晶圆承载装置及工艺腔室

    公开(公告)号:CN114220758B

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202111432272.5

    申请日:2021-11-29

    Abstract: 本发明提供一种晶圆承载装置及工艺腔室,其中,晶圆承载装置包括基座、静电卡盘、驱动部件和多个顶升部件,静电卡盘设置在基座上,用于吸附并承载晶圆,且静电卡盘能够与基座可选择的吸附;驱动部件与多个顶升部件连接,用于驱动多个顶升部件升降,顶升部件用于在驱动部件的驱动下穿过基座,并与静电卡盘朝向基座的一面相抵,带动静电卡盘升降,使静电卡盘与基座分离或者贴合。本发明提供的晶圆承载装置及工艺腔室能够提高设备利用率及产能,并节省工艺组件,降低成本。

    承载装置及半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN114351107A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202210009296.8

    申请日:2022-01-06

    Inventor: 于斌

    Abstract: 本发明提供一种承载装置及半导体工艺设备,其中,承载装置包括:安装座,安装座的周向侧壁与真空腔室的底壁密封连接,安装座具有朝向真空腔室内的真空环境的真空侧以及朝向真空腔室外的大气环境的大气侧,安装座具有导电部,且导电部用于与位于大气侧的电源装置电性连接;加热器,位于真空侧且可拆卸地安装在安装座上,加热器具有加热元件和第一导电配合部,加热元件与第一导电配合部电性连接,当加热器安装在安装座上时,第一导电配合部与导电部电性配合,以使加热元件与电源装置电性连接。在加热器进行更换或维修过程中,安装座和电源装置无需进行拆卸,只需要将加热器由安装座上拆卸下来或安装至安装座上即可,加热器的拆装更为便捷。

    晶圆承载装置及工艺腔室

    公开(公告)号:CN114220758A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202111432272.5

    申请日:2021-11-29

    Abstract: 本发明提供一种晶圆承载装置及工艺腔室,其中,晶圆承载装置包括基座、静电卡盘、驱动部件和多个顶升部件,静电卡盘设置在基座上,用于吸附并承载晶圆,且静电卡盘能够与基座可选择的吸附;驱动部件与多个顶升部件连接,用于驱动多个顶升部件升降,顶升部件用于在驱动部件的驱动下穿过基座,并与静电卡盘朝向基座的一面相抵,带动静电卡盘升降,使静电卡盘与基座分离或者贴合。本发明提供的晶圆承载装置及工艺腔室能够提高设备利用率及产能,并节省工艺组件,降低成本。

    静电卡盘及其制作方法、工艺腔室和半导体处理设备

    公开(公告)号:CN110289241A

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201910600691.1

    申请日:2019-07-04

    Abstract: 本发明公开了一种静电卡盘、工艺腔室和半导体处理设备。包括基体;冷却体,所述冷却体与所述基体相对设置;导热组件,所述导热组件夹设在所述基体与所述冷却体之间,所述导热组件包括连接件和导热件,所述连接件将所述基体与所述冷却体固定连接,所述导热件与所述基体的底面、所述冷却体的顶面全面接触,以将所述基体上的热量传递至所述冷却体。通过所设置的连接件,可以使得基体与冷却体固定连接,通过所设置的导热件,可以使得基体所产生的热量快速传递至冷却体,从而可以有效提高静电卡盘的导热能力,可以大幅提高静电卡盘的控温能力。

    半导体工艺设备
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114743917B

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202210418067.1

    申请日:2022-04-20

    Inventor: 于斌

    Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备,包括工艺腔室和设置在工艺腔室中的静电卡盘,静电卡盘的承载面上设置有多个凸点,用于支撑晶圆;该设备还包括电荷消除装置和接地的取片部件;其中,电荷消除装置包括弹性导电部件,弹性导电部件在被放置于多个凸点上且在静电卡盘通电时,能够在静电力的作用下产生弹性形变,以与静电卡盘的承载面相接触,以转移承载面上的残余电荷;取片部件用于将弹性导电部件放置在多个凸点上,或将弹性导电部件由多个凸点上取走;取片部件接地设置。本发明提供的半导体工艺设备,能够快速消除静电卡盘承载面上的残余电荷,且不需要对工艺腔室进行开腔。

    导电滑环及半导体工艺设备
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117559187A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311360824.5

