，包括：磁控管组件，包括磁控本体和设置于磁控本体的磁控管；检测组件，包括传感器组件、检测本体和设置于检测本体的多个检测要素，多个检测要素沿检测本体的转动周向间隔设置；以及，驱动件，具有动力输出轴，动力输出轴传动连接于磁控本体和检测本体，以同时驱动两者转动；其中，驱动件能够根据传感器组件检测到的相应检测要素适应性调整其转速。本发明提供的磁控管运动控制机构可以避免变速位置漂移出现。
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公开(公告)号：CN112901468B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110136178.9
申请日：2021-02-01
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: F04B49/06
Abstract: 本发明提供一种控制电路、控制方法和半导体加工设备，该控制电路中，第二开关模块用于在第一电路和端第二电路均接通时，接通被控部件的供电电源端与启动控制端之间的第三电路；在第一电路和第二电路均断开时，断开第三电路；状态保持模块用于在第一电路断开，第二电路接通时，保持第一电路处于接收端第三逻辑信号前一刻的状态。本发明提供的控制电路、控制方法和半导体加工设备，可以避免被控部件发生突然停止或者自发启动，从而可以避免被控部件因意外启停而损坏或产生安全隐患，进而可以提高被控部件的使用寿命和可靠性。
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公开(公告)号：CN112130497A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011010055.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明实施例提供的半导体设备中的电源输出控制方法和系统、处理器和计算机，该方法包括接收计算机发送的与当前的工艺步骤对应的第一信息，并判断第一信息和预先存储的与当前的工艺步骤对应的第二信息是否满足预设的计时触发条件；第一信息包括电源的第一功率值；第二信息包括电源的第二功率值和第二定时时长；第二定时时长大于计算机对电源定时所设定的第一定时时长；若满足，则控制电源输出第二功率值，并从零开始计时，实时判断计时累积时长是否达到第二定时时长；若达到，则控制电源关闭，并向计算机发送报警信号。本发明实施例提供的半导体设备中的电源输出控制方法，可以避免在计算机出现信号处理延时或者故障时出现电源无法关闭的问题。
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公开(公告)号：CN111501004A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010387661.X
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种温度控制方法和系统、半导体设备，该方法包括以下步骤：S1，使用加热装置对被加工工件进行加热，且在加热过程中根据预设的功率调节规则调节加热装置的输出功率，直至被加工工件的温度达到预设的第一目标值，其中，第一功率调节规则用于控制加热装置的输出功率随被加工工件的温度升高而增大；S2，使用加热装置继续对被加工工件进行加热，且在加热过程中实时检测被加工工件的温度值，并根据该温度值调节加热装置的输出功率，以使被加工工件的温度达到预设目标值。本发明提供的温度控制方法和系统的技术方案，可以在保证加热速率的基础上，减小加热功率的波动，有效减少碎盘的发生。
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公开(公告)号：CN110565074A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910876843.0
申请日：2019-09-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基座加热方法，基座包括第一加热区和至少一个第二加热区，第一加热区和每个第二加热区用于进行分区加热；基座加热方法包括：获取第一加热区当前的加热功率和第二加热区当前的温度；判断第二加热区当前的温度是否满足预设条件；当第二加热区当前的温度满足预设条件时，根据目标温度、第二加热区当前的温度以及第一加热区当前的加热功率，调整第二加热区的加热功率，以使第二加热区与第一加热区之间的温度差异减小；当第二加热区当前的温度不满足预设条件时，根据预设规则调整第二加热区的加热功率。本发明还提供了一种基座加热装置。本发明能够提高基座加热的均匀性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109811323A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910062031.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种磁控溅射装置和托盘检测方法，该装置包括：腔室，所述腔室内设有用于承载托盘的基座；传感器，所述传感器能发射和/或接收沿直线路径传播的探测信号，且所述探测信号的路径平行于所述基座的承载表面，以检测所述基座上的托盘；以及控制部件，所述控制部件接收所述传感器的状态信号，根据所述状态信号判断所述基座上托盘的状态。通过上述方案，传感器的检测范围与托盘的厚度相匹配，能够对是否存在托盘和托盘是否破损进行识别；有效解决磁控溅射的腔室中托盘状态无法及时检测的问题。
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公开(公告)号：CN107974669A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201610925423.3
申请日：2016-10-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/458
CPC classification number: C23C16/4581
Abstract: 本发明提供了一种真空卡盘及工艺腔室，真空卡盘用于承载基片，所述真空卡盘内设置有真空通道，所述真空卡盘内还设置有边缘通道；所述边缘通道的进气口与吹扫气源相连，所述边缘通道的出气口设置在靠近所述基片的边缘位置处，所述吹扫气源提供的吹扫气体以预设气压自所述出气口吹扫所述基片的边缘；所述预设气压大于所述基片上方环境中的气压。本发明提供的真空卡盘，不仅可以避免基片损伤或废片的发生；而且还可以在一定程度上避免真空卡盘被污染，从而提高真空卡盘的寿命。
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公开(公告)号：CN111599718B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202010413145.X
申请日：2020-05-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种背压气路装置、反应腔室基座背压控制方法及反应腔室。背压气路装置包括供气管路、背吹气路、背吹旁路和控制单元，背吹气路的进气端，背吹气路的出气端用于向基座供给背吹气体；背吹旁路的两端分别连通供气管路的出气端和反应腔室，用于将供气管路中的气体输送至反应腔室；供气管路的进气端设有质量流量控制器，背吹气路上设置有第一压力检测单元；控制单元用于计算背吹压力值与预设压力值的差值，并基于差值计算供气管路的气体流量输出值后反馈给质量流量控制器；质量流量控制器根据气体流量输出值控制通入背吹气体的流量，以使第一压力检测单元检测的背吹压力值保持在预设压力值。能够实现精确控制晶片的背压。
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公开(公告)号：CN111341712B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201811557495.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种晶片位置校验装置及方法，该装置包括：第一传感器，用于输出第一电平信号，其设置在各个腔室的入口第一侧；第二传感器，用于输出第二电平信号，其设置在各个腔室的入口第二侧；机械手控制器，用于控制机械手，所述机械手控制器具有第一输入通道与第二输入通道；所述机械手控制器在所述第一电平信号和第二电平信号中至少一个发生高电平和低电平之间的转换时，获取所述机械手坐标信息，并基于所述机械手坐标信息确定发生转换的传感器的位置信息；基于所述发生转换的传感器的位置信息计算获得晶片的实际位置；并根据所述实际位置获得所述晶片的目标位置。通过本发明，减少了传感器占用的通道的同时可以有效地检测晶片实际位置。
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公开(公告)号：CN109706435B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201711008343.2
申请日：2017-10-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种腔室盖组件、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖组件包括腔室盖和进气组件，进气组件与腔室盖密闭连通，用于将至少两种反应气体从腔室的外侧引入到腔室的内侧，进气组件包括：至少两个相互独立的进气管道，其分别与各自的反应气源连通；第一进气件，其与腔室盖连接，第一进气件设置有至少两个进气通道，分别与其所对应的进气管道连通；防腐进气转接件，位于第一进气件和腔室盖之间，其一端与腔室密闭连通，另一端与全部进气通道密闭连通，至少两种反应气体进入到防腐进气转接件内混合反应。将多种反应气体送入到防腐进气转接件内发生混合反应，可以避免反应气体的提前混合，从而避免反应气体对腔室盖以及第一进气件的腐蚀。
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