    申请日:2023-10-19

    Inventor: 于斌 叶华 史全宇

    Abstract: 本申请公开一种导电滑环及半导体工艺设备,所公开的导电滑环,应用于半导体工艺设备的工艺腔室,导电滑环包括外壳、固定电连接部和转动电连接部,其中:外壳具有壳腔和与壳腔连通的第一安装孔,外壳用于与工艺腔室密封连接,以使壳腔与工艺腔室的腔室空间密封连通;固定电连接部与第一安装孔密封配合,且固定电连接部的第一端部伸至壳腔中,并与转动电连接部电连接,固定电连接部的第二端部位于外壳之外,且用于与电源电连接;转动电连接部转动地设于外壳之内,并用于与工艺腔室之内的用电器件电连接。上述方案能解决相关技术涉及的工艺腔室采用磁流体结构来实现工艺空间与工艺腔室的外部环境之间的密封,而存在密封效果不佳问题。

    半导体工艺设备
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114743917A

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202210418067.1

    申请日:2022-04-20

    Inventor: 于斌

    Abstract: 本发明提供一种半导体工艺设备,包括工艺腔室和设置在工艺腔室中的静电卡盘,静电卡盘的承载面上设置有多个凸点,用于支撑晶圆;该设备还包括电荷消除装置和接地的取片部件;其中,电荷消除装置包括弹性导电部件,弹性导电部件在被放置于多个凸点上且在静电卡盘通电时,能够在静电力的作用下产生弹性形变,以与静电卡盘的承载面相接触,以转移承载面上的残余电荷;取片部件用于将弹性导电部件放置在多个凸点上,或将弹性导电部件由多个凸点上取走;取片部件接地设置。本发明提供的半导体工艺设备,能够快速消除静电卡盘承载面上的残余电荷,且不需要对工艺腔室进行开腔。

    承载装置及半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN114351107B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202210009296.8

    申请日:2022-01-06

    Inventor: 于斌

    Abstract: 本发明提供一种承载装置及半导体工艺设备,其中,承载装置包括:安装座,安装座的周向侧壁与真空腔室的底壁密封连接,安装座具有朝向真空腔室内的真空环境的真空侧以及朝向真空腔室外的大气环境的大气侧,安装座具有导电部,且导电部用于与位于大气侧的电源装置电性连接;加热器,位于真空侧且可拆卸地安装在安装座上,加热器具有加热元件和第一导电配合部,加热元件与第一导电配合部电性连接,当加热器安装在安装座上时,第一导电配合部与导电部电性配合,以使加热元件与电源装置电性连接。在加热器进行更换或维修过程中,安装座和电源装置无需进行拆卸,只需要将加热器由安装座上拆卸下来或安装至安装座上即可,加热器的拆装更为便捷。

    静电卡盘及半导体加工设备
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113903699A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202111105860.8

    申请日:2021-09-22

    Inventor: 史全宇 叶华 于斌

    Abstract: 本发明提供一种静电卡盘及半导体加工设备,该静电卡盘中,气道结构包括环形气道、主气道组和次气道组,其中,环形气道位于靠近卡盘本体的上表面的边缘处,用以在其内侧限定形成热交换区域;主气道组环绕在中心进气孔周围,次气道组环绕在主气道组周围;主气道组分别与中心进气孔和次气道组相连通,且设置为能够提高将中心进气孔流出的背吹气体输送至次气道组的速度;次气道组分别与主气道组和环形气道相连通,且设置为能够使背吹气体在热交换区域的不同位置处分布均匀。本发明提供的静电卡盘及半导体加工设备,其可以在保证背吹气压达到稳定性和均匀性要求的前提下,有效缩短背吹气体的通气时间,从而可以提高设备产能。

    晶圆承载装置及其温度控制方法及半导体工艺设备

    公开(公告)号:CN119900012A

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202510088175.0

    申请日:2025-01-20

    Inventor: 于斌 张楠

    Abstract: 本申请公开了一种晶圆承载装置及其温度控制方法及半导体工艺设备。其中,该晶圆承载装置包括:加热组件,所述加热组件包括加热器本体,加热器本体包括内加热区和外加热区,外加热区位于内加热区径向方向上的外部,内加热区内设置有内区加热部件和内区温度测量部件,外加热区内设置有外区加热部件和外区温度测量部件;水冷盘,水冷盘的边缘设置有环形凸起结构,水冷盘通过环形凸起结构与加热器本体密封连接,环形凸起结构的宽度和高度根据晶圆承载装置所需工况温度设置,环形凸起结构内为内冷却区,环形凸起结构为外冷却区,内冷却区与加热器本体之间有一空隙。本申请在高温工况、低温工况均具备较强的冷却能力,能同时兼顾高低温工况。

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